Биполярные транзисторы. Биполярные транзисторы устройство и принцип действия
Скачать 114.97 Kb.
|
. Биполярные транзисторы: устройство и принцип действия Биполярный транзистор – система двух взаимодействующих p-n-переходов. В биполярном транзисторе физические процессы определяются носителями обоих знаков. В зависимости от чередования p- и n- областей различают npn /обратные/ и pnp /прямые/ транзисторы.В реальных конструкциях одна из крайних областей имеет большую степень легирования и меньшую площадь, её называют эмиттером. Другую крайнюю область называют коллектором, а среднюю – базой. Переход, образованный эмиттером и базой называют эмиттерным переходом, а переход, образованный коллектором и базой – коллекторным переходом. Взаимодействие p-n-переходов обеспечивается выбором толщины базы. База должна быть достаточно тонкой /толщина базы должна быть много меньше длины диффузии неосновных носителей в базе/. из Э1 инжектируются в Б1 ,где <1 - статический коэффициент передачи тока эмиттера - обратный ток коллекторного перехода Условно графически обозначается: Транзистор, как усилитель напряжения и мощности ; ; ; ; Транзистор обладает способностью усиливать электрические сигналы. Схемы включения и режимы работы транзисторов
Независимо от схемы включения транзисторы могут работать в одном из четырёх, отличающихся полярностью напряжения на ЭБ и БК переходе: Нормальный активный режим /НАР/ - Э-переход смещён в прямом направлении, К-переход смещён в обратном направлении Режим насыщения – Э- и К-переходы смещены в прямом направлении Режим отсечки - Э- и К-переходы смещены в обратном направлении Инверсный активный режим /ИАР/ - Э-переход смещён в обратном направлении, К-переход смещён в прямом направлении. |