Чжо-Зин-Пьо.-ДЗ. Домашнее задание

• Название: Домашнее задание
• Дата: 27.12.2018
• Размер: 208 Kb.
• Имя файла: Чжо-Зин-Пьо.-ДЗ.doc
• Тип: Реферат; #62048

Московский государственный технический университет

имени Н.Э. Баумана

Факультет «Машиностроительные технологии»

Кафедра «Электронные технологии в машиностроении»

Домашнее задание

по Организационно-методическое обеспечение подготовки и защиты диссертации


Выполнил:

Асспирант – Чжо Зин Пьо

Кафедра – MT-11

Преподаватель:
Зубков Николай Николаевич

Москва

2018

Задание №3

План-график работ

СОДЕРЖАНИЕ	Сроки выполнения
Введение.............................................................................................................
1. Получение, структура и физические свойства пленок дисульфидов молибдена.	12/18-02/19
1.1. Актуальность применения атомарно-тонких пленок 2D-материалы.......	12/18-1/19
1.2. Cтруктура двумерного материала MoS2.............................................	11/18-11/18
1.3. Электронная Зонная Структура и Свойства MoS2......................................................	12/18-12/18
1.4. Применение тонких плёнок MoS2 в наноэлектронике).............................................. 1.5. Методы получения тонких пленок MoS2....................................................................................	01/19-01/19
Основные выводы по главе 1 ...............................................................................	02/19-02/19
Постановка цели и задач исследования...........................................................	02/19-02/19
2. Технологическое и измерительное оборудование для формирования и контроля роста тонких пленок	02/19--04/20
2.1. Анализ методов вакуумного нанесения PVD и CVD......................	01/19-02/19
2.2. Выбор метода нанесения пленок.......................................................................................	02/19-03/19
2.3. Метод магнетронного распыления................................................................. 2.3.1. Радиочастотное магнетронное распыление........................................................................................... 2.3.2. Магнетронное распыление с постоянным током(DC)............. 2.3.3. Импульсное магнетронное распыление постоянного тока (Pulsed dc)............. 2.3.4. Высокой импульс мощности магнетронного распыления (HiPIMS).............	02/19-03/19
2.4. Методы и анализы приборов эксперимента.... 2.4.1. Установка нанесения тонких плёнок............. 2.4.2. Ультразвуковая очистка............. 2.4.3. Атомно силовой микроскопии (АСМ)............. 2.4.4. Спектрофотометр............. 2.4.5. Миллитесламетр портативный универсальный ТПУ-2У............	03/19-04/19
Основные выводы по главе 2...............................................................................	03/19-04/19
3. Кристаллизация атомарно-тонких пленок дисульфида молибдена	04/19-06/19
3.1. Образования начальной стадии и роста тонких пленок............. 3.1.1. Зародышеобразования............. 3.1.2. Рост кристаллов............. 3.1.3. Рост зерна.............
3.2. Механизм роста или зародышеобразование на подложке........................................................... 3.2.1. Послойный рост пленок............. 3.2.2. Характеристика MoS2 послойного роста нанолистов............. 3.2.3. Зарождение и морфологический рост пленки MoS2 магнетронным распылением.............	04/19-05/19
3.3. Влияние факторы на структуру стадии роста пленок.............. 3.3.1. Влияние Температуры подложки на структуру стадии роста пленок MoS2............. 3.3.2. Влияние Потенциал смещения подложки на структуру роста пленок MoS2............. 3.3.3. Влияние давление газа аргона на структуру стадии роста пленок MoS2 ............. 3.3.4. Влияние мощности на структуру стадии роста пленок MoS2............. 3.3.5. Влияние внешнего магнитного поля на структуру роста MoS2.............	05/19-06/19
3.4. Крупномасштабный синтез пленок MoS2 магнитронным распылением..............................................	05/19-06/19
Основные выводы по главе 3...............................................................................	05/19-06/19
4. Экспериментальная часть........	06/19-08/19
4.1. Определение оптических параметров и оптической ширины запрещенной зоны пленок ..............	06/19-07/19
4.2. Исследование тонких пленок MoS2 в вакууме методом магнетроного распыления ............................ 06/19-07/19 4.2.1. Технологические режимы формирования тонких пленок MoS2 в вакууме методом магнетроного распыления............................................................................................................................................................ 06/19-07/19 4.2.2. Формирование атомрно тонких пленок с контролем режимов нанесения........................................... 06/19-07/19 4.2.3. Общая характеристика экспериментальных образцов............................................................................ 07/19-08/19
4.3. Характеристика магнитного поля.............	07/19-08/19
4.4. Использование допонитеоьного фактора магнитного поля для формирования пленок MoS2	07/19-08/19
Основные выводы по главе 4...............................................................................	07/19-08/19
5. Результаты обсуждения	08/19-12/19
5.1. Морфология пленок MoS2......................................................................................	08/19-09/19
5.2. Оптические свойства MoS2.......................	09/19-10/19
Основные выводы по главе 5...............................................................................	10/19-11/19
Общие выводы.................................................................................................	11/19-12/19
Список литературы.........................................................................................	12/19-01/20
Приложения......................................................................................................	01/20-02/20

