Приемник устройство обзорный рлс
Скачать 1.01 Mb.
|
Рис.5. Функциональная схема антенного переключателя и устройство защиты приемника. Рис. 6. Эквивалентная схема СВЧ- ограничителя. Проектирование устройства защиты приемника. В устройство защиты приемника входит разрядник приемника и диодный ограничитель. Основным недостатком диодных ограничителей является относительно небольшой динамический уровень импульсной мощности (100вт- 2Квт). Для устранения этого недостатка и объединения достоинств РПЗ и ограничителя используют разрядник- ограничитель. Он представляет собой сочетание РПЗ и следующего за ним диодного ограничителя. Разрядники- ограничители, не требующие никаких источников питания, выдерживают большие импульсные мощности ( 10Квт) и обеспечивают защиту приемника от всех возможных сильных сигналов. После ГР (газоразрядник) ставят резонансный СВЧ- ограничитель, включаемый в основную линию через отрезок линии l=/4. Он представляет собой параллельное соединение разомкнутого шлейфа и последовательное соединение ограничительного диода и еще одного короткозамкнутого шлейфа L2. По таблице 4.8 стр. 209 [2] выберем разрядник- ограничитель MD- 80K12. =16.5 Ггц Праб/f0=6.09% - относительная полоса пропускания. Lпр= 0.9дБ - потери пропускания. Ри= 10Квт - импульсная мощность. Рср=10Вт - средняя мощность. Wп = 0.5 Дж - энергия тока разрядника. Долговечность = 2000ч. Длина = 21.3 Масса = 80 г. 5.3.Проектирование и расчет УВЧ. Исходные данные: F0=1.7510Мгц. В приемниках РЛС сантиметрового диапазона наибольшее распростронение получили однокаскадные РПУ на п/п диодах. В основном применяют двухчастотные регенеративные ППУ. В этих ППУ наряду с частотной накачкой Fнак, возбуждаемой вспомогательным генератором накачки, используют две рабочие частоты: сигнальную Fс и холостую Fх= Fнак - Fc, возникающую в процессе усиления. ППУ работают на отражении с общим входом и выходом и использует ферритовый циркулятор для разделения входных и выходных сигналов. Для обеспечения стабильности параметров РПУ, при изменениях в цепи, в качестве ферритового циркулятора применим пятиплечный циркулятор, построенного на основе Y-циркулятора ( с волновым сопротивлением W=50 Ом и потерей пропускания Lп0.4 дБ). В таком циркуляторе потери сигнала до входа РПУ равны Lп= 2Lп= 0.8 дБ, на столько же ослабляется усиленный сигнал, проходящий из РПУ к выходу циркулятора. По таблице 5.1 (2) выбираем параметрический диод типа D5147G, имеющий наименьшие постоянные времени ? и Lпос. Спер(V) = Спер(0) = 0.320.02 пф. ?(V) = ?(-6) = 0.32 пс. Uнор обр6 В к =1.2 В , n = 2, Скол = 0.3 пФ, Lпос= 0.2 нГн. Необходимое напряжение смещения. Uо=Uнорм обр + к( - 1 ) Uо = 6В + 1.2В( -1) =2.7В 4.Найдем емкость перехода. Спер(U) =Спер(0)= 0.32=0.178пФ. Постоянная времени при рабочем смещении: (Uo) =(-6)= 0.32=0.436 пс. Принимаем Со=Спер(Uo)= 0.178 пФ. 5.Коэффициент модуляции: mмод = (-1)/( + 1) mмод = (- 1)/( + 1) = 0.42 Критическая частота диода. fкр = fкр = =73.4 Ггц. 6.Поправочный коэффициент Кс , учитывающий потери в конструкции ДПУ , принимаем Кс = 2. Тогда находим э(Uo) = Кс(Uo). э= 20.436 = 0.872 пс. Эквивалентное сопротивление потерь. п э = э(Uo)/Спер(U0) п э = 0.852/0.172 = 4.9 Ом Динамическая добротность диода. Q = = = 2.09 7. Для полученных данных по формулам: Афt = = Q+1 - 1 Nпу min =()min =(1 - 1/Крпу)2/Афt Вычисляем оптимальное отношение частот: Аопр = - 1 = 2.9 Соответствующий ему коэффициент шума: Nпу min = (1 - 1/20)(2/2.9) + 1 = 1.66 (2.15дБ) 8.