Бгту военмех им. Д. Ф. Устинова
![]()
|
Лабораторная работа №4 «Статические характеристики и параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой и с общим эмиттером»
САНКТ-ПЕТЕРБУРГ 2021 г. Цель работы – исследовать статические характеристики и пара-метры биполярного транзистора в схеме с общей базой (ОБ) и общим эмиттером(ОЭ). Часть 1. Исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме с ОБ. 1.1. Собираем схему, приведенную в методических указаниях (рисунок 1). ![]() Рисунок 1 – Схема для исследования характеристик транзистора в схеме с ОБ Рассчитать максимально допустимое значение тока эмиттера по формуле (1): ![]() В соответствии с методическим указаниями выполняем заполнение таблицы 1, путем проведения измерений: Таблица 1 – Результаты измерений
Строим 4 семейства характеристик на основании полученных результатов (рисунки 2-5) ![]() Рисунок 2 – Характеристики Iэ(Uэб) ![]() Рисунок 3 – Характеристики Uэб(Uкб) ![]() Рисунок 4 – Характеристики Iк(Iэ) ![]() Рисунок 5 – Характеристики Iк(Uкб) Рассчитываем h-параметры транзистора по формулам (2): ![]() Часть 2. Исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме с ОЭ Схема исследования приведена на рисунке 6. ![]() Рисунок 6 – Схема исследования схемы с ОЭ В соответствии с методическим указаниями выполняем заполнение таблицы 2, путем проведения измерений: Таблица 2 – Результаты измерений
Строим 4 семейства характеристик на основании полученных результатов (рисунки 7-10) ![]() Рисунок 7 – Характеристики Iб(Uэб) ![]() Рисунок 8 – Характеристики Uэб(Uкэ) ![]() Рисунок 9 – Характеристики Iк(Iэ) ![]() Рисунок 10 – Характеристики Iк(Uкэ) Рассчитываем h-параметры транзистора по формулам (2): ![]() Вывод. В ходе поведения исследований были рассмотрены основные параметры биполярных транзисторов в различных схемах включения, а также построены семейства характеристик транзистора |