ответы прикладная электроника. 1. Раскройте работу диодного и транзисторного ключа в импульсных преобразователях. 3
 Скачать 2.95 Mb.
|
Оглавление1. Раскройте работу диодного и транзисторного ключа в импульсных преобразователях. 3 2. Составьте классификацию и назначение выпрямительных устройств. 4 3. Составьте классификацию интегральных микросхем (ИМС). 5 По степени интеграции 5 По технологии изготовления 5 По виду обрабатываемого сигнала 6 4. Перечислите основные виды тиристоров, назовите их особенности. 6 5. Перечислите основные параметры полупроводниковых диодов. 7 6. Перечислите основные показатели электронных усилителей. 8 7. Перечислите основные свойства операционных усилителей. 9 8. Перечислите основные свойства триггера. 9 9. Перечислите основные типы логических элементов. 10 10. Перечислите характеристики полупроводниковых диодов. 11 11. Раскройте особенности вентильных преобразователей типа выпрямителей. 11 12. Раскройте особенности вентильных преобразователей типа инверторов. 12 13. Раскройте особенности конструкций полупроводниковых диодов. 13 14. Раскройте особенности логической схемы отрицания НЕ - инвертор. 14 15. Особенности логической схемы ИЛИ. 15 16. Раскройте особенности работы операционных усилителей. 16 17. Раскройте особенности полевых транзисторов. 16 Полевые транзисторы являются полупроводниковыми приборами. Особенностью их является то, что ток выхода управляется электрическим полем и напряжением одной полярности. Регулирующий сигнал поступает на затвор и осуществляет регулировку проводимости перехода транзистора. Другим отличительным свойством полевого транзистора является образование электрического тока основными носителями одной полярности. 16 17 18. Раскройте принцип работы полевого транзистора и его особенности. 17 Электрод управления полевым транзистором в электронике получил название затвора. Его переход выполняют из полупроводника с любым видом проводимости. Полярность напряжения управления может быть с любым знаком. Электрическое поле определенной полярности выделяет свободные электроны до того момента, пока на переходе не закончатся свободные электроны. Это достигается воздействием электрического поля на полупроводник, после чего величина тока приближается к нулю. В этом заключается действие полевого транзистора Главной особенностью полевых транзисторов является значительная величина сопротивления входа 17 17 19. Раскройте области применения полупроводниковых диодов. 17 20. Раскройте принцип работы LC генератора на биполярном транзисторе. 18 21. Раскройте принцип работы LR генератора на биполярном транзисторе. 18 Упрощенно биполярный транзистор, как известно, можно представить в виде двух р-n переходов (эмиттерного и коллекторного) с общей тонкой базовой областью (на рис.1,а показано на примере n-р-n структуры). 18 Транзисторы выполняются по планарной технологии, при которой площадь коллекторного перехода оказывается в (3...5) раз больше площади эмиттерного перехода (см. рис. 1,б). Избыточная площадь создает так называемую пассивную часть коллекторного перехода. Во-вторых, для современных генераторных транзисторов характерны низкие входные и нагрузочные сопротивления, измеряемые единицами и даже долями Ом. При этом на частотах в сотни МГц и более сильно сказываются индуктивности выводов транзисторов. Для их снижения выводы делаются в виде штырьков или полосок, а для снижения индуктивности общего вывода (по отношению к входной и выходной цепям генератора) его выполняют в виде нескольких полосок (до двух-четырех), либо непосредственно соединяют с корпусом прибора. Все это позволяет снизить индуктивности до единиц и десятых долей наногенри. 18 В третьих, в ГТ необходимо снижать тепловое сопротивление переход-корпус Rt пк (до единиц градусов на ватт). Для этого кристалл транзистора приклеивают к корпусу прибора через беррилиевую керамику, обладающую малым тепловым сопротивлением и хорошими изоляционными свойствами по постоянному и переменному токам. Корпус транзистора обычно имеет сравнительно малые размеры. Поэтому тепловое сопротивление корпус - среда Rt кс очень велико (оно даже не указывается в справочных данных). Из-за большой величины Rt кс транзистор необходимо устанавливать на специальный теплоотвод – радиатор, а в некоторых случаях применять принудительное воздушное охлаждение радиатора. Для уменьшения теплового сопротивления корпус-радиатор транзистор конструктивно выполняют в виде болта, фланца и т.д., чтобы его можно было плотно, без зазора, крепить к радиатору. Конструктивные особенности ГТ необходимо учитывать как при анализе его работы, так и при составлении эквивалентной схемы. 19 19 22. Раскройте принцип работы импульсных устройств. 19 К импульсным устройствам относятся функциональные узлы, предназначенные для создания импульсных сигналов требуемой формы и выполнения над ними различных операций и преобразований (интегрирования, дифференцирования, задержки во времени, изменения формы, селекции по амплитуде, длительности и др.), а также для измерения параметров электрических импульсов. 