лабораторная по электронике. исследование транзистора. лаба. Основные теоретические положения

• Название: Основные теоретические положения
• Анкор: лабораторная по электронике. исследование транзистора
• Дата: 03.02.2020
• Размер: 0.56 Mb.
• Имя файла: лаба.docx
• Тип: Документы; #106938
• страница: 2 из 3

Порядок выполнения работы

Исследуемый транзистор, и его основные характеристики:

1. 
   Описание транзистора
   

Параметр	Значение	СИ
Модель транзистора	FZT849	-
тип транзистора – pnp или npn	NPN	-
максимальный ток Iк	7	А
Ток насыщения	IS=586	фА
Максимальный коэффициент передачи тока для схемы с ОЭ (общий эмиттер) β	BF=230
Максимальное значение напряжения Uкэ (Vceo)	30	В
Сопротивление базы при нулевом смещении	0.023	Ом
Объемное сопротивление эмиттера	0.0223	Ом
Объемное сопротивление коллектора	0.015	Ом
Емкость перехода база—эмиттер при нулевом смещении	1.21	нФ
Емкость перехода база—коллектор при нулевом смещении	0,2	нФ

4. Схема включения транзистора

Для выполнения моделирования работы транзистора с ОЭ, а также расчёта и построения графиков статических характеристик и параметров мной была выполнена схема в программе LTSpice.

3. 
   Схема включения транзистора
   

5. Расчет и построение графиков.

После составления в редакторе схем программы LТspicе возможно выполнить расчёты и построения следующих статических характеристик в режиме использования директивы .dc:

1. Выходная характеристика

Рассчитывается по формуле:

I_к = f(U_кэ)|_Iб=const, (1)

4. 
   Выходная характеристика транзистора
   

По графику, изображенному на рисунке 4 видно, что в активном режиме напряжение коллектор-эмиттер незначительно влияет на выходной ток коллектора. Ток коллектора больше тока базы в 210-280 раз, возрастает с увеличением напряжения, поданного на выводы коллектор-эмиттер, что говорит о примерной величине статического коэффициента усиления по току β.