|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 1
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Движение электрона в кристалле. Уравнение Шредингера, волновая функция, ее физический смысл. Принцип Паули.
МДП-транзистор со встроенным каналом. Структура и принцип действия.
Зависимость ВАХ диода от температуры.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 2
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Зонная теория полупроводников. Валентная зона и зона проводимости. Запрещенная зона. Зависимость Eg от температуры. Значения Eg для основных материалов. Понятие эффективной массы.
МДП-транзистор с индуцированным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.
Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.
|
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 3
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Собственный и легированный полупроводник. Уравнение электронейтральности.
МДП-транзистор со встроенным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.
Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 4
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Заполнение зон электронами в случае вырожденного полупроводника. Функция распределения Ферми-Дирака. Уровень Ферми.
МДП-транзистор с индуцированным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.
Зависимость контактной разности потенциалов от температуры.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 5
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Заполнение зон электронами в случае невырожденного полупроводника. Функция распределения Максвелла-Больцмана. Уровень Ферми.
Диод Шоттки.
Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 6
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Эффективная плотность состояний и ее зависимость от температуры. Собственная концентрация.
Туннельные диоды. Энергетические диаграммы для различных смещений.
Зависимость ВАХ диода от температуры.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 7
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Донорный и акцепторный полупроводник. Зависимость положения уровня Ферми от температуры.
Типы тиристоров и их ВАХ.
Зависимость обратного тока диода от степени легирования.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 8
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Электропроводность полупроводников и ее зависимость от температуры. Определение Eg по температурным зависимостям электропроводности.
Влияние сопротивление базы на ВАХ pn-перехода. ВАХ диода в линейном и полулогарифмическом масштабе.
Зависимость барьерной ёмкости диода от обратного напряжения.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 9
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Подвижность электронов и дырок. Зависимость подвижности от температуры и концентрации ионов примеси.
Выпрямление на полупроводниковом диоде.
Зависимость диффузионной ёмкости диода от прямого тока.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 10
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Зависимость от температуры концентрации носителей и положения уровня Ферми. Температура истощения Ti.
Принцип работы светодиода.
Зависимость обратного тока диода от степени легирования.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 11
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Неравновесные носители заряда. Понятие квазиуровня Ферми. Генерационно-рекомбинационные процессы. Время жизни носителей. Механизмы рекомбинации. Максвелловское время релаксации.
Схемы включения МДП-транзистора.
Зависимость ВАХ диода от температуры.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 12
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Неравновесные носители в электрическом поле. Уравнение непрерывности. Уравнение Пуассона. Диффузионная длина.
Униполярные транзисторы. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом: принцип работы, ВАХ.
Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 13
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Диффузионные и дрейфовые токи. Коэффициент диффузии. Соотношение Эйнштейна.
Биполярные транзисторы. Включение транзистора по схеме с общей базой. Принцип действия.
Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 14
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Контакт электронного и дырочного полупроводника. Понятие работы выхода и энергии сродства. Область пространственного заряда.
Схемы включения МДП-транзистора.
Зависимость ВАХ диода от температуры.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 15
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Контакт электронного и дырочного полупроводника. Контактная разность потенциалов.
Собственные фоторезисторы: принцип работы.
Зависимость ВАХ диода от температуры.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 16
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Распределение концентрации носителей в pn-переходе при нулевом, прямом и обратном смещении.
Чувствительность фотоприемников. Спектральные характеристики собственных фоторезисторов.
Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 17
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Энергетические диаграммыpn-перехода при нулевом, при прямом и обратном смещении.
Примесные фоторезисторы. Спектральные характеристики примесных фоторезисторов и их зависимости от температуры.
Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 18
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
ВАХ pn-перехода. Явление инжекции и экстракции.
Тиристор. Энергетические диаграммы. ВАХ динистора.
Зависимость контактной разности потенциалов от температуры.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 19
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Генерационно-рекомбинационные процессы в ОПЗ. Понятие эффективной времени жизни носителей.
Статические ВАХ транзистора по схеме с ОБ. Коэффициент передачи по току, коэффициент инжекции, коэффициент переноса.
Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 20
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Распределение концентрации неосновных носителей в базе транзистора для различных режимов (нормальный усилительный, инверсный, насыщение и отсечки).
Характеристическое сопротивление диода.
Зависимость ВАХ диода от температуры.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 21
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Барьерная и диффузионная емкость pn-перехода.
Включение транзистора по схеме с общим эмиттером. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОЭ.
Зависимость обратного тока диода от степени легирования.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 22
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Дифференциальные параметры биполярного транзистора.
Лавинный, туннельный и тепловой пробойpn-перехода.
Зависимость барьерной ёмкости диода от обратного напряжения.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 23
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Температурная зависимость параметров биполярного транзистора.
Тиристор. Энергетические диаграммы. ВАХ динистора.
Зависимость диффузионной ёмкости диода от прямого тока.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 24
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Эквивалентные схемы транзисторов. Формулы Эберса-Молла.
Тиристор. Энергетические диаграммы. Коэффициенты усиления тиристора.
Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 25
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
r-параметры транзистора как четырехполюсника.
МДП-транзистор со встроенным каналом. Структура и принцип действия.
Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 26
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
g-параметры транзистора как четырехполюсника.
МДП-транзистор с индуцированным каналом. Выходные вольт-амперные характеристики.
Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай тонкой базы.
|
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 27
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
h-параметры транзистора как четырехполюсника.
Биполярные транзисторы. Включение транзистора по схеме с общей базой. Принцип работы.
Распределение концентрации носителей в диоде в зависимости от смещения. Случай толстой базы.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 28
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Барьер металл-полупроводник. Явления на границе раздела. Область пространственного заряда.
Включение транзистора по схеме с общим эмиттером. Статические ВАХ транзистора по схеме с ОЭ.
Зависимость обратного тока диода от степени легирования.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 29
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
МДП структура. Область пространственного заряда. Явления обогащения, обеднения, и инверсии на границе раздела.
Типы тиристоров и их ВАХ.
Зависимости ВАХ pn-перехода от температуры.
|
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 30
Кафедра ППЭ
|
Утверждаю:
Зав.
|
МЭИ
|
Дисциплина Твердотельная электроника и микроэлектроника
|
кафедрой
|
|
Институт радиотехники и электроники
|
«14» 06 2011 г.
|
Заполнение зон электронами в случае невырожденного полупроводника. Функция распределения Максвелла-Больцмана. Уровень Ферми.
Диод Шоттки.
Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования.
|
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- |
Скачать 174.5 Kb.