Экспонирование широким пучком
 Скачать 49.26 Kb.
|
|
6. Составить структурную схему и пояснить работу установки совмещения фотошаблона с маскированной кремниевой подложкой при контактном совмещении и экспонировании. Какие типы источников для экспонирования можно использовать в данной установке, перечислить их достоинства и недостатки. (Л.9 текст с.12-13, Рис.2.1 ). Типы источников экспонирования: 1)Экспонирование широким пучком осуществляется воздействием ультрафиолетового, рентгеновского, или электронного излучения на резистивную плёнку через «окна» шаблона. В зависимости от взаимного расположения шаблона и заготовки используются методы экспонирования: контактный (см выше Л.6): с малым зазором («теневое экспонирование»), проекционный. В последнем способе возможно масштабирование изображения. При проекционном экспонировании с уменьшением масштаба (обычно 10:1 и 5:1) изображение шаблона переносится на подложку по модульно1. Не исключается и по модульное «теневое» экспонирование для подложек большого размера 2) Для экспонирования сфокусированным лучом наиболее применимы ионные и электронные источники. Лучами ионов и электронов легко управлять с помощью специальных электронно-оптических систем. При этом способе экспонирования скрытое изображение в плёнке ионо- или электронорезиста может быть сформировано либо векторным, либо растровым сканированием (рис.2.1). При векторном сканировании (рис.2.1а) элементы топологии обрабатываются последовательно: после завершения сканирования первого из них, луч перемещается в другое место и сканирует поле следующего элемента.  1 По модульное экспонирование заключается в последовательном экспонировании модулей, как правило, равных по площади размерам кристаллов ИС |