Исследование характеристик полевых транзисторов содержание

• Название: Исследование характеристик полевых транзисторов содержание
• Дата: 10.02.2022
• Размер: 0.71 Mb.
• Имя файла: LAB2.doc
• Тип: Исследование; #357958
• страница: 2 из 4

Построить статическую стоко - затворную характеристику транзистора при 2-х фиксированных рекомендуемых значениях =const, вычисляемых по выражениям в первой строке таблицы 4.2.
Таблица 4.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом

№	, В	,В	,В (рассчитанные значения)	=0.01 ,B	= 0.5 ,В
				(рассчитанные значения)	(рассчитанные значения)
				, mA	, mA
1.		0.95
2.		0.75
3.		0.5
4.		0.25
5.		0

• 
  вычислить I_С по формуле (2.2) и записать данные таблицу 4.2. Учесть, что все значения подставляются в формулу (2.2) по модулю. Если ответ будет иметь отрицательное значение, то в таблицу 4.2. записывается значение =0.
  
• 
  построить семейство сток-затворных ВАХ.
  

4.1.2 Расчет характеристик транзисторов с индуцированным каналом
Выбрать тип (марку) полевого транзистора с индуцированным каналом из Приложения А.

Выписать параметры исследуемого транзистора, используя ресурсы Internet:

1. 
   , mA - максимально допустимый постоянный ток стока;
   
2. 
   , В - предельно допустимое напряжение между стоком и истоком;
   
3. 
   , В - предельно допустимое напряжение между затвором и истоком;
   
4. 
   , В - минимальное напряжение между затвором и истоком;
   
5. 
   ,В – пороговое напряжение для транзистора с индуцированным каналом(выбрать максимальное значение порогового напряжения);
   

Занести значения и марку выбранного транзистора в таблицу 4.3.
Таблица 4.3 – Характеристики транзистора с индуцированным каналом

Марка транзистора (тип канала)
Параметры
Ед.изм.	mA	B	B	В	B
Количественные значения

Построить статическую стоко - затворную характеристику транзистора при 2-х фиксированных рекомендуемых значениях =const, вычисляемых по выражениям в первой строке таблицы 4.3:

• 
  вычислить I_С по формуле (2.8) и (2.9) и записать данные таблицу 4.4;
  
• 
  построить семейство сток-затворных ВАХ.
  

Таблица 4.4 – Семейство стоко – затворных характеристик транзистора

с индуцированным каналом

№	, В	,В	b	,В (рассчитанные значения)	=0.01 ,B	=0.5 ,B
					(рассчитанные значения)	(рассчитанные значения)
					, mA	, mA
1.
2.		2
3.		3
4.		0.5
5.		0.95

4.2 Экспериментальнавя часть
4.2.1Исследование ВАХ транзисторов с управляющим p-n переходом

1. 
   Собрать измерительную схему рисунка Б.6, для исследования семейств сток-затворных и стоковых характеристик (на рисунке приведён пример измерительной схемы для транзистора с n-каналом). Если по варианту требуется исследовать транзистор с p-n переходом с p-каналом, то схему рисунка Б.6 необходимо исправить так, чтобы полярности подключения источников и , а также подключение измерительных приборов соответствовали нормальному включению полевого транзистора с p-n каналом. То есть p-n переход между затвором и истоком должен быть смещён источником в обратном направлении, а основные носители заряда в канале должны течь под действием от истока к стоку. (При отсутствии в библиотеке программы требуемого транзистора, воспользуйтесь аналогом).
   
2. 
   Исследовать семейство статических сток-затворных характеристик транзистора при 2-х фиксированных рекомендуемых значениях =const, вычисляемых по выражениям в первой строке таблицы 4.5. Для исследования каждой ветви ВАХ выполнить следующие действия:
   

• 
  установить значение источника в соответствии с очередным значением ;
  
• 
  вычислить по выражениям во 2-м столбце таблицы 4.5 рекомендуемые значения и зафиксировать их во 2-м столбце таблицы 4.5 в отчёте;
  
• 
  с помощью источника установить вычисленные выше значения (устанавливать значения по модулю) ;
  
• 
  для каждого установленного измеритьпо амперметру А1 ток стока и зафиксировать в таблицу 4.5;
  

Выполнить вышеуказанные действия для обоих указанных в таблице значений .

Внимание! записывать в таблицу со знаком «+», т.к. направление тока противоположно показаниям амперметра.

По измеренным значениям построить семейство сток-затворных ВАХ полевых транзисторов в одних с осях с расчетными характеристиками.
Таблица 4.5 – Семейство стоко – затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом

№	,В	=0.01 ,B	= 0.5 ,В	S
		, mA	, mA
1.	0.95
2.	0.75
3.	0.5
4.	0.25
5.	0

По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, используя методические указания раздела 2.

Т.к. математические формулы приведены для идеальных транзисторов, то графики, построенные согласно расчетным значениям и измеренным параметрам могут отличаться.

3. 
   Исследовать семейство статических стоковых ВАХ транзистора при 4-х фиксированных рекомендуемых значениях = const, вычисляемых по выражениям в первой строке таблицы 4.6 (для расчетов принять значения U_{зи отс} по модулю). Для исследования каждой ветви ВАХ выполнить следующие действия:
   

• 
  с помощью источника установить очередное рекомендуемое значение , определяемое по выражению первой строки таблицы 4.6;
  
• 
  вычислить по рекомендуемым выражениям в соответствующем столбце таблицы 4.6 рекомендуемые значения и зафиксировать их в том же столбце таблицы 4.6 в отчёте;
  
• 
  с помощью источника установить вычисленные значения ;
  
• 
  для каждого установленного значения измерить ток стока по амперметру А1 и зафиксировать в таблицу 4.6. Внимание! записывать в таблицу со знаком «+», т.к. направление тока противоположно показаниям амперметра.
  

Повторить вышеуказанные действия для всех указанных в таблице значений .

По измеренным значениям построить график семейства стоковых (выходных) ВАХ.
Таблица 4.6 - Семейство выходных ВАХ полевого транзистора

UЗИ,1= 0.9|UЗИОТС|,В		UЗИ,2= 0.5|UЗИ ОТС|,В		UЗИ,3= 0.1|UЗИ ОТС|,В		UЗИ,4= 0 В		rвых
UСИ,В	IC, mA	UСИ,В	IC, mA	UСИ,В	IC, mA	UСИ,В	IC, mA
0.1(|Uзи отс|-Uзи,1)		0.1(|Uзи отс|-Uзи,2)		0.1(|Uзи отс|-Uзи,3)		0.1(|Uзи отс|-Uзи,4)
0.5( |Uзи отс|-Uзи,1)		0.5(|Uзи отс|-Uзи,2)		0.5(|Uзи отс|-Uзи,3)		0.5(|Uзи отс|-Uзи,4)
|Uзи отс|-Uзи,1		|Uзи отс|-Uзи,2		|Uзи отс|-Uзи,3		|Uзи отс|-Uзи,4
0.5Ucи max		0.5Ucи max		0.5Ucи max		0.5Ucи max
0.8Ucи max		0.8Ucи max		0.8Ucи max		0.8Ucи max

По графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2.