|
|
ОЭТ СЕССИЯ 26.12.2022 85+ аламыз АУМИН!!. 3. Что такое двойной электрический слой
1. Что такое диффузия? Самопроизвольное взаимное проникновение молекул одного вещества в промежутки между молекулами другого
2. Что такое инжекция носителей в полупроводнике? Движение носителей за счет разности концентраций
3. Что такое двойной электрический слой?
Двойной электрический слой — слой ионов, образующийся на поверхности твёрдого тела в результате адсорбции ионов из раствора, диссоциации поверхностного соединения или ориентирования полярных молекул на границе раздела фаз. Ионы, непосредственно связанные с поверхностью, называются потенциалопределяющими
4. Что такое электронная эмиссия?
Электронная эмиссия — явление испускания электронов из твёрдых тел или жидкостей.
5. Что не относится к электронной эмиссии?
Излагаются основные типы эмиссионных процессов: термоэлектронная эмиссия и эмиссия “горячих” электронов, фотоэлектронная эмиссия, вторичная электронная и ион-электронная эмиссии, автоэлектронная и взрывная эмиссии. Который нету в них не относится к электронной эмиссий
6. По какой траектории двигается электрон в магнитном поле?
Электроны в магнитном поле катушки описывают винтовые траектории, и проекции этих траекторий на плоскость, перпендикулярную магнитному полю, являются окружностью, если электроны имеют радиальную составляющую скорости.
7. Что такое ударная ионизация?
Уда́рная иониза́ция — физическое явление в полупроводниках, при котором увеличивается число ионов и электронов в промежутке за счет столкновения электронов с повышенной энергией с нейтральными молекулами. При каждом акте ионизации затрачивается некоторая энергия ионизации, значения которой зависят от типа молекул вещества.
8. Какова ширина запрещенной зоны у полупроводников?
Ширина запрещённой зоны
более 3 эВ — широко зонными полупроводниками. для возникновения электронно-дырочной пары не требуется энергия — поэтому концентрация носителей (а с ней и электропроводность вещества) оказывается отличной от нуля при сколь угодно низких температурах, как в металлах.
9. Какова электропроводность у полупроводников?
Обычно к полупроводникам относятся кристаллы, в которых для освобождения электрона требуется энергия не более 1,5—2 эВ. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью. Природа этой связи позволяет объяснить указанные выше характерные свойства.
10. По какому закону возрастает концентрация свободных электронов с увеличением температуры?
Уревень Ферми
11. Какова ширина запрещенной зоны у германия?
Ширина запрещенной зоны германия равна 0 665 эВ при 300 К и изменяется с температурой по закону АИ7 ( Т) ДИ / ( ЗООК) - ( Т - ЗООК) где / 3 - 3 9 10 - - 4 эВ / К. [1]
При ширине запрещенной зоны германия 0 72 эв число собственных носителей тока в нем при комнатной температуре составляет величину порядка 1013 слг3, в то время как примеси, составляющие тысячную долю процента, но обладающие малой энергией активации ( w), вносят в него в десятки тысяч раз большее количество свободных зарядов. Поэтому для закономерного управления электропроводностью полупроводников с помощью вводимых примесей основной полупроводник должен быть предварительно тщательно очищен от случайных примесей. Это удается осуществить, вытягивая крупные монокристаллы полупроводника из расплава и подвергая их очистке методом перемещающейся зонной плавки и перекристаллизации.
12. Что такое генерация зарядов?
Генерация носителей заряда в полупроводниках - появление электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Генерация носителей заряда в полупроводниках происходит под действием теплового движения атомов кристаллич. решётки (тепловая генерация), а также внеш. факторов - освещения (оптич. генерация), облучения потоками частиц, сильных электрич. полей и др.
13. Что такое рекомбинация носителей заряда?
Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда (электрона и дырки) в среде с выделением энергии.
14. Что определяет скорость рекомбинации носителей заряда?
15. От чего зависит удельная электропроводность полупроводника?
