Главная страница
Навигация по странице:

  • Описание установки и ход выполнения работы

  • Снятие ВАХ фотоэлемента 1. Установите источник света Л

  • Определение интегральной чувствительности фотоэлемента . По графику построенной Вами ВАХ определите силу тока насыщения І

  • Проверка 1 закона фотоэффекта .

  • Лабораторная работа № 3.10

  • 1 постулат

  • Е = 0

  • оптика. Практикум Оптика и атомная физика


    Скачать 2.29 Mb.
    НазваниеПрактикум Оптика и атомная физика
    Дата05.03.2023
    Размер2.29 Mb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаоптика.doc
    ТипПрактикум
    #969896
    страница8 из 9
    1   2   3   4   5   6   7   8   9


    Фотоэлементы




    1. На основе внешнего и внутреннего фотоэффекта создано множество приборов , преобразующих световой сигнал в электрический . К ним относятся фотоэлементы , фотосопротивления , фотоэлектронные умножители , электронно - оптические преобразователи , передающие телевизионные трубки , фотодиоды и т.д. На внешнем фотоэффекте основана работа вакуумных фотоэлементов . Конструктивно они выполнены в виде стеклянного баллона , откачанного до высокого вакуума (рис.1) . Часть внутренней поверхности баллона покрыта слоем чувствительного к свету вещества , который называется фотокатодом . В качестве фотокатода используются вещества с малой работой выхода . Такими веществами является соединения сурьмы с одним или несколькими щелочными металлами и соединения серебро - цезий . Анодом служит металличес кое кольцо или сетка , помещенные в центре баллона .


    2. 4

      Зависимость силы фототока от приложенного между катодом и анодом напряжения при постоянной интенсивности света называется вольтамперной характеристикой (ВАХ) фотоэлемента . Она имеет вид , показанный на (рис.2) . Пологий ход кривой объясняется тем , что электроны вылетают из катода с различной скоростью . Некоторые из них обладают достаточно большой скоростью и , пролетая по инерции пространство между анодом и катодом , замыкают цепь . Этим объясняется наличие тока в цепи в отсутствии анодного напряжения. (участок 0-1) . Для обращения силы тока в нуль на анод надо подать отрицательное задерживающее напряжение . При таком напряжении ни одному из электронов , даже обладающему максимальной скоростью , не удастся достигнуть анода . Поэтому можно записать :



    где - кинетическая энергия электрона .

    3 -4 - Участок насыщения означает , что все электроны , испущенные катодом, попадают на анод . Для увеличения тока насыщения надо увеличить интенсивность света .

    1. Одним из основных параметров любого фотоэлемента является интегральная чувствительность , равная силе фототока насыщения при световом потоке в 1 лм. Главным недостатком вакуумных фотоэлементов является малая интегральная чувствительность . Значительно большей интегральной чувствительностью обладают фотоэлектронные умножители (ФЭУ) .

    2. На явлении внутреннего фотоэффекта в полупроводниках основано действие вентильных фотоэлементов и фотосопротивлений . Они устроены следующим образом . На металлическую подложку М наносится слой полупроводника Р (рис.3). На границе металл - полупроводник в силу их различных физических свойств образуется запирающий слой , пропускающий носители тока в одном направлении - из полупроводника в металл .

    При освещении полупроводника в нем образуется большее число свободных электронов, в результате равновесное распределение носителей тока в области контакта нарушается , и электроны переходят из полупроводника в металл , заряжая металл отрицательно , а полупроводник - положительно . Таким образом , на границе металл - полупроводник образуется два противоположных полюса , и , если их соединить проводником , по цепи потечет ток без какого - либо дополнительного источника тока . Иначе говоря , вентильный фотоэлемент сам является источником тока .

    Я
    вление возникновения ЭДС при освещении контакта металл - полупроводник называется вентильным фотоэффектом .

    В отличие от вакуумных вентильные фотоэлементы непосредственно преобразуют световую энергию в электрическую. Наиболее эффективными являются вентильные фотоэлементы, основанные на использования контакта двух полупроводников электронного (n) и дырочного (p) типа проводимости , т.е. на так называемом p-n - переходе .

    Несколько десятков соединенных последовательно p-n - переходов образуют солнечную батарею .

    Вентильные фотоэлементы имеют значительно большую интегральную чувствительность , чем вакуумные .

    Фотосопротивления представляют собой нанесенный на стеклянную пластинку слой полупроводника , на поверхности которого укреплены токоподводящие электроды (рис.4) . При освещении полупроводника число носителей тока в нем резко возрастает , а сопротивление резко падает . Изменяя интенсивность света . можно регулировать сопротивление цепи в широком интервале .

    Описание установки и ход выполнения работы.
    В работе исследуется вакуумный фотоэлемент с сурьмяно - цезиевым катодом. Красная граница фотоэффекта мкм Площадь фотокатода 2·10-3м2.

    Лабораторная установка позволяет :

    1. исследовать вольтамперную характеристику (ВАХ) фотоэлемента ;

    2. определить его интегральную чувствительность ;

    3. проверить 1 закон фотоэффекта .

