Главная страница

Ответы электроника. ответы электроника. 1. Контактные явления в полупроводниковых приборах, p n переход, виды полупроводниковых диодов 3


Скачать 2.83 Mb.
Название1. Контактные явления в полупроводниковых приборах, p n переход, виды полупроводниковых диодов 3
АнкорОтветы электроника
Дата07.07.2022
Размер2.83 Mb.
Формат файлаdocx
Имя файлаответы электроника.docx
ТипДокументы
#626385
страница4 из 14
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14

Установка режимов работы транзисторов


Перед тем, как подавать на вход транзисторного усилителя переменный сигнал, подлежащий усилению, необходимо установить начальный режим работы (режим по постоянному току или режим покоя).

Для определенности обратимся к режиму работы А и схеме включения транзистора ОЭ.

Начальный режим работы характеризуется положением начальной рабочей точки с координатами Uкэо и Iко. Для установки начального режима традиционно используют три схемы:

  • с фиксированным током базы;

  • с коллекторной стабилизацией;

  • с эмиттерной стабилизацией.

Схема с фиксированным током базы показана на рис. 82.

В соответствии со вторым законом Кирхгофа IKRK +Uкэ =Е.

Откуда Iк = –Uкэ/Rк + E/Rк, что соответствует уравнению прямой линии (линии нагрузки) на выходной характеристике.

Ток базы найдем из уравнения I6R6бэ = Е . Учитывая, что Uбэ << Ек, можно записать IбE/Rб.

Таким образом, в этой схеме Iб задается величинами Е и R6 (ток «фиксирован»), при этом IК = cmI6.




Рис. 82. Схема с фиксированным током базы



Недостатком этой схемы является невысокая стабильность положения рабочей точки при воздействии дестабилизирующих факторов, например, температуры.

Схема с коллекторной стабилизацией соответствует рис. 77.

В схеме имеет место ООС по напряжению (выход схемы - коллектор соединен со входом схемы - базой транзистора).

Если по каким-либо причинам (например, из-за повышения температуры) ток коллектора начал увеличиваться, то это приведет к уменьшению напряжения Uкэ и соответственно к уменьшению тока базы. Это будет препятствовать увеличению тока IК, то есть будет осуществляться стабилизация тока коллектора.

Схема с эмиттерной стабилизацией соответствует рис. 79.

В схеме имеет место ООС по току (через резистор в цепи эмиттера Rэ =RT протекает как входной, так и выходной ток).

Напряжение на базе транзистора фиксировано делителем на резисторах R1 и R2. Если изменяется, например, увеличивается ток коллектора, то это приводит к возрастанию падения напряжения на резисторе Rэ, что в свою очередь приводит к уменьшению напряжения на переходе база - эмиттер и к уменьшению тока базы. А это влечет уменьшение тока коллектора, что обеспечивает его стабилизацию.

Л иния нагрузки на постоянном токе при Iэ  IК описывается выражением

Приведем ориентировочный расчет величин Rэ, R1 и R2.

Напряжение URэ выбирают из соотношения URэ = (0,1/0,2.

Затем, учитывая, что Iэ  IК, определяют Rэ : Rэ = URэ/Iко

Определяют ток базы Iб = Iко/ ст.

Ток делителя напряжения на резисторах R1 и R2 выбирают из

условия Iдел =(8/l0)Iб и находят сумму сопротивлений R1 + R2 : R1 + R2=E/Iдел

Определяют напряжение UR2 = URэ + Uбэ полагая, что для кремневого транзистора Uбэ = (0,6 / 0,7)B . Далее определяют значение R2= UR2 /Iдел

Учитывая, что в настоящее время расчет транзисторных схем проводится с помощью специальных компьютерных программ, приведенный ориентированный «ручной» расчет носит характер иллюстрации и помогает уяснить взаимосвязь различных параметров элементов транзисторной схемы.

Р ассмотрим усилительные свойства по переменному току схемы с эмиттерной стабилизацией. Очевидны следующие соотношения:

Если параллельно резистору Rf подключить конденсатор Сэ достаточно большой емкости, который ликвидирует ООС по переменному току, это приводит к увеличению коэффициента усиления усилителя по напряжению.

ОСНОВНАЯ СУТЬ ВОПРОСА: (СТР 165)






  1. 1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14


написать администратору сайта