Статьи. 1. Объем. Характеризуется числом бит или байт, которое может храниться в зу. Увеличение объема связано с установкой дополнительных модулей. Быстродействие
 Скачать 456.59 Kb.
|
|
Характеристиками основной памяти являются: 1. Объем. Характеризуется числом бит или байт, которое может храниться в ЗУ. Увеличение объема связано с установкой дополнительных модулей. 2. Быстродействие. Характеризуется обычно тремя параметрами: – временем доступа (интервалом времени от начала поступления адреса до момента, когда данные перемещены в память или стали доступными) ; – длительностью цикла памяти или периодом обращения – для памяти с произвольным доступом это минимальное время между двумя последовательными обращениями к памяти. Для группового обмена характерно, что при каждом обращении к памяти для считывания первого слова необходимо больше времени, чем для последующих. Так, при использовании динамической памяти FPM DRAM на 60-70 нс каждое обращение к памяти в групповом режиме описывается формулой 7-3-3-3, т. е. для обработки первого слова необходимо 7 тактов (в течение 6 из которых системная магистраль простаивает), а для обработки следующих трех слов по 3 такта, по 2 из которых СМ простаивает. – скоростью передачи – скоростью, с которой данные могут передаваться в память и из нее.  3. Пропускная способность. Интегральная характеристика производительности ОЗУ с учетом частоты и разрядности. Измеряется в мегабайтах в секунду. На производительность ЭВМ влияет не только время доступа, но и такие параметры (связанные с ОЗУ), как тактовая частота и разрядность шины данных системной магистрали. Если тактовая частота недостаточно высока, то ОЗУ простаивает в ожидании обращения. При тактовой частоте, превышающей возможности ОЗУ, в ожидании будет находиться системная магистраль, через которую поступил запрос в ОЗУ. Разрядность шины данных (8, 16, 32 или 64 бита). Тайминги памяти типа DDR SDRAM 266/333/400 248 определяет длину информационной единицы, которой можно обменяться с ОЗУ за одно обращение. Для оперативной памяти с временем доступа 60 - 70 нс и разрядностью шины данных 64 бит максимальная (теоретическая) пропускная способность при тактовой частоте СМ 50 МГц составляет 400 Мбайт/с (50 МГц х 8 байт (64 разряда)). 66 МГц 528 Мбайт/с (в режиме группового обмена, реализуемом, например при прямом доступе к памяти), при 800 МГц – 6,4 Гбайт/с и т.д. 4. Метод доступа к данным. Эта характеристика, в свою очередь, подразделяется: – на произвольный доступ – доступ, который осуществляется не к записям (блокам информации), а к отдельной ячейке памяти по уникальному только для нее адресу; обращение к любой ячейке занимает одинаковое время и в любой очередности. Пример – основная память; – ассоциативный доступ, использующийся для поиска ячеек памяти, информация в которых совпадает с некоторым образцом (состоянием бит в одноименных разрядах). Пример – варианты организации кэш-памяти. ПЗУ – постоянное запоминающее устройство. Обычно содержит такую информацию, которая не должна меняться в ходе выполнения процессором различных программ. Постоянная память имеет также название ROM (Read Only Memory), которое указывает на то, что обеспечиваются только режимы считывания и хранения. Постоянная память энергонезависима, т.е. может сохранять информацию и при отключенном питании. Однако некоторые виды ПЗУ, например микросхема BIOS, являются условно энергонезависимыми, т.е. они имеют внешнее питание от батареи или аккумулятора. ОЗУ – оперативное запоминающее устройство – это память в которой размещаются данные, подлежащие непосредственной обработке процессором. Она может иметь несколько иерархических уровней. Этот вид памяти называют также памятью с произвольным доступом (Random Access Memory, RAM). В настоящее время наибольшее распространение получили два вида ОЗУ: SRAM (Static RAM) и DRAM (Dynamic RAM). ППЗУ (Programmable ROM – программируемое ПЗУ). Информация записывается пользователем однократно. Первыми такими ПЗУ стали микросхемы памяти на базе плавких предохранителей. Для записи информации требуется специальное устройство – программатор. Занесение информации в PROM производится электрическими сигналами путем пережигания отдельных перемычек импульсами усиленного тока. Такие микросхемы применялись для хранения кодов в BIOS и в графических адаптерах. Они не чувствительны к электромагнитному полю и несанкционированное изменение их содержимого исключено. Компьютерный блок питания для настольного персонального стандарта PC согласно спецификации ATX 2.x должен обеспечивать выходные напряжения ±5, ±12, +3,3 В, а также +5 В дежурного режима. |