Задание №2

Разработать концепцию диссертации

(заполняются ВСЕ пункты)

1. 
   Ассирант – Чжо Зин Пьо.
   

Кафедра: Электронные технологии в машиностроении, МТ – 11

Научный руководитель- Беликов Андрей Иванович.

Форма обучения в аспирантуре – Пладная

e-mail- [e-mail]

2. 
   Мотивация поступления в аспирантуру.
   

Для того, чтобы повысить свой образовательный уровень.Заниматься научно-исследовательской деятельностью. Благодаря ученой степени, успешно продвигаться по службе, делать карьеру. Работать над интересными, сложными проблемами. Защитить кандидатскую диссертацию (стать кандидатом наук).

3. 
   Тема диссератации: Разработка технологических основ формирования пленок дисульфида молибдена для наноэлектроники.
   

Направление подготовки: Электроника, радиотехника и системы связы, 11.06.01

Научная специальность – 05.27.06 Технология и оборудование для производиства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

а) направленность - цель исследования

При переходе микроэлектроники в наноэлектронику одна из существенных проблем заключается в материале, применяющемся в микроэлектронике – кремнии, который, не может быть основным в производстве наноэлементов, в частности, нанотранзисторов. Для замены кремния учеными предлагается множество различных альтернатив. Одна из них – дисульфиды тугоплавких металлов, в частности, дисульфид молибдена. Целью исследования является изучение и тонких пленок дисульфида молибдена формируемых методом магнетронного распыления на больших подложках.

б) объект исследования

атомарно тонкие пленки дисульфида молибдена, полученные послойные слой с использованием дополнительного фактора магнитного поля

в) предмет исследования

кристаллизация атомарно тонких послойных пленок дисульфида молибдена методом магнетронного распыления

4. 
   Обоснование актуальности работы
   

Электронные свойства атомарно-тонких пленок дисульфида молибдена, их применение в перспективных устройствах наноэлектроники. В качестве перспективных материалов последнее время исследователями изучаются монослойные пленки на основе дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ). На основе анализа публикаций в области исследований двумерных материалов был установлен перспективный материал MoS2.Он обладает уникальными свойствами например, высокой подвижностью и высоким соотношением токов во включенном/выключенном состоянии и высокой шириной запрещенной зоны (1,8 Эв).

5. 
   Сформулировать цель и задачи работы
   

Цель – Разработка технологических основ формирования методом магнетронного распыления прессованной мишени текстурированных нанотолщинных пленок дисульфида молибдена для перспективных устройств наноэлектроники.


Задачи

1.Анализ перспективных применений атомарно тонких пленок дисульфида молибдена для интегральной наноэлектроники.

2.Сравнительный анализ методов получения атомарно тонких плёнок дисульфида молибдена.

3.Разработка и исследование технологии получения тонких пленок дисульфида молибдена методами ионного распыления.

4.Разработка экспериментального оборудования, оснастки для нанесения текстурированных тонких пленок MoS2.

5.Выбор методов и оборудования для исследования пленок .

