Главная страница

БРЭО. Руководство видк. 460009. 008


Скачать 0.83 Mb.
НазваниеРуководство видк. 460009. 008
Дата21.10.2018
Размер0.83 Mb.
Формат файлаpdf
Имя файлаБРЭО.pdf
ТипРуководство
#54024
страница2 из 4
1   2   3   4
ω
θ называется пороговой частотой области диэлектрических потерь. Для большинства наиболее широко распространенных диэлектриков частота ω
θ
составляет около 800 МГц.
При топологическом конструировании МПП для высокоскоростного обмена и передачи информационных потоков необходимо применять материалы МПП и связующие межслойные диэлектрики (препрег) с низким показателем тангенса угла диэлектрических потерь - tg(θ). Чем меньше значение tg(θ), тем меньне уровень диэлектрических потерь в электрической линии связи и тем шире полоса пропускания этой линии.
Кроме того, снижение диэлектрической проницаемости материала ε
r даже, если tg(θ) остается неизменным тоже имеет положительные стороны – возрастает скорость распространения сигнала, что приводит тоже к снижению уровня диэлектрических потерь.
Конструктор МПП должен учитывать не только технологичность, стойкость к климатическим ВВФ, механическую прочность и доступность материала у поставщика, но и специфику МПП, соответствие выбранного

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
19в
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 материала МПП требованиям разработчика к целостности передаваемых сигналов, постоянству импеданса для отдельно обозначенных разработчиком схем электрических линий связи, минимизацию диэлектрических потерь. Материалы типа СФ- или FR- обладают значительными диэлектрическими потерями и для конструирования МПП с высокоскоростными сигналами не пригодны.

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
20
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 8.6 Электрические соединители
Электрические соединители давно стали непременным атрибутом многофункциональных систем с хорошей ремонтопригодностью. Качество электрических связей через контакты электрического соединителя более актуально для аналоговых схем и высокоскоростной передачи информационных потоков, чем для обычной цифровой логики. Особую значимость качество таких электрических связей приобретает в схемах
ЦАП и АЦП. Предположим, что электропитание схемы АЦП осуществляется через контакты электрического соединителя, при этом для подключения к общей шине обеспечивается контактное сопротивление 0,02 Ом.
Сопротивление остальных участков этих цепей для наглядности примера примем равными нулю. Предположим, что ток, потребляемый схемой АЦП, составляет 0,8 А.
Если аналоговая часть схемы содержит двенадцатиразрадный АЦП с диапазоном входного напряжения 10 В, то младший значащий разряд АЦП будет иметь значение 2,44 мВ, а падение напряжения на сопротивлении контактов электрического соединителя составит 16 мВ. В случае, если только 30% от падения напряжения на сопротивлении контактов электрического соединителя (5,33 мВ) будут воздействовать на аналоговый сигнал, это приведет к маскированию двух младших разрядов АЦП напряжением ЭМП, что повлечет потерю точности обработки аналогового сигнала и ухудшит качественные характеристики схемы, модуля и конечного устройства, в состав которого входит АЦП. Решение дизайнера МПП – отвести возможно большее количество контактов электрического соединителя в МПП, содержащих ЦАП и(или) АЦП, для подключения к общему проводу и уменьшения контактного сопротивления цепи.
При топологическом проектировании МПП для высокоскоростного обмена и передачи информации конструктор должен предусмотреть не только достаточные зазоры вокруг сквозных отверстий контактов электрического соединителя в МПП, но и множество металлизированных дорожек вокруг них, соединенных со слоем GND. В идеале – каждый слой
МПП должен содержать эти заземленные дорожки. Отсутствие таких конструктивных мер приводит к довольно большим значениям