От чего сильно зависит удельная проводимость полупроводников? Ответ. Удельная проводимость полупроводников зависит от вида и количества содержащихся в них примесей и дефектов. Для них характерна чувствительность к свету, электрическому и магнитному полю, радиационному воздействию, давлению и др.
16. Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике п- типа?
Электроны в полупроводнике n-типа называют основными носителями, а дырки — неосновными, в полупроводнике p-типа соответственно наоборот.
17. За счет чего происходит диффузия носителей в полупроводнике?
ДИФФУ́ЗИЯ НОСИ́ТЕЛЕЙ ЗАРЯ́ДА в полупроводниках, перемещение носителей заряда (электронов проводимости и дырок), обусловленное неоднородностями их концентрации. В результате Д. н. з. в полупроводниках возникает электрич. ток (т. н. диффузионный ток) плотностью j=eDn∇n−eDp∇p, где e – заряд электрона, n и p – концентрации электронов проводимости и дырок, Dn и Dp – их коэф. диффузии. Д. н. з. в полупроводниках, обладающих носителями одного знака, сопровождается появлением объёмного заряда и электрич. поля. В результате возникает дрейф носителей заряда
Всегда причиной диффузии является неодинаковость концентрации частиц, а сама диффузия совершается за счет собственной энергии теплового движения частиц.
18. Что такое диффузионная длина?
ДИФФУЗИОННАЯ ДЛИНА в полупроводниках (L), расстояние, на к-ром избыточная концентрация Δn неравновесных носителей заряда в процессе диффузии в отсутствие внеш. электрич. поля уменьшается вследствие рекомбинации в е раз (е — основание натурального логарифма).
19. За счет чего возникает дрейфовый ток в полупроводнике?
При помещении полупроводника в электрическое поле напряженностью Е на хаотическое движение носителей зарядов накладывается составляющая направленного движения. Направленное движение носителей зарядов в электрическом поле обусловливает появление тока, называемого дрейфовым или током проводимости.
20. В каком направлении перемещаются дырки через р-п переход за счет электрического поля?
Из n-области в p-область
21. За счет чего возникает диффузионный ток в полупроводнике?
Диффузионный ток вызывается неравномерным распределением носителей заряда в полупроводнике. Диффузионный ток возникает под воздействием таких факторов, как свет, радиация, градиент температуры.
22. Что такое эффект Пуля?
По мере увеличения напряженности электрического поля в полупроводнике происходят разные физические явления, которые зависят от его величины. В сильных полях, порядка 10⁵ В/м, происходит вырывание полем носителей заряда из связей и ударная ионизация атомов электронами - эффект Пуля (Пула-Френкеля). из книги 18 страница
23. Что такое эффект Зинера?
Электростатическая ионизация атомов
24. Что такое эффект Штарка?
Расщепление энергетических уровней
25. Что такое эффект Ганна?
явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока
26. При каких условиях напряженности электрического поля возникает эффект Зинера?
Е>107
27. К каким эффектам относится эффект Холла?
К электрогальваническим
28. Какой эффект возникает в переходе Шоттки?
Эффект, электрическая пода
29. Что вызывает экстракцию основных носителей в р-п-р переходе?
30. Что такое эффект эрли?
Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения
31. Поле объемного заряда в области пространственного заряда в п-р переход образуется:
электрическое поле
32. Потенциальный барьер р-n перехода, это
33. Какой емкостью р-п перехода можно управлять величиной обратного напряжения?
Барьерной
34. Как выглядят диоды?
35. Какой вид имеет р-п переход у диода Шоттки?
36. Какому диапазону соответствует излучение с длиной волны 0,01...0,4 мкм?
Ультрафиолетовое излучение
37. Что такое внешний или внутренний фотоэффект?
Явление испускания веществом электронов под действием излучения называют внешним фотоэффектом. Испускание веществом каких-либо частиц называют эмиссией. Поэтому внешний фотоэффект называют фотоэлектронной эмиссией
38. Что не относится к статическим параметрам диода?
Предельная частота
39. Что относится к динамическим параметрам диода?
Предельная частота
40. Укажите вольтамперную характеристику туннельного диода.