6. 
   Объяснить суть теоретической части
   

В теоретической части будем изучить методы формирования пленок MoS2 и анализ работ в области структуро-образования покрытий MoS2 и слойстой структуры.Оценка факторов роста пленки.

7. 
   Сформулировать направление экспериментальных исследований
   

Сборка технологическом оснастки, планирование и проведение экспериментов. Поготовка оборудования.

8. 
   Предполагаемая научная новизна:
   

1.Закономерности между параметрами технологического процесса магнетронного нанесения и особенностями структурообразования покрытия дисульфида молибдена на кремниевых и сапфировых подложках.

9. 
   Предполагаемая практическая значимость
   

Методика и технологические режимы формирования тонких пленок дисульфида молибдена на крупногабаритных подложках для реализации групповой технологии.

10. 
    Положения, выносимые на защиту.
    

1. Кристаллизация атоморно тонких пленок дисульфида молибдена при использованием магнитного поля интенсивно протекает послойнные механизмы

что приводит к совершенствованию структуры пленок MoS2 среднего размера кристаллитов.

2. Электронные и оптические свойства пленок MoS2, при различных влияющих факторов осаждения

11. 
    Обоснование достоверности результатов исследования.
    

При обосновании результатов исследования

1. Образования начальной стадии и роста тонких пленок

2. Механизм роста пленок MoS2

3. Влияние факторы на структуру стадии роста пленок

4. Зарождение и морфологический рост пленки MoS2 магнетронным распылением

5. Крупномасштабной синтез MoS2 пленок магнетронного распыления

12. 
    Существующие и предполагаемые публикации по обзору, теории, экспериментам (тема, сроки, журнал).
    

За прошедший с момента предыдущей период опубликованы: 1 статья в журнале из перечня ВАК и 3 статьи, индексируемые в Scopus.

Список публикаций аспиранта за 1-й семестр 3-го курса (в сокращенном формате)

№	Авторы	Название журнала	Выходные данные
1	A S Samartsev, Kyaw Zin Phyo	Journal of Physics: Conference Series(Scopus)	IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 857 (2017) 012036
2	Belikov A.I. Kyaw Zin Phyo	Journal of Physics: Materials Science and Engineering (Scopus)	IOP Conf. Series:857 (2018) Vol.387,Issue1.-С.1-4. Art.no01200
3	А.И.Беликов., Чжо Зин Пьо, А.С.Самарцев	Наноматериалы и наноструктуры – ХХI век (ВАК)	№ 4, T. 8, 2017 г.C.37
4	Belikov A.I. Kyaw Zin Phyo	Journal of Physics: Materials Science and Engineering (Scopus)	IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 1124 (2018) 051002

13. 
    Существующая и предполагаемая апробация (конференции, научные семинары и т.п.).
    

За прошедший с момента предыдущей период выступал с докладами на 4-х конференциях,

Список конференций, в которых принял участие аспирант за 3-й семестр 1-го курса

№	Авторы доклада	Название конференции, даты и место проведения	Тип доклада
1.	A.I. Belikov, Kyaw Zin Phyo	" OPEN 2018" ,г. Санкт-Петербург,2-5апреля 2018	устный
2.	А.И.Беликов., Чжо Зин Пьо	Вакуумная техника и технологии-2018, г Санкт-Петербург, 5 июня 2018.	устный
3	А.И.Беликов, Чжо Зин Пьо, До Тхи Ньян	Вакуумная наука и техника – 2018, г. Судак,. 16 – 22 сентября 2018	устный
4	A.I. Belikov, Kyaw Zin Phyo, A.I. Semochkin	Micro- and Nanoelectronics – 2018” (ICMNE-2018), г. Звенигород, October 2, 2018	устный

14. 
    Предполагаемое внедрение (использование результатов работы).
    

Результаты диссертации докладывались и обсуждались на 4 научно-практической конференции и по теме диссертации опубликованы, 4 статей, в рецензируемых

журналах и 9 тезисов докладов в материалах научных конференций. Внедряемыми результатами по содержанию могут быть методика определения оптической ширины запрещенной зоны пленок.

15. 
    Защищаемые пункты паспорта специальности.
    