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
20а
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 перекрестных помех между выводами электрического соединителя, которые могут достигать значения более 2 В.
8.7 Шероховатость поверхности материалов МПП.
Этот показатель имеет черезвычайно важное значение для МПП в целом, высокочастотных устройств и передачи высокоскоростных сигналов электрическими трассами МПП.
Как известно, для передачи высокоскоростных сигналов особое значение приобретает шероховатость поверхности электрической линии связи в связи с усилением на высоких частотах поверхностного эффекта, когда максимум плотности тока передаваемого сигнала следует вдоль поверхности проводника и толщина такого слоя на частоте всего
30 МГц может измеряться единицами, а на значительно более высоких частотах – десятыми и сотыми долями мкм. В этом случае наблюдается повышение сопротивления высокочастотному току, следующему вдоль рельефа, образованного шероховатостью основного материала и подложки, которое может достигать значений 50-100% относительно исходного сопротивления этого проводника постоянному току или сигналу НЧ.
Так, например, шероховатость поверхности материала FR-4, используемого для производства плат печатного монтажа, составляет от
6 до 18 мкм. Для минимального из указанных значений (6 мкм) среднеквадратическая шероховатость поверхности составит 0,17 мкм, что соответствует пороговой частоте передаваемых сигналов до 1 ГГц включительно. Для максимального из указанных значений шероховатости поверхности материала FR-4 (18 мкм) пороговая частота передаваемых сигналов составит лишь 200 МГц.
На пороговой частоте увеличение сопротивления проводника высокочастотным сигналам составляет 60% относительно исходного сопротивления постоянному току или сигналу НЧ.
Разработчикам схем высокоскоростного обмена и передачи информации совместно с конструктором МПП необходимо обратить особое внимание на вышеуказанный фактор влияния шероховатости поверхности

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
20б
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 металлизированного слоя МПП на целостность передаваемых потоков информации. Возможно введение в технологический цикл изготовления
МПП дополнительного техпроцесса оксидирования, направленного на снижение шероховатости поверхности электрических линий связи и полигонов GND многослойных печатных плат.

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
21
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 9 Электростатический разряд
Интенсивное развитие микроэлектроники в последние два десятиле- тия в направлении увеличения плотности размещения в ИС полупроводни- ковых элементов, снижения логических уровней информационных сигна- лов, уменьшения значений входных токов, напряжений электропитания, сужения зон металлизации на кристаллах и уменьшения оксидных слоев
ИС привело к повышению порога чувствительности ИС нового поколения к
ЭСР.
До 50% всех отказов ИС в процессе эксплуатации обусловлено в первую очередь следствием воздействия на аппаратуру, узлы или компо- ненты ЭСР.
ЭСР являются источником кондуктивных и излучаемых ЭМП. Излучае- мые ЭМП представляют собой импульсные магнитные, электромагнитные и электрические поля. Кондуктивные ЭМП в свою очередь подразделяют на прямые и косвенные (вторичные). Прямые кондуктивные ЭМП представляют собой импульсный перенос потенциала электростатического электричест- ва на проводящие участки электронных узлов или компонентов РЭО.
Из-за многообразия потенциальных точек проникновения ЭСР, пути токов ЭСР к общей шине заземления будут разнообразны. Ток ЭСР протекает по пути, обладающему низкой индуктивностью. Из-за малой длительности фронтов ЭСР, которые измеряются долями наносекунды, распределенные емкости представляют очень малое полное сопротивление в то время, как очень короткий проводник с индуктивностью в единицы наногенри будет обладать для ЭСР высоким полным сопротивлением.
Ввиду этого наличие или отсутствие шин заземления, которые имеют высокое значение индуктивности, не вносит существенного влияния на реакцию системы или логической схемы на ЭСР.
При отсутствии каких – либо мер защиты печатных плат, рекомендуется формирование в слоях МПП отдельных “охранных” шин по всему периметру МПП. Эти шины, расположенные во всех слоях должны быть электрически объединены, не иметь каких – либо связей с другими цепями и отдельно соединяться с общей шиной заземления (корпусом) только в одной точке.

