Ответы. 3. 4 Внешняя (выходная) характеристика выпрямителя
 Скачать 0.73 Mb.
|
|
9 вопрос принципиальное отличие запираемого тиристора от обычных тиристоров – полную управляемость. Благодаря воздействию тока от управляющего электрода, запираемые тиристоры могут как переходить в открытое состояние из закрытого, так и в обратном направлении – из открытого в закрытое. Для этого на управляющий электрод подается напряжение, обратное тому, которое вызвало открытие тиристора. 12. Полевые транзисторы разделяются на два типа – полевой транзистор с управляющим PN-переходом и полевой транзистор с изолированным затвором Полевой транзистор с изолированным затвором – это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление (у некоторых моделей оно достигает 1017 Ом). Принцип работы этого типа полевого транзистора, как и полевого транзистора с управляющим PN-переходом, основан на влиянии внешнего электрического поля на проводимость прибора. Тиристоры Тиристор – это полупроводниковый прибор, который изготавливается на основе монокристаллического полупроводника, имеющего три (и более) p-n-перехода. Тиристор характеризуются наличием двух устойчивых состояний: закрытый – полупроводник находится в состоянии низкой проводимости, ток практически не протекает открытый – полупроводник в состоянии высокой проводимости, ток проходит через элемент фактически без ограничений Различают: диодные тиристоры (динисторы). Их открывание происходит за счет подачи импульса высокого напряжения между анодом и катодом. триодные тиристоры (тринисторы). Их открывают подачей управляющего тока на управляющий электрод. Другие важные параметры Ток удержания Ток отпирания Отпирающий ток управляющего электрода Отпирающее напряжение на управляющем электроде Максимальное прямое напряжение в закрытом состоянии Обозначение  Тиристоры. Типы, виды, особенности, применение, классификация. Характеристики, параметры. Симистор, тринистор, динистор, триак, диак. Обозначение A1 - запираемый тиристор с управлением по катоду, A2 - запираемый тиристор с управлением по аноду, A3 - динистор, A4 - запираемый симистор, A5 - незапираемый тиристор с управлением по катоду, A6 - незапираемый тиристор с управлением по аноду, A7 - симметричный динистор (диодный симистор), A1 - незапираемый симистор. Тиристоры относятся к приборам, управляемым силой тока. Так что снятие вольт-амперной характеристики производится путем задания силы тока анод - катод тиристора с некоторым шагом и измерения напряжения на нем.  Как мы видим из графика, постепенное увеличение силы тока через динистор от нуля приводит к постепенному росту напряжения на нем, пока сила тока не достигает тока отпирания (Io). При этом напряжение на динисторе становится равным напряжению отпирания (Uo). Участок графика от нулевого значения силы тока до Io отражает закрытое состояние динистора. Когда сила тока превышает Io, напряжение на динисторе начинает снижаться. Таким образом наблюдается отрицательное сопротивление, то есть рост электрического тока через элемент на этом участке приводит к снижению падения напряжения на нем. Этот участок графика называется участком с отрицательным сопротивлением. Тиристоры относятся к приборам с отрицательным сопротивлением с характеристикой S - типа. Когда сила тока достигает тока удержания (Ih), то напряжение становится равным напряжению запирания (Uc). Это напряжение еще называют напряжением насыщения при токе удержания. Далее рост силы тока через динистор приводит к росту напряжения на нем по логарифмическому закону. Параметры тиристоров Uвкл (напряжение включения) – напряжение, при котором происходит переход тиристора в открытое состояние Uo6p.max – импульсное повторяющееся обратное напряжение – значение напряжения, при котором происходит электрический пробой. Для большинства тиристоров справедливо равенство Uo6p.max. = Uвкл максимально допустимое значение тока среднее значение тока за период Unp - значение прямого падения напряжения при открытом тиристоре, колеблется в пределах 0,5 - 1В обратный максимальный ток – ток, появляющийся при приложении обратного напряжения, за счет движения неосновных носителей ток удержания – значение анодного тока, при котором происходит закрытие тиристора максимальная мощность время отключения – время, необходимое для закрывания тиристора предельная скорость, с которой происходит нарастание анодного тока Биполярный транзистор - электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзистор называется биполярный, поскольку в работе прибора одновременно участвуют два типа носителей заряда – электроны и дырки. Этим он отличается от униполярного (полевого) транзистора, в работе которого участвует только один тип носителей заряда. Принцип работы обоих типов транзисторов похож на работу водяного крана, который регулирует водяной поток, только через транзистор проходит поток электронов. У биполярных транзисторов через прибор проходят два тока - основной "большой" ток, и управляющий "маленький" ток. Мощность основного тока зависит от мощности управляющего. У полевых транзисторов через прибор проходит только один ток, мощность которого