Шифр специальности:

05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Формула специальности:

Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники – специальность, занимающаяся созданием новых и совершенствованием существующих технологий и оборудования для изготовления и производства материалов электронной техники: полупроводников, диэлектриков, проводников и технологических сред, а также приборов на их основе, включающая проблемы и задачи, связанные с разработкой научных основ, физико-технологических и физико-химических принципов создания указанных материалов, приборов и оборудования, отличающаяся тем, что основным ее содержанием являются научные и технические исследования и разработки в области материаловедения, конструирования, технологии, моделирования, измерения характеристик, применения указанных материалов и приборов. Значение решения научных и технических проблем данной специальности для народного хозяйства состоит в разработке новых и совершенствовании существующих перечисленных материалов, приборов и оборудования, повышении их функциональных и эксплуатационных характеристик, а также эффективности применения.


Области исследований:

1. Разработка и исследование физико-технологических и физико-химических принципов создания новых и совершенствования традиционных материалов и приборов электронной техники, включая полупроводники, диэлектрики, металлы, технологические среды и приборы микроэлектроники и функциональной электроники.

2. Разработка и исследование конструкционных основ создания и методов совершенствования оборудования для производства материалов и приборов по п. 1.

3. Разработка и исследование технологических основ создания и методов совершенствования материалов и приборов по п. 1.

4. Разработка и исследование физико-технологических и физико-химических моделей новых материалов и приборов по п.1, технологических процессов их изготовления, а также моделей проектирования соответствующего технологического оборудования.

5. Физико-химические исследования технологических процессов получения новых и совершенствования существующих материалов электронной техники.

6. Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик оборудования, материалов и изделий по п. 1, включая вопросы качества, долговечности, надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, а также вопросы эффективного применения.

Примечание:

Специальность не включает исследования в области проектирования и создания приборов твердотельной электроники, включая микро- и наноэлектронику, лазеров, трансформаторов, переключателей, разъемов, соединителей, систем автоматического проектирования указанных приборов. Эти области исследований включают соответственно специальности: 05.27.01, 01.04.21, 05.27.03, 05.09.01, 05.11.15, 05.13.12.

16. 
    Анализ сильных и слабых сторон темы диссертации. Возможные проблемы текущего состояния дел и прогноз будущих проблем
    

Проблема принятия решений имеет универсальный, магнитные индукции в вакууме при высокой температуре можно работать или нет. Нужно знать реальные индукции магнитного поля в рабочем давлении в вакууме.Эти проблемы нам нужно решать текущего и будущего состояния.

Задание №1

Сформировать список ссылок по теме диссертации, содержащий русскоязычные (Р), и англоязычные ссылки (E)
Направим сформированные в результате выполнения предыдущего задания запросы на научные поисковые системы Google Scholar, eLibrary, scholar.ru. Проанализируем полученные с использованием научных поисковых систем Google Sholar, Elibrary, scholar.ru и РГБ предварительные результаты поиска. Система Google Sholar является лидером среди рассмотренных систем по широте охвата научных публикаций. Вместе с тем, система eLibrary превосходит её в сегменте научных публикаций, написанных на русском языке и проиндексированных в РИНЦ (Российском индексе научного цитирования). Кроме того, eLibrary предоставляет бесплатный доступ к большому числу полнотекстовых версий публикаций. Система scholar.ru практически на все запросы не выдавала результатов, среди выданных ею результатов не было ни одного пертинентного, следовательно, в настоящее время она не представляет интереса за исключением поиска полнотекстовых версий известных документов.

В целом, можно сделать вывод о целесообразности поиска научнотехнической информации по теме ВКР сразу в нескольких научных поисковых системах, поскольку: 1) индексные базы этих систем различны и полностью не пересекаются; 2) полнотекстовые версии публикаций не всегда доступны из какой-то одной научной поисковой системы.
Рассмотрим результаты поиска по запросу.

