Элементная база микроэлектроники
 Скачать 0.98 Mb.
|
|
Вопросы к самостоятельно изученным разделам курса к пятому занятию по теме: Элементная база микроэлектроники Какое время атом может находиться в метастабильном состоянии? Метастабильное = возбужденное. Время 1/100 000 000 (одна стомилионная доля) секунды Чем сопровождается переход атома из возбужденного в нормальное состояние? Атом переходит в возбужденное состояние при переходе электрона на более высокий энергетический уровень (на орбиту дальше от ядра), а такой переход возможен только при поглощении кванта (порции энергии, равной разности энергий уровней) Соответственно, переход атома из возбужденного состояния в стабильное переходом электрона на прежний энергетический уровень и выделением избытка энергии в виде электромагнитного излучения. Каким физическим эффектом сопровождается процесс рекомбинации атома?  Что принято понимать под запрещенной зоной? В чем отличие запрещенной зоны металлов от запрещенной зоны диэлектриков?     Какие три типа проводимости существуют в полупроводниках?  Какой полупроводник принято называть собственным? При температуре выше абсолютного нуля электроны совершают колебания и, получив энергию больше ширины запрещенной зоны, могут оторваться и свободно перемещаться по кристаллу. Так как атом лишился одного из своих электронов, он приобретает таким образом положительный заряд и свободное место, называемое дыркой.   Какой промежуток времени называют временем жизни свободного электрона? Рекомбинация – свободный электрон заполняет дырку ковалентной связи, пара носителей заряда (электрон – дырка) исчезает.   Какое движение носителей заряда в полупроводнике называют дрейфом?   Какой физический смысл содержится в понятии подвижность электронов или дырок? (см вопрос 9)  За счет каких физических явлений в области р-n перехода возникает двойной электрический слой?  Как можно скомпенсировать двойной электрический слой в области р-n перехода? Чем отличается инжекция носителей от экстракции? Чем отличается дрейфовый ток от диффузионного? За счет чего биполярный транзистор получил свое название? Из каких трех областей состоит биполярный транзистор? Какая область в биполярном транзисторе имеет самые маленькие геометрические размеры? Как называется средний слой в биполярном транзисторе? Какие требования предъявляются к базе в биполярном транзисторе? Для чего служит изолирующий слой в биполярном транзисторе? На каком эффекте основан принцип действия полевого транзистора? На каком эффекте основан принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом? Что обозначают аббревиатуры МДП и МОП? Какие три электрода входят в конструкцию полевого транзистора? Уменьшение толщины подзатворного окисла приводит к уменьшению или увеличению тока в полевом транзисторе? Зависит ли величина крутизны полевого транзистора от диэлектрической проницаемости подзатворного диэлектрика? Если нет, то почему? Как влияет значение крутизны полевого транзистора на его работу? Как зависит величина крутизны от длины индуцированного канала? Как зависит величина крутизны от характеристик полупроводникового материала? Как зависит величина крутизны от длины индуцированного канала? Влияет ли величина подвижности носителей заряда на характеристики транзистора? Если нет, то почему? Какой принцип действия заложен в функционирование инвертора? Какая логическая схема реализует положительную логику, а какая отрицатальную? |