Определим значение холостой частоты fx. Чтобы получить максимально возможную полосу пропускания ПДУ, не применяя специальных элементов для ее расширения и упростить топологическую схему ДПУ, в качестве холостого контура используем последовательный контур, образованный емкостью Со и индуктивностью вводов Lпос.диода. Цепь входов холостой частоты замкнут разомкнутым четверть волновым шлейфом, подключенным параллельно диоду, и имеющим входное сопротивление близкое к нулю. В этом случае на холостой контур не влияют цепи сигнала и накачки, а также емкость корпуса диода Скор. Резонансная частота этого контура равна частоте последовательного резонанса диода. Fxo = = = 26.6 Ггц Отношение частот: А = fxo/fco =26.6/17.5 = 1.52 Частота накачки: fнак = fс (1 + А) = 17.5(1 + 1.52) = 44.1 Ггц 10.’’Холодный’’ КСВ сигнальной цепи ДПУ, который требуется обеспечить для заданного резонансного усиления: =R1/rпос э = (Q/A - 1) , где А = x/o ; Q = 2.9 = () = 6.5 Требуемое сопротивление источника сигнала R1, приведенное к зажимам приведенной емкости в последовательной эквивалентной схеме (рис. 7). R1 = rисс э = 6.54.9 = 31.89 ом. Рассчитанные значения и R1 обеспечивают подбором согласующих элементов сигнальной цепи ДПУ, что обычно выполняют экспериментально. Для расчета полосы пропускания зададимся коэффициентами включения емкости в холостой (mвых х) и сигнальный (mвых с) контуры. mвых х = 0.5 mвых с = 0.2 Ппу = fco Ппу = 17500 = 115 Мгц. Определим необходимость мощности накачки ДПУ. По рисунку 5-27 [2] для Uo/ = 2.7/1.2 =2.25 и находим коэффициент q =0.4 Pнак д - мощность накачки диода, Pнак д = Спер(Uo)(Uc)(Uo+)q Pнак д = 52830= 25 мвт Для fнак = 36.6 Ггц интерполяцией значений коэффициента: Pнак д =2.15 Pнак = Pнак д Pнак д Pнак = 2.1525 мВт = 54 мВт Pнак = 54 мВт - мощность накачки , которую необходимо подвести к ДПУ. Рис. 8. Принципиальная схема ДПУ. Проектирование и расчет устройства подавления зеркального канала. В качестве УПЗК используются полосно - пропускающие фильтры (ППУ). Микроминиатюрный ППФ можно создать если в качестве резонатора использовать ферритовый образец из монокристалла железоиттриевого граната (ЖИГ) в виде обычно весьма малой, отполированной сферы. Сфера ЖИГ, помещенная в магнитное поле, в котором СВЧ поле и внешнее поле от электромагнита взаимно перпендикулярны, в силу физических свойств ферритов , резонирует на частотах ферромагнитного резонатора, равной : = 3.5110Ho [Мгц], где Ho - напряженность внешнего магнитного поля -[A/M]. Изменяя Ho можно в широких пределах перестраивать резонансную частоту. Исходные данные для расчета: рабочая частота - 17.5 Ггц. Полоса пропускания Ппр = 710Кгц. Полоса заграждения Пз = 4= 140Мгц Рассчитаем требуемую напряженность внешнего магнитного поля Ho: = 3.5110Ho Ho = Ho == 510А/M 2.Для ферритовой схемы выбираем монокристалл ЖИГ с шириной линии ферромагнитного резонанса Н = 40А/M и намагниченностью насыщения ферритовой сферы Мо =1.410А/M. Определяем ненагруженную добротность ЖИГ резонатора: Qo = = = 11325 3.Находим необходимое число резонаторов фильтра: n = (Lз + 6)/20lg(Пз/Ппр) n = = = 0.5 Примем n=1. 4.Требуемая внешняя добротность ЖИГ резонатора обусловленная каждой петлей связи: Qвн о = (fo/Пз)ant lg[(Lз + 6)/20]; Qвн о =(17500/140)ant lg[(20+6)/20] = 441 5.По рис. 4.33 [2] определяем для Qвн о = Qвн 1 = Qвн 2 - требуемые внешние добротности каждой петли связи. Qвн450 требуемый радиус петли связи в этом случае: r = 3rсф , а rсф = 0.6 мм. r =1.8 мм. Таким образом определены необходимые данные для конструирования ЖИГ резонаторов и петель связи, выполненных из ленточного проводника шириной 0.4 мм. 6.