1. Перечень ключевых слов поиска на русском и английском языках

Дисульфид молибдена, двумерные материал, метод магнетронного распыления, наноэлектроники, тонкие пленки, Molybdenum disulfide, two-dimensional material, magnetron sputtering method, nanoelectronics, thin films.
2. Книги не менее 5Р и 5E (только монографии, но не учебники) давностью не более 10 лет с указанием нужного диапазона страниц)

N	Книга	Cсылка
1	MoS2, Materials, Physics, and Devices.2014 Editors: Wang, Zhiming M.	https://www.springer.com/us/book/9783319028491
2	Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides (2016), Springer Series in Materials Science, Volume 239	https://www.springer.com/gp/book/9783319314495
3	Yu-Chuan Lin, Properties of Synthetic Two Dimensional Materials and Heterostructures, PA, USA	https://www.bookdepository.com/Properties-Synthetic-Two-Dimensional-Materials-Heterostructures-Yu-Chuan-Lin/9783030003319
4	Seng Ghee Tan Mansoor B.A. Jalil. Introduction to the Physics of Nanoelectronics. 2012	https://www.sciencedirect.com/book/9780857095114
5	Peter Rodgers. Nanoscience and Technology. | August 2009 Pages: 368. https://doi.org/10.1142/7439	https://www.worldscientific.com/worldscibooks/10.1142/7439
6	С. А. Гаврилов, А. Н. Белов «Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники. здательство: Высшее образование, 2009 г.	http://urss.ru/images/add_ru/189929-1.pdf
7	Мальцев П. П .Нанотехнологии. Наноматериалы. Наносистемная техника-2008. Издательство: Техносфера, 2008 г. Твердый переплет, 438 стр.	http://store.nanonewsnet.ru/catalog/2008-malcev
8	Шевченко В.Я. «Белая книга по нанотехнологиям» Издательство: ЛКИ, 2008 г. Твердый переплет, 344 стр.	http://store.nanonewsnet.ru/catalog/2008-belaja
9	Старостин В. В .Материалы и методы нанотехнологии:учебное пособие. Издательство: Бином. Лаборатория знаний, 2008 г. Твердый переплет, 431 стр	http://window.edu.ru/resource/622/64622/files/Starostin_978-5-94774-727-0/1-2-3_cB727-0.pdf
10	Кац Е.А. «Фуллерены, углеродные нанотрубки и нанокластеры: Родословная форм и идей» Издательство: ЛКИ, 2008 г. Мягкая обложка, 296 стр.	http://store.nanonewsnet.ru/catalog/2008-fullereny

3.Авторефераты или диссертации не менее 5Р

N	Диссертации P	Cсылка
1	Сидорова Светлана Владимировна. Расчет технологических режимов и выбор параметров оборудования для формирования островковых тонких пленок в вакууме: диссертация ... ктн: 05.27.06 / 2016.- 191 с.	http://www.dslib.net/elektro-texnika/raschet-tehnologicheskih-rezhimov-i-vybor-parametrov-oborudovanija-dlja-formirovanija.html
2	Божеев Фараби Есимович, Нанотекстурированныe пленки дисульфида и диселенида вольфрама с фотоактивными свойствами диссертация ... ктн: 01.04.07 - 05.17.11/2014	http://earchive.tpu.ru/bitstream/11683/6989/1/thesis_tpu-2014-47.pdf
3	Поляков Александр Юрьевич, Синтез и оптические свойства нанокомпозитов золота и серебра с дисульфидами молибдена и вольфрама с тубулярной и луковичной структурами: диссертация ... кхн: 02.00.21/2018	https://istina.msu.ru/dissertations/108628457/
4	Рындя Сергей Михайлович, Особенности структуры тонких пленок SiC, формируемых методом импульсного лазерного осаждения на подложках Si и Al2O3: диссертация ... кфмн: 01.04.07/Москва - 2014	http://fizmathim.com/osobennosti-struktury-tonkih-plenok-sic-formiruemyh-metodom-impulsnogo-lazernogo-osazhdeniya-na-podlozhkah-si-i-al2o3
5	Суродин Сергей Иванович, физико-химические особенности ионного синтеза систем с нанокристаллами gan в матрицах Si, Si3N4 и SiO2 для применения в оптоэлектронике: диссертация ... кфмн:05.27.01/ Нижний Новгород – 2018	https://diss.unn.ru/files/2018/864/diss-Surodin-864.pdf