41. Укажите схему включения стабилитрона в параметрическом стабилизаторе напряжения.
42. Как изменяется барьерная емкость?
Уменьшается
43.Выберите в схеме включения транзистора минимальное выходное
сопротивление. С ОК
44. Чему равен параметры.
45. Укажите схему включения транзистора типа п-р-п с 03
46. Какому режиму соответствуют точки пересечения вольт амперных характеристики
фотодиода с осью ординат? Режим короткого замыкания
47. Увеличение толщины обеднённого слоя происходит вследствие: Барьерная емкость
48. В какой схеме включения с ОБ или ОЭ коэффициент прямой передачи тока
сильнее зависит от частоты? В схеме с ОЭ
49. В какой схеме включения транзистора минимальное выходное сопротивление? С ОК
50. В какой схеме включения транзистора можно получить усиление тока? В схеме с ОЭ и с ОК
51. Какой из транзисторов, дрейфовый или без дрейфовый, обладает лучшими
высокочастотными свойствами? рейфовый
52. На чем основано управление током в полевом транзисторе с управляющим
переходом? на изменении ширины перехода и сечения канала при изменении входного напряжения
53.Укажите какое напряжение возникает на фотодиоде в вентильном режиме его
работы? Плюс в p-области и минус в n-области
54. Чем объясняются лучшие высокочастотные свойства дрейфового
транзистора? Большей скоростью движения неосновных носителей через базу под действием электрического поля
55. Какая из областей фототранзистора должна освещаться, чтобы изменялся ток через фототранзистор? Только при освещении базы, т. к. база является «ловушкой» для носителей;
56. Какое свойство р-n перехода положено в основу работы стабилитрона? Лавинный пробой
57. Как происходит управление моментом переключения тиристора? С помощью введения носителей в базовые области
58. Зависит ли сечение канала от величины напряжения Uзи полевого
транзистора? Зависит, т. к. падение напряжения в канале определяет напряжение на переходе, а также его ширину
59. Что такое вентильный режим фотодиода? Режим освещенного фотодиода без источника напряжения во внешней цепи
60. Укажите условное обозначение однопереходного транзистора. 
61. Укажите определение крутизны сток затворной характеристики полевого транзистора.
 
62.Укажите условное обозначение полевого транзистора с изолированным затвором и п-типа.
63. Эффект — Эрли-это влияние обратного напряжения на коллекторном переходе биполярного транзистора, работающего в активном линейном режиме на токи биполярного транзистора.
64. Спад амплитудно-частотной характеристики усилителя низких частот УНЧ на
низких частотах объясняется?
65. Течет ли ток через фотодиод при отсутствии светового потока при обратном
смещении? При отсутствии светового потока ток через фотодиод не течет
66. Спад амплитудно-частотной характеристики усилителя низких частот УНЧ на
транзисторах на верхних частотах объясняется?
67. Какова величина входного сопротивления полевого транзистора?
68. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением это?
69.С какой целью делают площадь коллекторного перехода существенно большей
площади эмиттерного перехода? С целью уменьшения рекомбинации неосновных носителей в базе
70. Укажите условное обозначение диодного оптрона.
71.Что такое гибридная ИМС? Это микросхема, в которой пассивные элементы выполнены в виде пленок из различных материалов, а активные, выполненные в микроминиатюрном исполнении, - крепятся навесным монтажом
72.Что такое полупроводниковая монолитная ИМС? Это микросхема, в которой все элементы формируются внутри полупроводникового кристалла
73.Что такое совмещенная ИМС? Это микросхема, в которой активные элементы формируются внутри полупроводникового кристалла, а пассивные - в виде пленок располагаются сверху
74. Какая технология используется для изготовления пленочных ИМС? тонкопленочная или толстопленочная
75. Укажите условное обозначение тиристорного оптрона.