зависит от электромагнитного поля. В данной статье рассмотрим подробнее работу биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора В соответствии уровням напряжения на электродах транзистора, различают четыре режима его работы: Режим отсечки (cut off mode). Активный режим (active mode). Режим насыщения (saturation mode). Инверсный ражим (reverse mode ). Режим отсечки Когда напряжение база-эмиттер ниже, чем 0.6V - 0.7V, PN-переход между базой и эмиттером закрыт. В таком состоянии у транзистора отсутствует ток базы. В результате тока коллектора тоже не будет, поскольку в базе нет свободных электронов, готовых двигаться в сторону напряжения на коллекторе. Получается, что транзистор как бы заперт, и говорят, что он находится в режиме отсечки. Активный режим В активном режиме напряжение на базе достаточное, для того чтобы PN-переход между базой и эмиттером открылся. В этом состоянии у транзистора присутствуют токи базы и коллектора. Ток коллектора равняется току базы, умноженном на коэффициент усиления. Т.е активным режимом называют нормальный рабочий режим транзистора, который используют для усиления. Режим насыщения Иногда ток базы может оказаться слишком большим. В результате мощности питания просто не хватит для обеспечения такой величины тока коллектора, которая бы соответствовала коэффициенту усиления транзистора. В режиме насыщения ток коллектора будет максимальным, который может обеспечить источник питания, и не будет зависеть от тока базы. В таком состоянии транзистор не способен усиливать сигнал, поскольку ток коллектора не реагирует на изменения тока базы. В режиме насыщения проводимость транзистора максимальна, и он больше подходит для функции переключателя (ключа) в состоянии «включен». Аналогично, в режиме отсечки проводимость транзистора минимальна, и это соответствует переключателю в состоянии «выключен». Инверсный режим В данном режиме коллектор и эмиттер меняются ролями: коллекторный PN-переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный – в обратном. В результате ток из базы течет в коллектор. Область полупроводника коллектора несимметрична эмиттеру, и коэффициент усиления в инверсном режиме получается ниже, чем в нормальном активном режиме. Конструкция транзистора выполнена таким образом, чтобы он максимально эффективно работал в активном режиме. Поэтому в инверсном режиме транзистор практически не используют. Основные параметры биполярного транзистора. Коэффициент усиления по току – соотношение тока коллектора IС к току базы IB. Обозначается β, hfe или h21e, в зависимости от специфики расчетов, проводимых с транзисторов. β - величина постоянная для одного транзистора, и зависит от физического строения прибора. Высокий коэффициент усиления исчисляется в сотнях единиц, низкий - в десятках. Для двух отдельных транзисторов одного типа, даже если во время производства они были “соседями по конвейеру”, β может немного отличаться. Эта характеристика биполярного транзистора является, пожалуй, самой важной. Если другими параметрами прибора довольно часто можно пренебречь в расчетах, то коэффициентом усиления по току практически невозможно. Входное сопротивление – сопротивление в транзисторе, которое «встречает» ток базы. Обозначается Rin (Rвх). Чем оно больше - тем лучше для усилительных характеристик прибора, поскольку со стороны базы обычно находиться источник слабого сигнала, у которого нужно потреблять как можно меньше тока. Идеальный вариант – это когда входное сопротивление равняется бесконечность. Rвх для среднестатистического биполярного транзистора составляет несколько сотен КΩ (килоом). Здесь биполярный транзистор очень сильно проигрывает полевому транзистору, где входное сопротивление доходит до сотен ГΩ (гигаом). Выходная проводимость - проводимость транзистора между коллектором и эмиттером. Чем больше выходная проводимость, тем больше тока коллектор-эмиттер сможет проходить через транзистор при меньшей мощности. Также с увеличением выходной проводимости (или уменьшением выходного сопротивления) увеличивается максимальная нагрузка, которую может выдержать усилитель при незначительных потерях общего коэффициента усиления. Например, если транзистор с низкой выходной проводимостью усиливает сигнал в 100 раз без нагрузки, то при подсоединении нагрузки в 1 КΩ, он уже будет усиливать всего в 50 раз. У транзистора, с таким же коэффициентом усиления, но с большей выходной проводимостью, падение усиления будет меньше. Идеальный вариант – это когда выходная проводимость равняется бесконечность (или выходное сопротивление Rout = 0 (Rвых = 0)). Частотная характеристика – зависимость коэффициента усиления транзистора от частоты входящего сигнала. С повышением частоты, способность транзистора усиливать сигнал постепенно падает. Причиной тому являются паразитные емкости, образовавшиеся в PN-переходах. На изменения входного сигнала в базе транзистор реагирует не мгновенно, а с определенным замедлением, обусловленным затратой времени на наполнение зарядом этих емкостей. Поэтому, при очень высоких частотах, транзистор просто не успевает среагировать и полностью усилить сигнал |