Арсенид галлия - Представляет собой химическое соединение галлия(Ga) и мышьяка(As)
- Является полупроводниковым соединением АIIIBV
- По типу металлоида классифицируется как арсенид
- Преобладает донорно-акцепторный тип связи
- Структуру в случае GaAs можно представить как взаимно проникающие гранецентрированные решётки атомов Ga и As, сдвинутые друг относительно друга на четверть главной диагонали
Эффекты и особенности - В кристалле арсенида галлия может проявляться линейный электрооптический эффект (эффект Поккельса), который заключается в изменении показателя преломления под действием внешнего электрического поля
- Нелегированный полуизолирующий GaAs обладает хорошим пропусканием в среднем ИК диапазоне на длинах волн от 1 до 15 мкм, а также в терагерцовом диапазоне частот (λ = 100-3000 мкм).
- обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц.
- Полупроводниковые приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые приборы на той же частоте
- Стабилен по отношению к кислороду и парам воды, содержащимся в воздухе вплоть до температуры 600 °C.
- Ширина запрещённой зоны при 300 K — 1.424 эВ
- Эффективная масса электронов — 0.067 me
- Эффективная масса лёгких дырок — 0.082 me
- Эффективная масса тяжёлых дырок — 0.45 me
- Подвижность электронов при 300 K — 8500 см²/(В·с)
- Подвижность дырок при 300 K — 400 см²/(В·с)
Применение - Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприемников и детекторов ядерных излучений, микроволновые частотные интегральные схемы, монолитные микроволновые интегральные схемы, инфракрасные светоизлучающие диоды, лазерные диоды, солнечные элементы и оптические окна.
Диод Ганна. Генерирует и преобразует колебания в диапазоне от 0,1 до 100 ГГц
Диод Шоттки обладает барьером и отличающихся малым падением напряжения при прямом введении компонента в электрическую цепь (от 0,2 до 0,4 вольт).
SNX-100. Инфракрасный светодиод
Солнечная батарея. Сертификата ISO90000. Выходное напряжение 12В,напряжение холостого хода 5в, Солнечная энергия 300W/m^2, эффективность 28,3%
Спасибо за внимание Источники: 1) https://ru.wikipedia.org/wiki/Арсенид_галлия 2) https://www.bestreferat.ru/referat-169509.html 3) https://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/47619 4) https://stud-wiki.turbopages.org/stud.wiki/s/manufacture/3c0b65635a3bd68b5d53b89421216d26_0.html 5) https://russian.alibaba.com/product-detail/thin-film-gaas-gallium-arsenide-solar-cells-with-competitive-cost-on-sale-62440848164.html?spm=a2700.7724857.normal_offer.d_image.1673636cec6zkK |
Скачать 0.93 Mb.