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
22
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 10 Защита от вторичных разрядов
Из-за конечного значения сопротивления и индуктивности различных внутренних и внешних связей с общей шиной заземления
(корпусом изделия) может возникнуть переходное напряжение между корпусом и схемой, узлом, элементом. Это обстоятельство осложняется тем, что корпус изделия, как правило, имеет внешние связи с общей шиной заземления в иной точке и через пути, отличные от заземления внутренней схемы. Это напряжение возникает как следствие первичного разряда, к числу которых можно отнести разряд молнии, электростатический разряд, и может происходить в непредсказуемых точках конструкции корпуса изделия.
Акцент на данном виде электрических разрядов обусловлен тем обстоятельством, что он может оказаться более разрушительным, и иметь больший уровень, чем первичный электрический разряд. Максимум значения этого напряжения на трассах печатной платы происходит в пределах резонансной структуры.
Снижение риска от такого внешнего воздействующего фактора возможно путем объединения корпуса (“чистой” шины заземления) с шиной GND модуля в одной (и только одной!) точке, в качестве которой обычно выступает шина заземления интерфейсов.
Кроме того, это предотвратит протекание высокочастотных токов
ЭМП через слой GND и насыщение его токами и гармониками ЭМП.
Запрещаются какие – либо другие соединения к заземлению интерфейса.
Если по каким – либо причинам необходима изоляция по постоянному току между этими шинами заземления, то рекомендуется применение керамических или полиэстровых конденсаторов
(22 – 330) нФ.

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
23
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 11 Снижение импульсных токов помех от работы логических элементов
Для снижения радиопомех, распространяющихся по шинам электропитания, применяют C, R-C и L-C звенья для фильтрации импульсных помех. Эти меры могут быть эффективны только при следующих условиях:
- шина GND имеет низкое значение индуктивности и полного сопротивления;
- элементы развязки устанавливаются в непосредственной близости от соответствующих выводов микросхемы;
- для микросхем, создающих наибольший уровень радиопомех по цепям электропитания(приемопередатчики, процессоры, контроллеры, ОЗУ и т.п.), рекомендуется в непосредственной близости от соответствующих выводов микросхемы устанавливать L-C звенья. При этом рекомендуется выделить отдельные шины +Vcc и GND для этих микросхем. Объединение с общей шиной +Vcc осуществлять на коммутационной плате; то же самое относится к трассам шины GND.

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
24
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 12 Снижение напряжения помех от индуктивных нагрузок
Наиболее яркими примерами генерации напряжения переходного процесса от индуктивных нагрузок являются: работа электромеханических реле, трансформаторов, электромоторов, при достаточно большой длине кабеля или жгута, которые обладают довольно большой распределенной индуктивностью, чтобы рассматриваться как преимущественно индуктивная нагрузка.
В момент прерывания тока, протекающего через индуктивную нагрузку, по закону самоиндукции происходит генерации напряжения переходного процесса, которое может быть существенным и вносить большой вклад в виде ЭМП, распространяющихся по цепям электропитания и излучения от контура электрических линий связи с индуктивной нагрузкой.
Для демпфирования переходного процесса применяют R-C цепи или варисторы, подключаемые параллельно индуктивной нагрузке. Наиболее распространенными способами демпфирования переходного процесса стало использование диодов или стабилитронов.
Важно, чтобы компоненты ограничителей переходных процессов устанавливались в непосредственной близости от индуктивной нагрузки и имели кратчайшую электрическую связь с ней. В противном случае промежуточный печатный и (или) объемный монтаж будет служить излучающей ЭМП петлей.

