Лабораторная1 по электронике. Электроника
 Скачать 76.06 Kb.
|
|
МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский технический университет связи и информатики» Кафедра «Электроники» Лабораторная работа №1 «Исследование идеализированного p-n перехода» по дисциплине «Электроника» Выполнила: студент гр. БИН 2106 Ахмадеев В.А. Москва, 2022 г. Цель лабораторной работы: Определить основные характеристики идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь р-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения: контактная разность потенциалов, толщина, тепловой ток (ток насыщения), напряжение и тип пробоя, барьерная ёмкость. Рисунок:  Формулы: В зависимости от толщины p-n перехода в нём возникает лавинный или, в очень тонких p-n переходах, туннельный пробой. Напряжение лавинного пробоя Uпроб.л можно рассчитать по приближенной формуле:  Напряжение туннельного пробоя Uпроб.топределяется выражением:  Возникает тот пробой, напряжение которого меньше. При Uпроб.л @Uпроб.т характер пробоя – смешанный. Для идеализированного p-n перехода в отсутствие напряжения барьерная ёмкость определяется соотношением  где S – площадь перехода. NA,NД – концентрации примесей Для идеализированного p-n перехода  ,где D – коэффициент диффузии, S – площадь p-n перехода, L – диффузионная длина, Nб – концентрация примеси в базе. Таблица:  Вывод: Проведя опыт и рассмотрев различные случаи изменения параметров выяснили: Для того чтобы увеличить напряжение пробоя нужно уменьшить концентрацию примесей на базе. Для того чтобы уменьшить барьерную ёмкость нужно уменьшить площадь перехода. Для того чтобы уменьшить тепловой ток нужно либо увеличить концентрацию на базе либо уменьшить площадь перехода. В нашем варианте используются второй способ. |