Диодные оптроны (рис. а)
Транзисторные оптроны (рис. с)
Тиристорные оптроны (рис. b)
Резисторные оптроны (рис. d)
76. Как называется логический элемент, схема которого приведена ниже
И-НЕ
77. Чем объяснить малое значение тока динистора на участке ОА его
характеристики
зависимость обратного (теплового) тока коллекторного перехода /Кобр от напряжения обратного смещения
78. Какие транзисторы в ТТЛ ИС включены по схеме Дарлингтона
VT3 и VT4
79. Схема- Триггер Шмитта
80. На каком этапе изготовления гибридных ИМС используется способ фотолитографии?
- III
81. Как выглядит симистор? - эквивалентной схемы из двух триодных тиристоров (тиристоров), включённых встречно-параллельно.
82. Какая характеристика не относится к характеристикам светодиода? Основные характеристики светодиодов
1. Эффективность свечения (светоотдача)
2. Мощность
3. Цветовая температура
4. Деградация
83. Что такое дизъюнкция? ИЛИ — логическая операция
84. Какая из приведённых зависимостей соответствует входной характеристике для
схемы с общей базой? входной характеристикой называют зависимость тока /э от напряжения ибэ при заданном напряжении иКб,
85. Какое преимущество имеет схема включения с общей базой? обусловленная эффектом Миллера, снижающая коэффициент усиления на высоких частотах
86. В активном режиме работы биполярного транзистора дифференциальные
сопротивления р-п переходов характеризуются следующим образом
87. В какой схеме включения биполярного транзистора минимальное выходное
сопротивление? Схемы ОК
88. Главные процессы, определяющие зависимость коэффициента переноса в базе
от частоты
I
89. Какая из приведённых зависимостей соответствует входной характеристике
для схемы с общей базой?
90. Выберите активный инверсный режим транзистора обратно смещённым является эмиттерный переход, а прямо смещённым — коллекторный. В таком режиме транзистор также может использоваться для усиления.
91. Какая из формул называется формулой Эберса-Молла? Статические характеристики биполярных транзисторов
92. Чему равна диффузионная емкость? Диффузионная емкость составляет сотни – тысячи пикофарад.
93. Диффузионная емкость обусловлена изменением величины объемного заряда, вызванного изменением прямого напряжения и инжекцией неосновных носителей в рассматриваемый слой.
94.
95. Входной характеристикой биполярного транзистора называют зависимость. Входная характеристика биполярного транзистора – это зависимость тока базы Iб от напряжения база-эмиттер Uбэ при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер Uкэ: Iб =f(Uбэ)|при Uкэ = const.
96. Какие выходные характеристики транзистора относятся к схеме включения с
общей базой? Выходной характеристикой для схемы с общей базой называют зависимость тока iк от напряжения uкб при заданном токе iэ, т. е. зависимость вида iк = f (uкб) |iэ= const, где f — некоторая функция.
97. Чему равно входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общей
базой? Для схемы с общей базой входной характеристикой называют зависимость тока iэ от напряжения и 6э при заданном напряжении uбэ, т. е. зависимость вида iэ= f (uбэ) |uкэ= const, где f — некоторая функция
98. Чему равен коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме с
общим коллектором?
h21 = Im2/Im1, при Um2 = 0.
99. Чему равен коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме с
общей базой?
97,98,99.
 
100. Какой ток увеличивается с увеличением частоты? Переменный ток
101. Как выглядит схема с общим эмиттером?
102. Как выглядит схема с общим коллектором?