4.Диссертации не менее 3E,

N	Диссертации E	Cсылка
1	F James Mbiyu Ngaruiya, fundamental processes in growth of reactive DC magnetron sputtered thin films, Aachen, Techn. Hochsch., Phd Diss., 2004,	https://www.researchgate.net/publication/33715324_Fundamental_processes_in_growth_of_reactive_DC_magnetron_sputtered_thin_films
2	Adam Richard Waite, Effects of Fundamental Processing Parameters on the Structure and Composition of Two-dimensional MoS2 Films, Ohio. May 2017, Diss Phd	https://etd.ohiolink.edu/pg_10?0::NO:10:P10_ACCESSION_NUM:dayton149315978414366#abstract-files
3	Mohamed Fathy Hasaneenб Effect of Oxygen Doping on Titanium Nitride Thin Films Prepared by Reactive Unbalanced Magnetron Sputtering, Budapest 2013, Diss Phd	http://webcache.googleusercontent.com/search?q=cache:http://teo.elte.hu/minosites/ertekezes2013/mohamed_fathy.pdf

5.Патенты не менее 5Р и 5E

N	Патенты	Cсылка
1	United States Patent. Patent No.: US 6,423,419B1. Teer et al .Molybdenum-sulphur coatings, Jul. 23, 2002	https://patents.google.com/patent/US6423419
2	United states patent. Patent no.: us 2014/0353166A1. Iezzi et al. Novel process for scalable synthesis of molyboenumidisulfide monolayer and few-layer films, Dec. 4, 2014	https://patents.google.com/patent/US20140353166
3	United states patent. Patent no US 2018/0026422 A1. Cronin et al. Bulk direct gap MoS2 by plasma induced layer decoupling, Jan . 25 , 2018	https://patents.google.com/patent/US20180026422A1/en
4	United states patent. Patent no US 2016/0093491 A1. Choi et al. Largescale and thckness-modulated mos2 nanosheets, Mar. 31, 2016	https://patents.google.com/patent/US20160093491A1/en
5	World Intellectual Property Organization patent. Patent No.: WO 2012/093360 Al. Andras KIS. Branimir Radisavljevic Semiconductor device. 2012-07-12	https://patentimages.storage.googleapis.com/59/8b/91/0d25c2aa824223/WO2012093360A1.pdf
6	Russian patent. Patent no RU2388697C1. Голубь Александр Семенович, Лененко Наталия Дмитриевна ,Новиков Юрий Николаевич, Степанов Андрей Александрович. Способ получения интеркаляционных соединений на основе дисульфида молибдена и катионов тетраалкиламмония. : 10.05.2010	https://patents.google.com/patent/RU2388697C1
7	Russian patent. Patent no RU2602237C2. Галиев Рустем Фаузарович, Емаев Илья Игоревич, Нигматуллин Ришат Гаязович, Нигматуллин Виль Ришатович, Нигматуллин Ильшат Ришатович.Смазочный материал на основе композиции технического углерода для тяжелонагруженных узлов трения. 27.10.2016	https://patents.google.com/patent/RU2602237C2
8	Russian patent. Patent no RU2495752C1. Коротеев Виктор Олегович, Окотруб Александр Владимирович, Булушева Любовь Геннадьевна. Способ получения композиционного материала, содержащего слоистые материалы на основе графита и сульфида молибдена. 20.10.2013	https://patents.google.com/patent/RU2495752C1
9	Russian patent. Patent no RU2356197C1. Виктор Кириллович ЗеленкоАлександр Владимирович БрызжевСергей Михайлович ГайдарНиколай Иванович Гладких. Способ получения антифрикционного покрытия на изделиях из металла.10.05.2014	https://patents.google.com/patent/RU2356197C1
10	Russian patent. Patent no RU2441844C1 . Голубь Александр Семенович, Лененко Наталия Дмитриевна, Новиков Юрий Николаевич, Степанов Андрей Александрович , Первов Владислав Серафимович. Способ получения интеркаляционных соединений на основе слоистых дихалькогенидов металлов и катионов тетраалкиламмония.10.02.2012	https://patents.google.com/patent/RU2441844C1

