Термины:
|
Описание терминов:
|
Z, Y, S, X - параметры
|
Z-параметры также известны как параметры импеданса разомкнутой цепи, являются матрицой сопротивлений (импедансов) цепи Y - параметры относятся ко вторичным параметрам. Они имеют смысл проводимостей, а также являются матрицой адмитансов (обратная Z) S - матрица коэффициентов отражения цепи X-параметры являются обобщением S-параметров и используются для характеристики амплитуд и относительной фазы гармоник, генерируемых нелинейными компонентами при больших уровнях входной мощности.
|
Передающие линии
|
два или несколько параллельных проводников, которые предназначены для направленной передачи по ним электромагнитной энергии или электрических сигналов от одного объекта к другому.
|
Многополюсник
|
Абстрактное представление цепи в виде системы имеющий N входов и выходов. Связь между входами и выходами описаывается, например, S-параметрами
|
Усилители класса A, B
|
Класс усилителя определяет режим, в котором работает усилитель. Режим А — такой режим работы усилительного элемента (транзистора или лампы), в котором при любых допустимых мгновенных значениях входного сигнала ток, протекающий через усилительный элемент, не прерывается. Усилительный элемент не входит в режим отсечки, не отключается от нагрузки, поэтому форма тока через нагрузку повторяет входной сигнал. В частном случае усилителя гармонических колебаний режим А — такой режим, в котором ток через усилительный элемент протекает в течение всего периода, то есть угол проводимости 2Θc равен 360°; Режим B – усилительный элемент способен воспроизводить либо только положительные (лампы, npn-транзисторы), либо только отрицательные (pnp-транзисторы) входные сигналы. При усилении гармонических сигналов угол проводимости равен 180° или незначительно превосходит эту величину.
|
Экстракция параметров электронных схем
|
Определение параметров эквивалентной (упрощенной) эл схемы для данного полупроводникового прибора
|
Коэффициент шума
|
отношение амплитуды шума к амплитуде полезного сигнала
|
Тепловой шум
|
Шум возникающий в следствии теплового движения носителей заряда
|
Фазовый шум
|
фазовый шум является частотной областью представления случайных флуктуаций фазы в виде формы волны , соответствующее временной область отклонений от идеальной периодичности, также фазовый шум является добавочной к исходному сигналу случайной фазой
|
Тепловой потенциал
|
Отношение средней энергии теплового движения носителей заряда к единичному заряду
|
Ток насыщения
|
максимальная величина обратного тока, протекающего через диод
|
Коэффициент усиления
|
Отношение амплитуды выходного сигнала к амплитуде входного сигнала усилителя
|
Малошумящий усилитель (МШУ)
|
это электронный усилитель , который усиливает сигнал очень низкой мощности без значительного ухудшения его отношения сигнал / шум
|
Фзовращатель
|
электрическое устройство в виде четырехполюсника, в котором обеспечивается постоянный заданный сдвиг фаз между переменными напряжениями на его входе и выходе.
|
Смеситель
|
электрическая цепь, создающая спектр комбинационных частот при подаче на неё двух или более сигналов разной частоты
|
Монолитная интегральная схема
|
Интегральная схема, изготовленная по твердотельной технологии и предназначенная для работы на сверхвысоких частотах
|
TOP Mask (топологическая маска)
|
TOP Mask – маска на верхнем слое ПП. Маска это покрытие препятствующее распространению припоя при пайке.
|
Печатная плата
|
представляет собой плоское изоляционное основание, на одной или обеих сторонах которого расположены токопроводящие полоски металла (проводники) в соответствии с электрической схемой.
|
Затвор, исток, сток транзистора
|
Затвор - вывод тразистора управляющий токов через исток/сток
|
эмиттер коллектор база тразистора
|
База - вывод тразистора управляющий токов через коллектор / эмиттер
|
HEMT транзисторы
|
транзистор с высокой подвижностью носителей
|
MOSFET транзистор
|
(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) – полевой транзистор с изолированным затвором (МДП – транзистор), затвор которого отделён от канала тонким слоем диэлектрика (обычно двуокись кремния SiO2).
|
BJT транзистор
|
Биполярный транзистор
|
Амплитудная модуляция
|
вид модуляции, при которой изменяемым параметром несущего сигнала является его амплитуда
|
Фазовая/частотная модуляция
|
вид аналоговой модуляции, при которой модулирующий сигнал управляет частотой несущего колебания
|
Квадратурная модуляция
|
разновидность амплитудной модуляции сигнала, которая представляет собой сумму двух несущих колебаний одной частоты, но сдвинутых по фазе относительно друг друга на 90°
|
Ряды Вольтерра
|
Аналог рядов Тейлора в функциональном пространстве
|
Метод Гармонического баланса
|
метод анализа в частотной области, предназначенный для симуляции искажений в нелинейных схемах и системах.
|
Метод малого сигнала
|
Метод возмущения для изучения поведения сигналов с малой амплитудой в нелинейных эл. Цепях
|
Метод узловых потенциалов
|
формальный метод расчета электрических цепей путём записи системы линейных алгебраических уравнений, в которой неизвестными являются потенциалы в узлах цепи.
