Тэц лабораторная работа тема диэлектрик. Лаб. 3. Диэлектрик. Диэлектрик. Материал пьезокерамика марки цтс20 Толщина 2 мм, диаметр 12 мм

• Название: Диэлектрик. Материал пьезокерамика марки цтс20 Толщина 2 мм, диаметр 12 мм
• Анкор: Тэц лабораторная работа тема диэлектрик
• Дата: 03.09.2022
• Размер: 0.71 Mb.
• Имя файла: Лаб. 3. Диэлектрик.docx
• Тип: Документы; #660277

Диэлектрик. Материал пьезокерамика марки ЦТС-20

Толщина 2 мм, диаметр 12 мм
На стороны пьезокерамики нанесен серебросодержащий клей, который служит электродами для снятия показаний с керамики, после чего керамика помещена в держатель и внесена в печь, контакты пьезокерамики подключены к стационарному измерителю LCR с возможностью ввода и вывода данных.

Печь подключена к ЛАТРу, для регулировки входного напряжения на спирали печи, что дает нам контроль нагрева.

Рисунок 1
Полученные данные занесены в таблицу 1 соотношений

При температуре 50°С
f (Гц)	Z (Ом)	𝜑 °
20	260 МОм	-79°
100	55 М	-86°
500	11 М	-89°
1500	3,7 М	-88°
5кГц	1,14 М	-86°
10к	570 кОм	-84°
50к	123к	-67,9°
100к	72,95к	-51,6°
500к	46,63к	-16,19°
1МГц	45,34	-11,71°
При температуре 100°С
20	166 М	-76°
100	40,5 М	-79,2°
500	9,7 М	-84,4°
1500	3,3 М	-85,9°
5к	1 М	-86,1°
10к	514,9к	-84°
50к	111,9к	-67,9°
100к	66,71к	-51,5°
500к	43к	-16,1°
1М	42,05к	-11,65°
При температуре 150°С
20	141 М	-75°
100	34 М	-76,9°
500	8,6 М	-79°
1500	3,03 М	-84°
5к	0,94 М	-85°
10к	474,8к	-83,7°
50к	101,7к	-67,8°
100к	60,3к	-51,5°
500к	38,7к	-16,1°
1М	37,69к	-11,5°
При температуре 200°С
20	78 М	-59°
100	21,8 М	-73°
500	5,9 М	-77°
1500	2,09 М	-82°
5к	659к	-84°
10к	334,8к	-83°
50к	73,26к	-67,5°
100к	43,9к	-51°
500к	28,5к	-16°
1М	27,9к	-11,5°

Контрольные вопросы

1. 
   Бесконтактные методы определения удельного сопротивления полупроводников.
   

Низкочастотные: емкостной , индуктивный. СВЧ метод : волноводный,резонаторный.

2. 
   Контактные методы определения удельного сопротивления полупроводников.
   

Метод Ван дер Пау, Двухзондовый метод, четырехзондовый метод.

3. 
   Определение удельного сопротивления объемных монокристаллов.
   

В настоящее время для определения удельного электросопротивления германия широко применяется четырехзондовый метод, который основан на измерении разности потенциалов между двумя зондами четырехзондовой измерительной головки, установленной на плоской поверхности монокристалла, при пропускании электрического тока определенной величины через два других точечных зонда.

4. 
   Определение удельного сопротивления пластин полупроводников.
   

Формула применима лишь для однородной изотропной полубесконечной среды. Однако на практике измерения выполняются на образцах конечных размеров, причём зачастую это пластины с толщиной, сравнимой с расстоянием между зондамиS или диффузионные и эпитаксиальные слои, толщина которых значительно меньше S.

5. 
   Определение удельного сопротивления эпитаксиальных слоев и слоистых структур.
   

6. Погрешность четырехзондового метода.

Погрешность около 10 % процентов