    Электрическая схема установки показана на рис.5 . Потенциометром P плавно изменяют напряжение , подаваемое на анод A . Величина напряжения измеряется вольтметром , сила фототока микроамперметром . Катод К освещается лампой накаливания Л , которая может перемещаться вдоль линейки АB . Интенсивность света , падающего на катод , регулируется расстоянием r между лампой и фотоэлементом Ф .



    Снятие ВАХ фотоэлемента
    1. Установите источник света Л на заданном расстоянии r от фотоэлемента.

    2. Изменяя потенциометром анодное напряжение Uа от 0 до 150 В через 10 В, снимите зависимость силы фототока от напряжения . Данные занесите в таблицу 1
    Таблица 1

    Uа,

    В


    10


    20


    30


    40


    50


    60


    70


    80


    90


    100


    110


    120


    130

    Іа, мкА











































    1. Постройте график зависимости силы фототока от анодного напряжения .


    Определение интегральной чувствительности фотоэлемента .


    1. По графику построенной Вами ВАХ определите силу тока насыщения Ін.

    2. По таблице 2 найдите соответствующий расстоянию световой поток Ф

    3. По формуле γ=Ін мкА/лм определите интегральную чувствительность исследуемого фотоэлемента .


    Таблица 2

    Расстояние r от лампы до фотоэлемента, см

    30

    31

    32

    33

    34

    35

    36

    Интенсивность света, Вт/м2

    450

    425

    400

    375

    350

    325

    300

    Световой поток, Ф, лм

    0,9

    0,85

    0,80

    0,75

    0,70

    0,65

    0,60


    Проверка 1 закона фотоэффекта .
    1. Установите анодное напряжения , соответствующее току насыщения

    ( U  100 В )

    1. Изменяя расстояние между лампой r и фотоэлементом от 30 до 36 см. через 1 см. , снимите зависимость силы тока насыщения от интенсивности света . Постройте график этой зависимости и убедитесь , что ток насыщения , а следовательно и число вылетающих с поверхности катода за единицу времени электронов пропорциональна интенсивности света .


    Контрольные вопросы .


    1. Что называется фотоэффектом ? ( 3 вида ) .

    2. Законы фотоэффекта и их объяснения на основе квантовой теории света .

    3. Какой из законов и как проверяется в работе ?

    4. Уравнения Эйнштейна для фотоэффекта и его анализа .

    5. Что называется красной границей фотоэффекта ?

    6. Фотоэлементы , их виды , устройство и принцип действия .

    7. Что называется интегральной чувствительностью фотоэлемента .

    8. Вольтамперная характеристика фотоэлемента , ее анализ .

    9. Рабочая схема , выполнение работы .


    Литература

    1. И.В.Савельев Курс общей физики, т2.- М.: «Наука» 1978, С.34

    2. Т.И.Трофимова Курс физики, М.: «Высшая школа», 2002г., С.376-381

    3. Б.М.Яворский, А.А.Детлаф Курс физики, т.3. – М.: «Высшая школа», 1979г. С.216-225

    Лабораторная работа № 3.10
    Изучение сериальных закономерностей в спектре излучения

    атомарного водорода и определение постоянной Ридберга .
    На основании опыта по рассеянию - частиц , доказавших сложное строение атома , Резерфорд предложил планетарную модель атома , в которой принималось , что в центре атома находится положительно заряженное ядро , а вокруг него вращаются отрицательно заряженные электроны . Однако , модель атома Резерфорда противоречива . Действительно , движение электрона по орбите есть движение ускоренное . Но в этом случае согласно классической электродинамике, электрон непрерывно излучает электромагнитные волны , причем спектр излучения должен быть сплошным . Процесс излучения сопровождается потерей энергии электрона , при этом траектория его будет спиральной , и за время 10-8с электрон должен будет упасть на ядро . Такой вывод , полученный на основании классической физики , противоречит известной стабильности атомов и линейчатому характеру атомных спектров .

    Выход из создавшегося тупика был найден в 1913 г. Н. Бором , правда , ценой введения предположений , противоречащих классическим представлениям . Допущения , сделанные Бором , содержатся в трех постулатах :

    1 постулат ( постулат стационарности ) .

    Электроны могут двигаться в атоме только по стационарным , определенным орбитам , находясь на которых они не излучают .

    2 постулат ( постулат квантования ) .

    Стационарной является орбита , находясь на которой электрон имеет квантованные значения момента импульса , удовлетворяющие условию :

    ( 1 )

    где L - момент импульса электрона на орбите ,

    m - масса электрона ,

    υ- скорость электрона на n - ой орбите ,

    r - радиус n - ой орбиты ,

    n - главное квантовое число ( целое , не равное нулю число ,

    означающее номер орбиты ) ,

    h - постоянная Планка , h=6,625 10-34 Дж с

    3 - постулат .

    Атом излучает квант электромагнитной энергии , когда электрон переходит с орбиты большего на орбиту меньшего радиуса . При поглощении энергии происходит обратный переход : с орбиты меньшего на орбиту большего радиуса .