19 Импульсными сигналами принято называть электрические колебания, существующие в пределах конечного отрезка времени. При этом различают видеоимпульсы uB(t) и радиоимпульсы, для которых видеоимпульс мв(/) является огибающей, а гармоническая функция U cos (со/ + ср) — высокочастотным заполнением. В дальнейшем основное внимание уделено импульсным устройствам формирования и преобразования видеоимпульсов. 19 Импульсный режим работы электронного устройства характерен резкими изменениями токов и напряжений. При этом в промежутках времени между этими изменениями токи и напряжения меняются сравнительно мало. Импульсный режим широко используется в устройствах как силовой, так и информативной электроники. 20 23. Раскройте принцип работы фотоэлементов. 20 Принцип работы фотоэлементов основан на просвечивании зоны проезда тонким лучом, выходящим из передатчика с одной стороны проезда и попадающим в приемник с другой стороны проезда. Если этот луч прерывается любым объектом, автоматика останавливает движение или начинает движение в обратную сторону. 20 24. Раскройте работу мультивибратора на биполярных транзисторах. 20 Это устройство находится в одном из двух противоположных нестабильных состояний и периодически переходит из одного в другое и снова обратно. Фаза перехода довольно мала относительно большой длительности нахождения в состояниях за счет положительной обратной связи (ПОС), которая охватывает два каскада усиления. 20 25. Раскройте принцип работы триггера. 21 26. Раскройте методику расчета каскада на биполярном транзисторе. 21 27. Раскройте работу сглаживающих фильтров в маломощных выпрямителях. 23 28. Раскройте способы управления тиристорами. 26 29. Раскройте работу стабилитронов и их применение. 28 30. Раскройте типовые схемы выпрямления переменного тока. 29 31. Перечислите типы полевых транзисторов. 31 32. Раскройте работу усилительного каскада по схеме с общим коллектором (эмиттерного повторителя). 32 33. Перечислите условные графические обозначения на электронных схемах полупроводниковых диодов и тиристоров. 32 34. Раскройте устройство биполярного транзистора. 33 35.Раскройте устройство и принцип действия оптронов. 34 36. Раскройте устройство и принцип действия фототиристоров. 36 37. Раскройте устройство полевого транзистора. 37 38. Раскройте устройство фотоприемников с внешним фотоэффектом. 37 39. Раскройте физические процессы в полупроводниках. 38 40. Раскройте цветовую маркировку отечественных и зарубежных конденсаторов. 38 41. Раскройте цветовую маркировку отечественных и зарубежных резисторов. 39 Цветовая маркировка резисторов с 5-ю полосами. Цвет первых трех полос означает цифры сопротивления. Четвертая полоса означает множитель в виде степени десяти, на который надо умножить число, состоящее из первых трех цифр. Пятая полоса означает точность резистора в процентах Цветовая маркировка резисторов с 4-мя полосами. Цвет первых двух полос означает первые цифры сопротивления. Третья полоса означает множитель в виде степени десяти, на который надо умножить число, состоящее из первых двух цифр. Четвертая полоса означает точность резистора в процентах. 40 42. Раскройте цветовую маркировку отечественных и зарубежных транзисторов. 41 42 42 43. Раскройте порядок работы цифровых микросхем и их использование. 43 44. Дать определение и раскрыть принцип работы ТТЛ. 44 45. Дать определение и раскрыть принцип работы ДТЛ. 45 46. Дать определение и раскрыть принцип работы ЭСЛ. 46 47. Раскрыть порядок формирования цифрового сигнала. 47 49. Раскрыть принцип построения КМОП элементов. 48 50. Перечислить базовые логические элементы, дать характеристику параметров цифровых микросхем. 49 51. Раскрыть принцип действия интегрирующей RC-цепи, интегрирование импульсной последовательности. 49 52. Раскрыть принцип действия мультиплексора. 50 53. Раскройте работу силовых диодов и их основные параметры. 51 54. Перечислите характеристики полупроводниковых триодов. 52 Основные характеристики триодов 52 Проводимость транзистора 52 Коэффициент усиления по току 52 Обратный коллекторный ток 52 Обозначения и индексы 52 Максимальное допустимое обратное напряжение между коллектором и базой 52 Максимальное допустимое значение напряжения между эмиттером и базой 53 Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером 54 Максимальная рассеиваемая мощность 54 Максимальный допустимый коллекторный ток 54 Граничная частота передачи тока 55 55. Перечислите и раскройте свойства операционных усилителей. 55 56.(36) Раскройте основные положения расчёта каскада на биполярном транзисторе. 56 57. Дать определение и раскрыть принцип работы схем на И2Л. 56 58. Раскройте принцип работы мультивибратора на биполярных транзисторах. (24) 56 |