6.Отчеты по НИР не менее 5Р (названия НИР с указанием организаций их выполнивших)

N	Отчеты по НИР	Cсылка
1
2
3
4
5

7.Статьи не менее 10Р и 10E

N	Статьи	Cсылка
1	В.В. ИВАНОВ, Ю.В. МАРЧЕНКО Перспективы применения дисульфида молибдена для формирования вибрационных механохимических твердосмазочных покрытий. Вестник ДГТУ, 2010. Т. 10. № 3(46)	https://cyberleninka.ru/article/v/perspektivy-primeneniya-disulfida-molibdena-dlya-formirovaniya-vibratsionnyh-mehanohimicheskih-tverdosmazochnyh-pokrytiy
2	Е.А. Афанасьев, В.И. Серебровский. Влияние дисульфида молибдена на физико-механические свойства композиционных покрытий на основе железа. АГРОИНЖЕНЕРИЯ ‎2014	https://cyberleninka.ru/article/v/vliyanie-disulfida-molibdena-na-fiziko-mehanicheskie-svoystva-kompozitsionnyh-pokrytiy-na-osnove-zheleza
3	Божеев, Ф. Е. Кристаллизация дисульфида вольфрама (WS2) из аморфного состояния / Ф. Е. Божеев, В. В. Ан, В. М. Погребенков // Известия вузов. Физика. – 2014. – Т. 57, № 9/3. – С. 5-9.	https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1383523&selid=23274344
4	В. А. Оковитый. ПОЛУЧЕНИЕ КОМПОЗИЦИОННОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ГАЗОТЕРМИЧЕСКОГО НАПЫЛЕНИЯ. Наука техника. Т. 16, № 3 (2017)	https://cyberleninka.ru/article/v/poluchenie-kompozitsionnogo-keramicheskogo-materiala-dlya-gazotermicheskogo-napyleniya
5	Ноженков М.В. Влияние кристаллической структуры на триботехнические свойства вакуумных ионно-плазменных покрытий. Трение и износ, №2, 2013. с	https://elibrary.ru/item.asp?id=19020032
6	Ноженков М.В. СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ВАКУУМНЫХ ИОННО-ПЛАЗМЕННЫХ ПОКРЫТИЙ. Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2014. Т. 8. № 1. С. 50-59.	https://elibrary.ru/item.asp?id=20915575
7	Ноженков М.В. Влияние структуры на сверхнизкое трение слоистых покрытий, нанесенных ионным распылением.Поверхность. рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.2015	https://elibrary.ru/item.asp?id=23335409
8	Ю.Н. Юрьев1, К.С. Михневич1, В.П. Кривобоков1, Д.В. Сиделёв1, Д.В. Киселева1, В.А. Новиков. СВОЙСТВА ПЛЕНОК НИТРИДА ТИТАНА, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ. Известия Самарского научного центра Российской академии наук, том 16, №4(3), 2014	https://cyberleninka.ru/article/n/svoystva-plenok-nitrida-titana-poluchennyh-metodom-magnetronnogo-raspyleniya
9	И. Г. Ляхов1, А. А. Кузьмин2, А. С. Ильин2, М. А. Ермакова1, К. В. Була. Исследование режимов магнетронного напыления тонких пленок титана для криогенных детекторов. ТРУДЫ МФТИ. — 2013. — Том 5, № 1	https://mipt.ru/upload/af8/Pages_from_60-67-arphd5m9ihb.pdf
10	К. Н. Нищев, В. А. Мартыненко, В. И. Беглов, А. В. Гришанин,В. В. Елисеев, М. Ю. Малыгин, М. И. Новопольцев, В. А. ЮдинИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ МНОГОСЛОЙНОЙМЕТАЛЛИЗАЦИИ СТРУКТУР «КРЕМНИЙ НА МОЛИБДЕНЕ»,ПОЛУЧЕННОЙ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ. Физико-математические науки. Физика. № 3 (27), 2013	https://cyberleninka.ru/article/n/issledovaniya-svoystv-mnogosloynoy-metallizatsii-struktur-kremniy-na-molibdene-poluchennoy-metodom-magnetronnogo-raspyleniya