101,102
 
Ответы: 103. Тиристор с общей базой
104. Встроенный полевой транзистор с каналом n типа
105. U ост пен U вкл арасы
Ответы: 106
107. Тиристор
Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике n- типа? Электроны
Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике p-типа? Дырки
Что такое диффузия носителей в полупроводнике? Движение носителей за счет разности концентраций
В каком направлении перемещаются дырки через p-n переход за счет электрического поля? Из n-области в p-область
Какое свойство p-n перехода положено в основу работы варикапа? Барьерная емкость
Что такое активный инверсный режим работы транзистора? Эмиттерный переход закрыт, коллекторный переход открыт
Что такое дрейф носителей в полупроводнике? Движение носителей за счет электрического поля
Какой из h-параметров является входным сопротивлением? h11
Чем объясняется скачок потенциала на границе двух областей полупроводника с разным типом проводимости? Наличием двойного электрического слоя за счет нескомпенсированного объемного заряда по обе стороны p-n перехода
В каком направлении перемещаются электроны через p-n переход за счет электрического поля? Из p-области в n-область
Как изменяется барьерная емкость при увеличении обратного напряжения по абсолютной величине на p-n переходе? Увеличивается
Как изменяется толщина р-n перехода при обратном включении? Увеличивается
Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников n-типа? С валентностью больше, чем у исходного материала
Где располагается уровень Ферми у вырожденных примесных полупроводников р-типа? В валентной зоне
Какое включение р-n перехода называется обратным? Плюс внешнего источника к n-области, минус - к р-области
Какое свойство p-n перехода положено в основу работы выпрямительного диода? Односторонняя проводимость
Укажите зависимость тока через р-n переход от величины приложенного внешнего напряжения. I=I0(eU/т−1)
Для чего применяются опорные диоды? Для стабилизации напряжения
Какой из h-параметров является коэффициентом прямой передачи тока. h21
Как связаны между собой коэффициенты передачи токов альфа и бета транзистора? бета=альфа/(1-бета)
В какой схеме включения с ОБ или ОЭ коэффициент прямой передачи тока сильнее зависит от частоты? В схеме с ОЭ
В какой схеме включения транзистора минимальное выходное сопротивление? С ОК
В какой схеме включения транзистора можно получить усиление тока? В схеме с ОЭ и с ОК
Какой из транзисторов, дрейфовый или бездрейфовый, обладает лучшими высокочастотными свойствами? Дрейфовый
На чем основано управление током в полевом транзисторе с управляющим переходом? На изменении ширины перехода и сечения канала при изменении входного напряжения
Укажите какое напряжение возникает на фотодиоде в вентильном режиме его работы? Плюс в p-области и минус в n-области
Где располагается уровень Ферми у невырожденных примесных полупроводников n-типа? В запрещенной зоне вблизи зоны проводимости
Какие главные процессы определяют зависимость коэффициента переноса носителей заряда в базе от частоты? Конечное время движения дырок от эмиттерного перехода к коллекторному и разброс скоростей дырок
Чем объясняются лучшие высокочастотные свойства дрейфового транзистора? Большей скоростью движения неосновных носителей через базу под действием электрического поля
Какая из областей фототранзистора должна освещаться, чтобы изменялся ток через фототранзистор? Область базы
Какое свойство p-n перехода положено в основу работы стабилитрона? Лавинный пробой
Зависит ли сечение канала от величины напряжения Ucи полевого транзистора? Введением носителей в базовые области
Что такое вентильный режим фотодиода? Режим освещенного фотодиода без источника напряжения во внешней цепи
Где располагается уровень Ферми у примесных полупроводников р-типа? В запрещенной вблизи валентной зоны
Какое свойство p-n перехода положено в основу работы обращенного диода? Туннельный эффект
Что больше, ток эмиттера или ток инжекции неосновных носителей в базу транзистора? Ток эмиттера
Где больше концентрация подвижных носителей, в области p-n перехода или прилегающих к нему областях полупроводника? В прилегающих к p-n переходу областях полупроводников
От чего зависит проводимость примесных полупроводников? От концентрации примесей
Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников р-типа? С валентностью меньшей, чем у исходного материала
В каком направлении перемещаются дырки через переход за счет диффузии? Из р-области в n-область
Можно ли осуществить транзистор, соединив два p-n перехода в схеме? Нет, т.к. нет взаимодействия между переходами
Что называется эмиттером? Область транзисторов, назначением которой является инжекция в базу основных носителей, которые становятся неосновными
Какой из h- параметров является коэффициентом передачи тока? h21
Какие транзисторы называются дрейфовыми? Транзисторы, в которых движение неосновных носителей в базе происходит в основном за счет дрейфа
Какова величина входного сопротивления полевого транзистора? Транзисторы, в которых движение неосновных носителей в базе происходит в основном за счет дрейфа
Какова величина входного сопротивления полевого транзистора? Неосновными носителями заряда, имеющимися в области базы и в области коллектора
С какой целью делают площадь коллекторного перехода существенно большей площади эмиттерного перехода? С целью уменьшения рекомбинации неосновных носителей в базе
На чем основано управление током в унитроне? На изменении ширины перехода и сечения проводящего канала при изменении входного напряжения
Как изменяется толщина p-n перехода при обратном включении? Увеличивается
Почему фотодиод не используется в прямом включении? Фототок намного меньше прямого тока и трудно фототок выделить на фоне прямого тока
Что такое пленочная ИМС? Это микросхема, в которой все элементы выполнены в виде пленок из различных материалов.