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
25
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 13 Критерии выбора компонентов для развязки по электропитанию
При выборе электронных компонентов для цепей развязки высокочастотных импульсных схем необходимо руководствоваться следующими факторами:
- для конденсаторов первостепенное значение имеет собственная индуктивность и индуктивность выводов, при этом значение емкости является второстепенным критерием;
- предпочтения следует отдавать конденсаторам в виде чипа, многослойным керамическим или пленочным полиэстровым конденсаторам;
- необходимо помнить, что верхняя граничная частота эффективной работы конденсатора ограничивается не только собственной индуктивностью и индуктивностью выводов, но и индуктивностью подходящего к нему проводника.
Для логических схем средней степени интеграции рекомендуются следующие параметры конденсаторов развязки по цепям электропитания:
- один танталовый конденсатор 22 мкФ на модуль для входа шин электропитания;
- один бескорпусной керамический конденсатор 1 мкФ на каждые 10 корпусов малой и средней степени интеграции;
- один бескорпусной керамический конденсатор 1 мкФ на каждые два-три корпуса большой степени интеграции;
- один керамический или полиэстровый конденсатор 22 нФ на каждый корпус малой и средней степени интеграции;
- один керамический или полиэстровый конденсатор 22 нФ на каждую шину электропитания для корпуса большой степени интеграции.
Минимальное значение емкости для двух последних пунктов можно рассчитать:
C=1,15*(ΔI * τ / ΔV) (Ф), где ΔI – динамический ток переключения (не путать со статическим выходным током лог.0 или лог.1);
τ – средняя длительность переключения логических уровней;

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
26
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158
ΔV – допустимая просадка напряжения питания на конденсаторе (как правило, приемлемым значением считают 0,2-0,25 В).
Дроссель, если он применен разработчиком схемы, лучше выполнить на небольшом кольце из феррита, чем применить серийно выпускаемый дроссель серии ДМ.
Настоятельно не рекомендуется необоснованное применение быстродействующей логики или отдельных микросхем с высоким быстродействием! Радость разработчика от созерцания на экране осциллографа крутых фронтов может обернуться большими проблемами помехоэмиссии, которые невозможно будет устранить в готовом изделии.

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
27
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 14 Снижение уровня помех от работы импульсных источников электропитания
По уровню помехоэмиссии импульсные источники электропитания яв- ляются одним из наиболее слабых звеньев в составе блока. Результаты лабораторных измерений уровня помехоэмиссии модуля МН-24 от
03.08.01г. наглядно показали, что модуль, при автономной работе без
ФРП на активную нагрузку, создает ЭМП в цепях первичного электропи- тания, превышающий нормируемые значения в диапазоне частот от
100 кГц до 21,95 МГц включительно.
Ниже приведен ряд специфических мероприятий, позволяющий сни- зить уровень помехоэмиссии импульсных источников электропитания:
- уменьшение емкостной связи между коллектором мощных ключевых каскадов преобразователя и корпусом (рамкой) модулей напряжений МН, на которых они закреплены, за счет увеличения толщины изолирующих прокладок. Для сохранения тепловых режимов прокладки можно выполнить в виде многослойной структуры, состоящей из чередующихся тонких слоев диэлектрика с хорошей теплопроводностью и металла.
Рекомендуется исключить емкостную связь между коллектором мощных ключевых каскадов преобразователя и корпусом (рамкой) модулей, снабдив их необходимым радиатором и разместив на расстоянии не менее
20 мм от информационных шин, шин электропитания и корпуса изделия;
- уменьшение площади контура силовых цепей и цепей с импульсным током;
- введение электростатического экрана между первичной и вторичной обмотками сетевого трансформатора для уменьшения паразитной емкостной связи между обмотками в импульсных источниках электропитания. По данным зарубежной печати такая мера позволяет снизить уровень радиопомех, распространяющихся через паразитную емкостную связь обмоток, на 40 дБ по сравнению с аналогичными трансформаторами без электростатического экрана;
- поузловое экранирование элементов силового контура;
- зашунтировать выпрямительные диоды преобразователя керамическими конденсаторами емкостью (620-1000) пф или установить