По формуле : Ппр/=1/ Qвн о , уточняем полосу пропускания двухрезонаторного ППФ: Ппр = 17500Мгц/450 = 39Мгц. 7.По формуле Lo = 4.34 n Qвн о/ Q о рассчитываем потери на резонансной частоте: Lo =4.34/11325 = 0.34дб. Пологаем потери рассеяния на границах полосы пропускания , согласно Lo гр = 2.5 Lo = 0.85 дб. Тогда суммарное затухание фильтра на границе полосы пропускания : Lгр = 1+0.85 = 1.85дб. Проектирование и расчет преобразователя частоты. Наиболее важными требованиями , предъявляемыми к электрическим параметрам смесителей СВЧ, является: минимальный коэффициент шума, достаточная полоса рабочих частот, минимальная мощность гетеродина. Балансные смесители обладают некоторыми преимуществами перед однодиодными небалансными смесителями. Балансный смеситель (БС) работает при меньшей мощности гетеродина, имеет повышенную помехоустойчивость и позволяет уменьшить мощность гетеродина, прсачивающуюся в антенну. Однако можно использовать однодиодный небалансный смеситель. Исходные данные: fo = 17.5Ггц - рабочая частота. Шпч10 необходимо применить балансный ПЧ. fпч = 35Мгц - промежуточная частота. 1.Выберем смесительные диоды и определим их параметры по таблице 7.1 [2]. Используем тип ОБШ АА112Б в микростеклянном корпусе, имеющем, при Рг = 3мВт, потери преобразования Lпр 6дб, шумовое отношение = 0.85, rвых сд = 490...664 Ом и Fнорм 7дб, где Fнорм - нормированный коэффициент шума. 2.Проектирование топологической схемы смесительной секции. Выбираем схему с согласующим короткозамкнутым шлейфом перед диодом. Волновое сопротивление четвертьволновых отрезков МПЛ в выходной цепи секции принимаем для низкоомных и высокоомных отрезков соответственно 20ом и 90ом. Рис.9 Топологическая схема микрополосковой смесительной секции с согласующими короткозамкнутым шлейфом lшл перед диодом: 1- короткозамкнутый отрезок МПЛ для компенсации реактивной составляющей полной проводимости на входе отрезка l1. 2 - диод в стеклянном корпусе. 3 - низкоомный разомкнутый четвертьволновый шлейф. 3.Проектирование СВЧ - моста. В балансном смесителе , предназначенном для малошумящего двухбалансного смесителя необходимо использовать синфазно- противофазные , т.е. микрополосковые кольцевые мосты. Однако учитывая относительно неширокую заданную полосу (Ппр= 853.5), целесобразно использовать квадратурный двухшлейфовый мост со сдвигом смесительных секций друг относительно друга на , поскольку с ним можно получить более компактную топологическую схему БС и МШДБС в целом (см. Рис. 10). Рис.10. Топологическая микрополосковая секция малошумящего двухбалансного смесителя. СД - однофазный делитель мощности пополам в виде Т соединения линий с согласующим четвертьволновым трансформатором на входе. КД - квадратурный делитель мощности пополам в виде квадратурного СВЧ - моста с согласованной нагрузкой в неиспользованном плече. Расчет и проектирование двухшлейфного моста. Исходные данные: fc=17.5Ггц. Подложка из феррита толщиной h=0.5мм имеет диэлектрическую проницаемость среды = 9 и tg угла диэлектрических потерь tg =0.005 , материал проводников - золото, проводящие линии имеют W=50. 1)Определяем волновое сопротивление основной линии: Wл = W/ = 50/= 35.5ом. Для шлейфов Wш = W = 50 ом. 2)По формуле W/h = (314/ W) - 1, находим ширину полоски основной линии: = ((314/ W) - 1)h = ((314/35.5) - 1) 0.5 = 0.97 мм. Шлейфов: = ((314/50) - 1) 0.5 = 0.55 мм. 3)По формулам : = /,где - длина волны в линии, - длина волны в воздухе, - диэлектрическая проницаемость среды в линии, = 0.5[1+ + (- 1)/] Для основной линии: = 0.5[1+ 9 +(9- 1) /] = 6.61, и = 23/4= 2.23 мм. Для шлейфов : |