Что такое гибридная ИМС? Это микросхема, в которой пассивные элементы выполнены в виде пленок из различных материалов, а активные, выполненные в микроминиатюрном исполнении, - крепятся навесным монтажом
Что такое полупроводниковая монолитная ИМС? Это микросхема, в которой все элементы формируются внутри полупроводникового кристалла
Что такое совмещенная ИМС? Это микросхема, в которой активные элементы формируются внутри полупроводникового кристалла, а пассивные - в виде пленок располагаются сверху
Чем характеризуется степень сложности интегральной схемы? степенью интеграции
Чем характеризуется уровень технологичности интегральной схемы? плотностью упаковки ИС
Какую структуру имеют приборы с зарядовой связью? металл-диэлектрик-полупроводник
Что положено в основу построения функциональных устройств? физические эффекты и явления
В каком направлении перемещаются электроны через переход за счет диффузии? Из n-бласти в р-область
Какое направление имеет холловское электрическое поле? Поперечное
Что определяется по правилу левой руки? Направление силы Лоренца
Где применяется эффект Холла? В датчиках скорости, магнитных и электрических величин
Как называется эффект Зинера? Явление электростатической ионизации
Что такое эффект Шпарка? Расщепление энергетических уровней при Е=108-109
Какое свойство электрона отличат его от других частиц? Большой удельный заряд
Какой домен образуется при эффекте Ганна? Электростатический
Большая интегральная схема содержит более ......... схемных ячеек? 102
Для какой цели в ТТЛ ИС серии К531 используются транзисторы Шоттки? для повышения нагрузочной способности;
Для какой цели используются выходные эмиттерные повторители в базовом элементе ЭСЛ ИС? для повышения нагрузочной способности и быстродействия, обеспечения возможности работы на низкоомные нагрузки.
Какие схемотехнические приемы применяются для расширения логических возможностей ЭСЛ элементов? эмиттрное и коллекторное объединения и 2-х и 3-х уровневые токовые переключатели
Перечислите основные части базового элемента ЭСЛ ИС серии К500. переключатель тока, цепь источника опорного напряжения и эмиттерные повторители.
На каких частотах работает диод Шотки? Свыше 2000 мГц
Какая буква используется для обозначения подкласса излучающих полупроводниковых приборов? Л
Какая буква используется для обозначения подкласса сверхвысокочастотных диодов? А
Какая буква используется для обозначения выпрямительных столбов? Ц
На каких частотах работает диод Шотки? Свыше 2000 мГц
На чем основан термокомпрессионный метод подсоединения выводов к контактным поверхностям? Воздействие тепла и давления
На каком этапе изготовления гибридных ИМС используется способ фотолитографии? III
Какое количество эмиттеров обычно может иметь многоэмиттерный транзистор? 2 -8
Какие транзисторы используются для изготовления индуктивности в качестве ИМС? Реактивные
На каких частотах работают планарные диффузионные резисторы? 10 - 20 Мгц
Какую структуру имеют приборы с зарядовой емкостью?
МОП структуру МДП структкру
Какое количество элементов в схеме относится ко второй степени интеграции? От 10 до 100
Что такое дизъюнкция? Логическая функция ИЛИ
Что такое конъюнкция? Логическая функция И
Операция Шеффера это Логическая функция И-НЕ
Операция Пирса это Логическая функция ИЛИ-НЕ
Комплементарными называются транзисторы МОП
|
|
|
Скачать 1.12 Mb.