|
Метод Ньютона-Рафсона
|
это итерационный численный метод нахождения корня (нуля) заданной функции.
|
Численные схемы Адамса
|
конечноразностный многошаговый метод численного интегрирования обыкновенных дифференциальных уравнений первого порядка.
|
Метод Моментов
|
Проекционный метод решения дифференциальных и интегральных уравнений
|
Метод конечных разностей во временной области FDTD
|
Метод использующий аппроксимацию частных производных конечными разностями и предназначенный для численного решения уравнений Максвелла
|
GaAs MESFET транзисторы
|
полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОП-транзисторов)
|
Передающий генератор
|
Схема для генерации э/м волн, подаваемых на излучающее устройство / приемное устройство
|
Приёмный генератор
|
|
Законы Кирхгофа
|
Соотношения, которые выполняются между токами и напряжениями на участках любой электрической цепи.
|
npn транзистор
|
Полевой транзистор, эмиттеру и коллектору которого состоит из n-слоя, база из p-слоя
|
pnp транзистор
|
Полевой транзистор, эмиттеру и коллектору которого состоит из p-слоя, база из n-слоя
|
диапозоны частот СВЧ
|
Диапазон радиоволн с длиной волны от 10 см до 1 см, что соответствует частоте от 3 ГГц до 30 ГГц
|
TOP Assy
|
сборка на верхнем слое
|
TOP Silk
|
шелкография на верхнем слое ПП
|
TOP Paste
|
По этому слою выполняется изготовление трафаретов для нанесения паяльной пасты при монтаже элементов на верхнем слое ПП.
|
1. Top.
|
Верхний слой топологии (металлизации) ПП. В этом слое расположены КП элементов, дорожки, полигоны.
|
2. Bottom.
|
Нижний слой топологии ПП.
|
3. BOT Paste.
|
По этому слою выполняется изготовление трафаретов для нанесения паяльной пасты при монтаже элементов на нижнем слое ПП.
|
4. BOT Mask
|
маска на нижнем слое ПП.
|
5. BOT Silk
|
шелкография на нижнем слое ПП.
|
6. BOT Assy
|
сборка на нижнем слое ПП.
|
7. Board Outline
|
слой, в котором задаются границы ПП.
|
Дорожка
|
линия металлизация на слое, соединяющая элементы топологии
|
Полигон
|
область металлизации в общем случае в виде многоугольника
|
Переходные отверстия
|
металлизированные отверстия, соединяющие между собой сигнальные слои ПП
|
Амплитудная характеристика усилителя
|
зависимость амплитуды первой гармоники выходного напряжения усилителя от амплитуды гармонического входного напряжения;
|
Амплитудно-частотная характеристика
|
ависимость модуля коэффициента усиления от частоты;
|
Фазочастотная характерисика
|
зависимость сдвига по фазе между выходным и входным параметрами усилителя от частоты;
|
Переходная характеристика
|
зависимость выходного напряжения (тока) от времени при скачкообразном (ступенчатом) воздействии входного напряжения (тока);
|
Коэффициент гармоник
|
параметр, характеризующий нелинейные искажения синусоидального сигнала, равный отношению среднеквадратичной суммы действующих значений напряжения или тока высших гармоник сигнала, появившихся в результате нелинейных искажений, к действующему значению напряжения или тока основной частоты.
|
Болометр
|
измерительный прибор тепловой приёмник стеклянный баллон (вакуум или инертный газ) с впаянными в стекло выводами. Внутри болометра между выводами - тонкая платиновая нить. Ее толщина порядка 0,5 - 5 мкм.
|
Термисторы
|
полупроводники,обладающие отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) в отличии от болометров с положительным ТКС . Полупроводник, как и платиновая нить, помещается в стеклянный баллон.
|
интегральная схема
|
электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус или без такового в случае вхождения в состав микросборки.
|
Функциональное пространство
|
совокупность функций с определённым для них тем или иным способом понятием расстояния
|
АЧХ фильтра
|
показывает как изменяется уровень амплитуду сигнала проходящего через этот фильтр в зависимости от частоты сигнала.
|
Частота среза/частота отсечки
|
это частота, на которой происходит спад амплитуды выходного сигнала до значения равного 0,7 от входного.
|
Крутизна частотной характеристики фильтра
|
это показатель того, на сколько резко изменяется амплитуда входного сигнала на выходе при изменении его частоты. Чем быстрее происходит спад АЧХ тем лучше.
|
Фильтры высоких и низких частот
|
это обыкновенные электрические цепи, состоящие из одного или нескольких элементов, обладающих нелинейной АЧХ, т.е. имеющих разное сопротивление на разных частотах.
|
Одноэлементный фильтр
|
фильтр состоящий из одного элемента: или конденсатора (для выделения верхних частот), или катушки индуктивности (для выделения нижних частот).
|
Г-образный фильтр
|
это обыкновенный делитель напряжения с нелинейной АЧХ и его можно представить в виде двух сопротивлений:
|
Полевой транзистор
|
полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
|
Скачать 92 Kb.