    Энергия кванта h равна разности полных энергий электрона на орбитах до и после перехода :

    , ( 2 )
    где - частота кванта , n1 и n2 - значения главного квантового числа (номера орбиты) до и после перехода .

    Рассмотрим механизм излучения атома водорода по Бору . Вокруг положительно заряженного ядра по круговым орбитам , разрешенным условием (1) , может вращаться электрон . Центростремительная сила , удерживающая его на орбите , по своей природе является кулоновской силой , поэтому можно записать :

    ( 3 )

    Исключив скорость υ из уравнения (1) и (3) , можно рассчитать дискретные значения радиусов электронных орбит в атоме по формуле (4) , придавая главному квантовому числу значения n = 1,2,3,...

    ( 4 )
    Т ак , для первой боровской орбиты в этом атоме водорода r1 = 0,53 , что по порядку величины совпадает с газокинетическим размером атома водорода .Полная энергия электрона на n - ой орбите в атоме слагается из кинетической энергии вращения электрона по орбите и потенциальной энергии взаимодействия с ядром ( последняя всегда отрицательна ):

    ( 5 )

    Из уравнения (3) следует , что

    ( 6 )

    Подстановка (6) в уравнение (5) позволяет определить полную энергию электрона в виде

    ( 7 )

    И , наконец , используя выражение (4) для радиусов боровских орбит , можно вычислить разрешенные значения энергий электрона в атоме

    ( 8 )
    Подчеркнем следующее : т.к. полная энергия электрона в атоме отрицательна , то уменьшение ее абсолютного значения соответствует ее возрастанию . Энергия достигает максимального значения Е = 0 при n = .

    Это соответствует тому , что электрон получил максимально возможную энергию и стал свободным , т.е. произошла ионизация атома .

    Схема энергетических уровней для электрона в атоме водорода , рассчитанных по формуле (8) , приведена на рис.2 . При увеличении номера орбиты , т.е. по мере удаления электрона от ядра, увеличивается потенциальная энергия их взаимодействия , а значит уменьшается устойчивость системы ядро - электрон . Следовательно , из всех стационарных разрешенных орбит ближайшая к ядру (n=1) является наиболее устойчивой , поэтому такое состояние электрона называется основным , или нормальным . Электрон , находящийся на орбите с n > 1 , пребывает в возбужденном состоянии и по истечении времени τ

    10-8с переходит на одну из более близких к ядру орбит , испустив при этом квант электромагнитной энергии согласно уравнению (2). Энергии электрона на этих орбитах могут быть вычислены по формуле (8) , а частоту испущенного кванта для любого конкретного перехода можно вычислить по формуле :

    ( 9 )
    где n2 - номер орбиты , с которой совершался переход ,

    n1 - номер орбиты , на которую совершался переход .

    Выражение (9) есть обобщенная формула Бальмера - Ридберга , в которой

    (10)

    называется постоянной Ридберга .

    Если , в соответствии с (9) , совершаются переходы на некоторую выделенную орбиту со всех более удаленных орбит , то говорят , что высвечивается серия линий .

    Для атома водорода опытно установлены несколько серий излучения (рис.1, 2):

    n1 =1 , a n2 =2,3,4,... - серия Лаймана :

    n1 =2 , a n2 =3,4,5,... - серия Бальмера :

    n1 =3 , a n2 =4,5,6,... - Пашена : и т.д.

    Поэтому формулу (9) называют еще сериальной формулой и записывают в виде :

    (11)
    Отметим , что лишь серию Бальмера можно наблюдать визуально , тогда как серия Лаймана находится в ультрафиолетовой , а серия Пашена и другие лежат в инфракрасной областях спектра .

    К ак видно из рис.2, серия Бальмера , как и любая другая , состоит из бесчисленного множества линий . Однако , человеческий глаз способен различить три , реже - четыре линии , остальные лежат вне участка видимости (400 - 700 нм) В порядке возрастания частоты излучаемых квантов эти четыре характерные линии серии Бальмера следующие : H - ярко красная , H - зелено голубая , H - фиолетовая, H - слабо - фиолетовая (плохо различимая) . Таким образом, определив на опыте длины волн излучения линий серии Бальмера и учитывая

    (12)
    где с - скорость света ,

    можно определить постоянную Ридберга, воспользовавшись для расчетов формулой (11).

    С другой стороны , постоянная R выражается через известные физические постоянные и может быть рассчитана по формуле (10) . Совпадение величин R , рассчитанных по формуле (10) и опытно определенных по формуле (11) , одно из самых точных в физике . Это является подтверждением правильности теории Бора для атома водорода . Однако эта теория имеет и существенные недостатки : она не применима для расчетов спектров атомов более сложных , чем водород ; она не пригодна для расчетов интенсивности сериальных линий ; теории свойственна внутренняя противоречивость , т.к. она носит полуклассический характер .

    Последовательной теорией, объяснившей не только огромное многообразие явлений в микромире, но и вскрывшей физическую природу самих боровских постулатов, явилась квантовая механика.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9


    написать администратору сайта