Главная страница

ТЭМ_экзамен_билеты. Экзаменационный билет 1


Скачать 174.5 Kb.
НазваниеЭкзаменационный билет 1
АнкорТЭМ_экзамен_билеты.doc
Дата20.03.2019
Размер174.5 Kb.
Формат файлаdoc
Имя файлаТЭМ_экзамен_билеты.doc
ТипДокументы
#26155




ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 1

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

        1. Движение электрона в кристалле. Уравнение Шредингера, волновая функция, ее физический смысл. Принцип Паули.

        2. МДП-транзистор со встроенным каналом. Структура и принцип действия.

        3. Зависимость ВАХ диода от температуры.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 2

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Зонная теория полупроводников. Валентная зона и зона проводимости. Запрещенная зона. Зависимость Eg от температуры. Значения Eg для основных материалов. Понятие эффективной массы.

  2. МДП-транзистор с индуцированным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.

  3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.






ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 3

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Собственный и легированный полупроводник. Уравнение электронейтральности.

  2. МДП-транзистор со встроенным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.

  3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 4

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Заполнение зон электронами в случае вырожденного полупроводника. Функция распределения Ферми-Дирака. Уровень Ферми.

  2. МДП-транзистор с индуцированным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.

  3. Зависимость контактной разности потенциалов от температуры.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 5

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Заполнение зон электронами в случае невырожденного полупроводника. Функция распределения Максвелла-Больцмана. Уровень Ферми.

  2. Диод Шоттки.

  3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 6

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Эффективная плотность состояний и ее зависимость от температуры. Собственная концентрация.

  2. Туннельные диоды. Энергетические диаграммы для различных смещений.

  3. Зависимость ВАХ диода от температуры.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------






ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 7

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Донорный и акцепторный полупроводник. Зависимость положения уровня Ферми от температуры.

  2. Типы тиристоров и их ВАХ.

  3. Зависимость обратного тока диода от степени легирования.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 8

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Электропроводность полупроводников и ее зависимость от температуры. Определение Eg по температурным зависимостям электропроводности.

  2. Влияние сопротивление базы на ВАХ pn-перехода. ВАХ диода в линейном и полулогарифмическом масштабе.

  3. Зависимость барьерной ёмкости диода от обратного напряжения.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 9

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Подвижность электронов и дырок. Зависимость подвижности от температуры и концентрации ионов примеси.

  2. Выпрямление на полупроводниковом диоде.

  3. Зависимость диффузионной ёмкости диода от прямого тока.





---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------




ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 10

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Зависимость от температуры концентрации носителей и положения уровня Ферми. Температура истощения Ti.

  2. Принцип работы светодиода.

  3. Зависимость обратного тока диода от степени легирования.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 11

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Неравновесные носители заряда. Понятие квазиуровня Ферми. Генерационно-рекомбинационные процессы. Время жизни носителей. Механизмы рекомбинации. Максвелловское время релаксации.

  2. Схемы включения МДП-транзистора.

  3. Зависимость ВАХ диода от температуры.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 12

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Неравновесные носители в электрическом поле. Уравнение непрерывности. Уравнение Пуассона. Диффузионная длина.

  2. Униполярные транзисторы. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом: принцип работы, ВАХ.

  3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 13

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Диффузионные и дрейфовые токи. Коэффициент диффузии. Соотношение Эйнштейна.

  2. Биполярные транзисторы. Включение транзистора по схеме с общей базой. Принцип действия.

  3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 14

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Контакт электронного и дырочного полупроводника. Понятие работы выхода и энергии сродства. Область пространственного заряда.

  2. Схемы включения МДП-транзистора.

  3. Зависимость ВАХ диода от температуры.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 15

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Контакт электронного и дырочного полупроводника. Контактная разность потенциалов.

  2. Собственные фоторезисторы: принцип работы.

  3. Зависимость ВАХ диода от температуры.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 16

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Распределение концентрации носителей в pn-переходе при нулевом, прямом и обратном смещении.

  2. Чувствительность фотоприемников. Спектральные характеристики собственных фоторезисторов.

  3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 17

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Энергетические диаграммыpn-перехода при нулевом, при прямом и обратном смещении.

  2. Примесные фоторезисторы. Спектральные характеристики примесных фоторезисторов и их зависимости от температуры.

  3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 18

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. ВАХ pn-перехода. Явление инжекции и экстракции.

  2. Тиристор. Энергетические диаграммы. ВАХ динистора.

  3. Зависимость контактной разности потенциалов от температуры.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 19

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Генерационно-рекомбинационные процессы в ОПЗ. Понятие эффективной времени жизни носителей.

  2. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОБ. Коэффициент передачи по току, коэффициент инжекции, коэффициент переноса.

  3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 20

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Распределение концентрации неосновных носителей в базе транзистора для различных режимов (нормальный усилительный, инверсный, насыщение и отсечки).

  2. Характеристическое сопротивление диода.

  3. Зависимость ВАХ диода от температуры.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 21

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Барьерная и диффузионная емкость pn-перехода.

  2. Включение транзистора по схеме с общим эмиттером. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОЭ.

  3. Зависимость обратного тока диода от степени легирования.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 22

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Дифференциальные параметры биполярного транзистора.

  2. Лавинный, туннельный и тепловой пробойpn-перехода.

  3. Зависимость барьерной ёмкости диода от обратного напряжения.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 23

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Температурная зависимость параметров биполярного транзистора.

  2. Тиристор. Энергетические диаграммы. ВАХ динистора.

  3. Зависимость диффузионной ёмкости диода от прямого тока.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 24

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Эквивалентные схемы транзисторов. Формулы Эберса-Молла.

  2. Тиристор. Энергетические диаграммы. Коэффициенты усиления тиристора.

  3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 25

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. r-параметры транзистора как четырехполюсника.

  2. МДП-транзистор со встроенным каналом. Структура и принцип действия.

  3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 26

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. g-параметры транзистора как четырехполюсника.

  2. МДП-транзистор с индуцированным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.

  3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.






ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 27

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. h-параметры транзистора как четырехполюсника.

  2. Биполярные транзисторы. Включение транзистора по схеме с общей базой. Принцип работы.

  3. Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 28

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Барьер металл-полупроводник. Явления на границе раздела. Область пространственного заряда.

  2. Включение транзистора по схеме с общим эмиттером. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОЭ.

  3. Зависимость обратного тока диода от степени легирования.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 29

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. МДП структура. Область пространственного заряда. Явления обогащения, обеднения, и инверсии на границе раздела.

  2. Типы тиристоров и их ВАХ.

  3. Зависимости ВАХ pn-перехода от температуры.


---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------





ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 30

Кафедра ППЭ

Утверждаю:

Зав.

МЭИ

Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника

кафедрой





Институт радиотехники и электроники

«14» 06 2011 г.

  1. Заполнение зон электронами в случае невырожденного полупроводника. Функция распределения Максвелла-Больцмана. Уровень Ферми.

  2. Диод Шоттки.

  3. Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.



---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------


написать администратору сайта