11	Arend M. van der Zande, Pinshane Y. Huang, Daniel A. Chenet, Timothy C. Berkelbach,YuMeng You, Gwan-Hyoung Lee, Tony F. Heinz, David R. Reichman, David A. Muller and James C. Hone. Grains and grain boundaries in highly crystalline monolayer molybdenum disulphide. Nature materials 2013, V 12 , p 1-5	https://experts.illinois.edu/en/publications/grains-and-grain-boundaries-in-highly-crystalline-monolayer-molyb
12	D Dumcenco, D Ovchinnikov, K Marinov, Large-Area Epitaxial Monolayer MoS2. ACS Nano 2015,V 9, pp 4611-4620	https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsnano.5b01281
13	J. Zhang, R. Jin, Q. Y. Liu, T. Zhao, K. Zhao, X. S. Yang and Y. Zhao,The effect of sputtering power and pressure on the morphology and electrical transport properties of topological insulator Bi2Se3 thin films prepared by magnetron sputtering, International Journal of Modern Physics B 2018, V. 32, No. 16, pp 1850195	https://www.worldscientific.com/doi/abs/10.1142/S0217979218501953
14	Jyun-Hong Huang, Hsing-Hung Chen, Pang-Shiuan Liu, Li-Syuan Lu, Chien-Ting Wu, Cheng-Tung Chou, Yao-Jen Lee, Lain-Jong Li, Wen-Hao Chang and Tuo-Hung Hou, Large-area few-layer MoS2 deposited by sputtering, Materials Research Express 2016, V 3, No 6, pp 065007	http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/3/6/065007/meta
15	Jung Joon Pyeon, Soo Hyun Kim, Doo Seok Jeong, Seung-Hyub Baek, Chong-Yun Kang, Jin-Sang Kima and Seong Keun Kim, Wafer-scale growth of MoS2 thin films by atomic layer deposition, Nanoscale 2016, V 8, pp 10792.	https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/nr/c6nr01346e#!divAbstract
16	Yumeng Shi, Henan Li and Lain-Jong Li, Recent advances in controlled synthesis of two-dimensional transition metal dichalcogenides via vapour deposition techniques, Chem. Soc. Rev 2015, V 44, pp 2744	https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2015/cs/c4cs00256c#!divAbstract
17 B. Mukherjee, N. Kaushik, Ravi P. N.Tripathi, A. M. Joseph1, P. K. Mohapatra, S. Dhar, B. P. Singh, G.V. Pavan Kumar, E. Simsek and S. Lodha, Exciton Emission Intensity Modulation of Monolayer MoS2 via Au Plasmon Coupling, Scientific Reports 2017, V 7, No 41175	B. Mukherjee, N. Kaushik, Ravi P. N.Tripathi, A. M. Joseph1, P. K. Mohapatra, S. Dhar, B. P. Singh, G.V. Pavan Kumar, E. Simsek and S. Lodha, Exciton Emission Intensity Modulation of Monolayer MoS2 via Au Plasmon Coupling, Scientific Reports 2017, V 7, No 41175	https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5278406/
18	FeifanYu, Mingxiang Hu, Feiyu Kang and Ruitao Lv, Flexible photodetector based on large-area few-layer MoS2, Progress in Natural Science: Materials International 2018,V 28, No 5, pp 563-568	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1002007118306087
19	Wonbong Choi1, Nitin Choudhary, Gang Hee Han, Juhong Park, Deji Akinwande and Young Hee Lee, Recent development of two-dimensional transition metal dichalcogenides and their applications, Materials Today 2017, V.20, No. 3, pp.116-129	https://utexas.influuent.utsystem.edu/en/publications/recent-development-of-two-dimensional-transition-metal-dichalcoge
20	Di Wu, Tai Min, "Effect of Substrate symmetry on the dendrite morphology of MoS2 Film synthesized byCVD," Scientific Reports 7, 15166(2017).	https://www.researchgate.net/publication/320958911_Effect_of_Substrate_symmetry_on_the_dendrite_morphology_of_MoS2_Film_synthesized_by_CVD

8.Доклады конференций не менее 5Р и 5E

N	Доклады	Cсылка
1
2