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
28
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 керамические конденсаторы того же номинала между корпусом и выпрямительными диодами;
- применение разделительных трансформаторов, обладающих низким значением емкостной связи между первичной и вторичной обмотками.
Исследования немецких и американских специалистов в области ЭМС свидетельствуют об ослаблении симметричных помех на 80 дБ и несимметричных – на 146 дБ при значении емкостной связи между обмотками примерно 0,005 пФ. Для серийно выпускаемых трансформаторов значение емкостной связи между первичной и вторичной обмотками составляет 300-500 пф;
- применение в преобразователе выпрямительных диодов с малым временем обратного восстановления;
- применение в преобразователе выпрямительных диодов, у которых: U обр.max >> U maх.б/с и
I пр.ср >> Iн, где U обр.max – максимальное обратное напряжение;
U maх.б/с – максимальное напряжение бортсети;
I пр.ср – средний прямой ток;
Iн – максимальный ток нагрузки.
Следует обратить внимание на то обстоятельство, что вышеуказанные мероприятия не являются исчерпывающими, и, для достижения позитивного результата, требуется учитывать положения других глав настоящего Руководства.

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
29
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 15 Требования к электропитанию быстродействующих схем
Для достижения положительных результатов в обеспечении ЭМС с использованием высокоскоростных схем и быстродействующей логики необходимо соблюдение ряда специфических требований.
К числу таких требований относятся:
- применение малошумящих источников электропитания с низкими пульсациями. Линейные источники стабилизированного напряжения с термокомпенсацией предпочтительны для питания высокоскоростных схем.
Импульсные стабилизированные источники в большинстве своем отвечают этим критериям, включая требования к пульсациям. Пульсации импульсных источников обычно описываются единицами среднеквадратического отклонения, а выбросы, создаваемые их работой, как правило, дают трудно фильтруемые, неконтролируемые броски напряжения амплитудой несколько сотен милливольт. Высокочастотные компоненты этих выбросов чрезвычайно трудно отфильтровать и не допустить в общий провод питания.
В тех случаях, когда для электропитания высокоскоростных схем и схем с быстродействующей логикой невозможно отказаться от импульсных источников электропитания, они должны быть тщательно экранированы и удалены насколько это возможно от остальных частей схемы, а их вторичные выходные напряжения подлежат в обязательном порядке хорошей фильтрации.

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
30
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 16 Помехоустойчивость аналоговых схем
Следует отметить, что аналоговые схемы в целом менее чувствительны к переходным процессам, чем цифровые, но они могут быть существенно восприимчивы к демодулированным радиочастотным излучениям. Это проявляется в первую очередь, как нелинейное смещение нулевого уровня постоянного тока.
При воздействии на вход аналоговой схемы радиочастотного сигнала, лежащего вне полосы пропускания, отклик цепи может быть либо – линейный, либо – нелинейный.
В первом случае уровень радиочастотного сигнала меньше порога, при котором преобразования остаются линейными и выходной сигнал не имеет каких – либо искажений.
Во втором случае уровень радиочастотного сигнала выше порога, при котором преобразования остаются линейными и выходной сигнал будет содержать дополнительно демодулированную (огибающую) как правило со значительными искажениями. В этом случае уже невозможно отделить полезный сигнал от сигнала помех. При всех равных условиях цепь, обладающая большим динамическим диапазоном, будет более устойчива.
Кроме того, емкостная нагрузка аналоговых схем вызывает сдвиг фазы выходного сигнала, что снижает фазовые границы устойчивости цепи обратной связи и, при определенных условиях, приводит к потере устойчивости и генерации. Емкостной характер нагрузки, который не учтен разработчиком – паразитные параметры МПП и подключенного жгута или кабеля. Этот жгут можно рассматривать как преимущественно емкостную нагрузку при длине трассы, превышающей четверть длины волны, которая распространяется в нем.
Пути повышения помехоустойчивости аналоговых цепей:
- минимизация полосы пропускания до необходимого и достаточного уровня;
- увеличение динамического диапазона входного уровня полезного сигнала;
- обеспечение хороших границ стабильной работы аналоговой цепи;

