РАДИОПРИЁМНЫЕ УСТРОЙСТВА. СПбгут) факультет радиотехнологий связи (ртс) Кафедра радиосвязи и вещания (РСиВ) дисциплина Радиоприёмные устройства

• Название: СПбгут) факультет радиотехнологий связи (ртс) Кафедра радиосвязи и вещания (РСиВ) дисциплина Радиоприёмные устройства
• Анкор: РАДИОПРИЁМНЫЕ УСТРОЙСТВА
• Дата: 15.04.2022
• Размер: 0.54 Mb.
• Имя файла: Yaichnikova_kp.docx
• Тип: Курсовой проект; #477367
• страница: 7 из 7

9. РАСЧЕТ ДЕТЕКТОРОВ РАДИОСИГНАЛОВ

Исходными данными для расчета всех детекторов являются:

- значение промежуточной частоты f_ПЧ;

- значения нижней (F_Н) и верхней (F_В) частот модуляции;

- допустимые амплитудные искажения на нижних и верхних частотах модуляции M_Н = M_В = 1.1...1.2;

- входное сопротивление (R_{ВХ УЗЧ}) и емкость (C_{ВХ УЗЧ}) выбранной ИМС УЗЧ (при отсутствии справочных данных можно принять C_{ВХ УЗЧ} = 20...30 пФ).

9.1. Расчет диодного детектора АМ сигнала

Принципиальная схема диодного АД приведена на рис.8.1. Для снижения искажений и улучшения фильтрации сопротивление нагрузки детектора разделено на две части (R₁ и R₂). Потенциометр R₂ является одновременно регулятором громкости.



Рис.9.1

Для расчета АМ детектора дополнительными исходными данными будут:

- нормальное и максимальное значения коэффициента модуляции m_Н = 0.3, m_МАКС = 0.9;

- значения прямого (r_ПР) и в обратного (r_ОБР) сопротивления выбранного диода. Если в справочной литературе отсутствуют сведения о r_ПР и r_ОБР, их можно приближенно определить, используя значения прямого и обратного токов и соответствующих напряжений:

Ом

Ом

Расчет детектора проводим для режима сильных сигналов. Выбираем сопротивление нагрузки детектора для постоянного тока R_ПТ = 10 кОм. Далее рассчитываем значения R₂ и R₁:





Рассчитываем сопротивление нагрузки детектора для переменного тока с частотой модуляции

Ом

Определяем входное сопротивление детектора



Выбираем емкость нагрузки детектора из двух условий:

- допустимых линейных искажений на максимальной частоте модуляции



- малых нелинейных искажений, обусловленных избыточной постоянной времени нагрузки детектора



Выбираем минимальное значение

Подбираем стандартные конденсаторы с емкостями:





Определяем емкость разделительного конденсатора, исходя из допустимых искажений в области нижних частот модуляции



Определяем коэффициент фильтрации напряжения промежуточной частоты элементами схемы детектора:

- фильтром, образованным R_{ВХ Д}, C₁



- фильтром, образованным R₁, C₂



- общий коэффициент фильтрации



Рассчитываем угол отсечки тока диода



и коэффициент передачи детектора



Оцениваем напряжение на входе УЗЧ на средних частотах модуляции



Рассчитываем требуемый коэффициент усиления УЗЧ




где U_{ВЫХ НОМ} - номинальное напряжение звуковой частоты на динамической головке, имеющей сопротивление R_ДГ.

Полученное меньше ИМС К174УН7. Следовательно, выбранная ИМС подходит по условию.

Обозначение	Название	Количество
Катушки индуктивности
L1, L4	Катушка индуктивности, 0.25 мкГн±5%	2
L2	Катушка индуктивности, 45 нГн±5%	1
L3	Катушка индуктивности, 0.31 мкГн±5%	1
L5	Катушка индуктивности, 62 нГн±5%	1
L6	Катушка индуктивности, 0.23 мкГн±5%	1
L7, L9	Катушка индуктивности, 0.23 мГн±5%	2
L8	Катушка индуктивности, 31 мкГн±5%	1
L10	Катушка индуктивности, 28 мкГн±5%	1
Резисторы
R1, R6, R12	Резистор, 44 кОм ±5%	3
R2, R7, R13	Резистор, 31 кОм ±5%	3
R3, R9, R14	Резистор, 120 Ом ±5%	3
R4, R10, R15	Резистор, 2500 Ом ±5%	3
R5	Резистор, 98 кОм ±5%	1
R8	Резистор, 400 Ом ±5%	1
R11, R16	Резистор, 40 кОм ±5%	2
R17	Резистор, 4 кОм ±5%	1
R18	Резистор, 6 кОм ±5%	1
R19	Резистор, 100 Ом ±5%	1
R20	Резистор, 56 Ом ±5%	1
R21	Резистор, 1 Ом ±5%	1
Конденсаторы
C1	Конденсатор, 2.6 пФ ±5%	1
C2	Конденсатор, 0.22 нФ ±5%	1
C3, С11	Конденсатор, 10 пФ ±5%	2
C4, С9, С12, С20, С21, С25, С26	Конденсатор, 0.7 нФ ±5%	7
C5, С7, С8, С10, С24	Конденсатор, 0.7 нФ ±5%	5
C6, С22, С29, С32	Конденсатор, 0.7 нФ ±5%	4
C13	Конденсатор, 0.12 нФ ±5%	1
C14	Конденсатор, 29 пФ ±5%	1
C15	Конденсатор, 0.11 мФ ±5%	1
C16	Конденсатор, 6 пФ ±5%	1
C17	Конденсатор, 5 пФ ±5%	1
C19, С28	Конденсатор, 500 пФ ±5%	2
C23, С27	Конденсатор, 11 мкФ ±5%	2
C30	Конденсатор, 0.96 нФ ±5%	1
C31	Конденсатор, 0.95 нФ ±5%	1
C33, С35, С41	Конденсатор, 100 мкФ ±5%	3
C34	Конденсатор, 500 мкФ ±5%	1
C36	Конденсатор, 2700 пФ ±5%	1
C37	Конденсатор, 510 пФ ±5%	1
C38	Конденсатор, 100 мкФ ±5%	1
C39	Конденсатор, 0.1 мкФ ±5%	1
C40	Конденсатор, 1 мФ ±5%	1
Микросхемы
DA1	ИМС К174ПС1	1
DA2	ФСИ	1
DA3	ИМС К174УН7	1
DA4	Стабилизатор	1
T1	Понижающий трансформатор	1
VM1	Выпрямитель	1
VT1, VT2, VT3	Биполярный транзистор КТ-315	3
VD1, VD2, VD3	Варикапная матрица КВС120А	3
VD4	Диод ГД402А.	1