 - прямая проводимость (крутизна) транзистора,
 - обратная проводимость транзистора,
 - выходная проводимость транзистора,
 - входная проводимость транзистора.
Таблица 1
Параметры транзистора
|
Расчетные формулы
|
 
|
|
 
|
|
 
|
|
 
|
|
где
 ,
При включении транзисторов в усилительный каскад по каскадной схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2.
Таблица 2
Параметры транзистора в схеме с ОЭ
|
Параметры транзистора в схеме с ОЭ ОБ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Приложение 3
Таблица отношений напряжений и мощностей
N (дБ)
|
|
|
N (дБ)
|
|
|
N (дБ)
|
|
|
0
|
1,0
|
1,0
|
2,1
|
1,27
|
1,62
|
7,0
|
2,2
|
5,02
|
0,1
|
1,012
|
1,024
|
2,2
|
1,29
|
1,66
|
8,0
|
2,5
|
6,31
|
0,2
|
1,024
|
1,048
|
2,3
|
1,31
|
1,7
|
9,0
|
2,8
|
8,0
|
0,3
|
1,035
|
1,07
|
2,4
|
1,32
|
1,74
|
10,0
|
3,2
|
10,0
|
0,4
|
1,047
|
1,09
|
2,5
|
1,34
|
1,8
|
11,0
|
3,58
|
13,0
|
0,5
|
1,06
|
1,12
|
2,6
|
1,35
|
1,82
|
12,0
|
4,0
|
16,0
|
0,6
|
1,07
|
1,14
|
2,7
|
1,365
|
1,86
|
13,0
|
4,5
|
20,0
|
0,7
|
1,085
|
1,17
|
2,8
|
1,38
|
1,9
|
14,0
|
5,02
|
25,1
|
0,8
|
1,097
|
1,2
|
2,9
|
1,4
|
1,95
|
15,0
|
5,67
|
31,0
|
0,9
|
1,11
|
1,23
|
3,0
|
1,42
|
2,0
|
16,0
|
6,31
|
40,0
|
1,0
|
1,12
|
1,26
|
3,1
|
1,437
|
2,048
|
17,0
|
7,1
|
51,0
|
1,1
|
1,135
|
1,29
|
3,2
|
1,45
|
2,096
|
18,0
|
8,0
|
64,0
|
1,2
|
1,148
|
1,3
|
3,3
|
1,47
|
2,14
|
19,0
|
8,96
|
80,0
|
1,3
|
1,161
|
1,3
|
3,4
|
1,486
|
2,18
|
20,0
|
10
|
100
|
1,4
|
1,17
|
1,3
|
3,5
|
1,5
|
2,24
|
30,0
|
32
|
|
1,5
|
1,19
|
1,4
|
3,6
|
1,52
|
2,28
|
40,0
|
100
|
|
1,6
|
1,2
|
1,4
|
3,7
|
1,54
|
2,34
|
50,0
|
320
|
|
1,7
|
1,22
|
1,48
|
3,8
|
1,557
|
2,4
|
60,0
|
|
|
1,8
|
1,23
|
1,52
|
3,9
|
1,57
|
2,46
|
70,0
|
|
|
1,9
|
1,245
|
1,55
|
4,0
|
1,6
|
2,5
|
80,0
|
|
|
2,0
|
1,26
|
1,6
|
5,0
|
1,8
|
3,2
|
90,0
|
|
|
|
|
|
6,0
|
2,0
|
4,0
|
100.0
|
|
|
Приложение 4
Параметры и схемы включения микросхем серии К 226, предназначенные для усиления низкой частоты
Серии МС
|
|
  (кГц)
|
|
|
|
К 226 УН1А,Б,С
|
250…350
|
0,2…100
|
+12,-6
|
|
|
К 226 УН2А,Б,С
|
25…35
|
0,02…100
|
+12,-6
|
|
|
К 226 УН3А,Б,С
|
270…330
|
0,02…100
|
+6,-9
|
|
|
К 226 УН4А,Б,С
|
9…11
|
0,02…100
|
+6,-9
|
|
|
К 226 УН5А,Б,С
|
90…100
|
0,02…100
|
+12,-6
|
|
|
Входные емкости вышеперечисленных микросхем не превышают 20пФ.
 |
Скачать 464.12 Kb.