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
31
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158
- использование симметричных схем передачи сигналов для обеспечения эффективного подавления синфазной составляющей;
- возможно, гальваническая развязка особенно чувствительной части схемы;
- включение последовательно с входами операционных усилителей и компараторов резисторов с низким значением сопротивления. Совместно с входной емкостью это ослабит индуцированные напряжения помех, наведенные во входном тракте.
Если аналоговая схема близка к потере устойчивости, но фактически стабильна на данной фиксированной частоте, то это свидетельствует о наличии пика в ее АЧХ. Если внешний радиочастотный сигнал помехи совпадает с этим пиком, то ОУ реагирует на такое воздействие, возможно, вплоть до насыщения и, как следствие, подавление полезного сигнала.

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
32
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 17 Кабели, электрические соединители и их экранирование
Первостепенным требованием к заделке экранирующего слоя кабеля является обеспечение минимально возможного полного сопротивления при непосредственном электрическом подсоединении экрана к общей шине заземления или корпусу изделия.
Наилучший эффект достигается, когда экранирующий слой кабеля или жгута охватывается жесткой металлической скобой, выполненной из материала с высокой электропроводностью (медь, латунь), которая ох- ватывает жгут на 360º и припаивается к шине заземления и экранирую- щему слою кабеля.
Из-за конечного значения сопротивления различных точек заземления и параметров линий электрической связи с ними, заземление экранирующего слоя кабеля или жгута необходимо производить только с одной стороны. Это предотвратит протекание по экрану жгута токов, обусловленных разностью потенциалов различных точек заземления.
Исключение составляют жгуты и кабели большой (несколько метров) длины. Для таких длинных электрических линий рекомендуется гибридное заземление – с одной стороны такой линии заземление осуществляется непосредственно на общую шину заземления изделия, с другой стороны линии – соединение экранирующего слоя линии с общей шиной заземления осуществляется через керамический конденсатор малой емкости (0,22-0,47)нФ.
При длине линии электрической связи, соизмеримой с 0,25 минимальной длины волны рабочего диапазона возникает ток в экранирующем слое кабеля или жгута, обусловленный внешним электромагнитным воздействием радиочастотных помех.
В силу того, что в соответствии с требованиями ОСТ В1 02763-95 аппаратура и оборудование должны быть работоспособны в условиях воздействия электромагнитных полей частотой от 30 до 12000 МГц, практически весь внутриблочный электромонтаж, а также внешние жгуты и кабели будут длиннее 0,25 минимальной длины волны рабочего диапазона. Ток, протекающий в экранирующем слое электрической

Копировал
Формат А4
Подп. и да та

Инв. №
д убл.
Взам. инв
. №
Подп. и да та
Инв.№ п одл.
ВИДК.460009.008
Лист
33
Изм Лист
№ докум.
Подп. Дата
2-144 26.05.09 2-158 линии, имеет режим стоячих волн, которых нет во внешних соединениях.
Величина этого тока определяется волновым сопротивлением электрической линии, сформированной собственно кабелем, и возвратным током по шине заземления.
Для повышения эффективности экранирования жгутов, кабелей и других электрических цепей рекомендуется применение материалов с частотно-зависимыми свойствами на основе высокочастотных ферритов и токопроводящей ткани. Так, например, термоусаживающая экранирующая трубка типа SST импортного производства обеспечивает экранирование электрических цепей не хуже 60 дБ в частотном диапазоне от 500 кГц до 10 ГГц.
Кроме того, лишние, неиспользуемые электрические провода в жгуте, могут связать источник и приемник наводок. Все неиспользуемые электрические провода жгута должны быть металлизированы с корпусом аппаратуры.
В общем виде под эффективностью экранирования понимают отношение токов, напряжений, напряженностей электромагнитных полей в экранируемом пространстве или на конце фильтруемого электрического проводника при отсутствии и наличии экрана:
1   2   3   4


написать администратору сайта