Исследование полупроводникового диода. Ход работы

• Название: Ход работы
• Анкор: Исследование полупроводникового диода
• Дата: 26.06.2022
• Размер: 2.1 Mb.
• Имя файла: Lab_2.docx
• Тип: Документы; #616237

Ход работы

1. 
   Снять вольт-амперную характеристику (ВАХ) I(U) полупроводникового диода 1N1204С разными способами:
   

Воссоздадим данные схемы в программе.





Используем первую схему для снятия прямой ветви изменением тока источника тока от 0 до 0,1 А. Результаты измерений записаны в таблицу ниже.

Iпр.	0	0.01	0.02	0.03	0.04	0.05	0.06	0.07	0.08	0.09	0.1
Uпр.	0	0.358	0.394	0.415	0.430	0.441	0.451	0.459	0.466	0.472	0.477

Использовать вторую схему для снятия обратной ветви изменением напряжения источника ЭДС от 0 до 483 В. Результаты измерений записать в таблицу.

Uобр.	0	50	90	100	110	200	350	480	481	482	483
Iобр.	0	9.940мкА	9.933мкА	9.948мкА	1.478кА	15.465кА	38.785кА	58.998кА	59.154кА	59.309кА	59.465кА

2. 
   Снятие ВАХ с помощью характериометра.
   

Изменили параметры симуляции.

3. 
   Зафиксировали напряжение пробоя.
   

Вывод: Опытным путём исследовали ВАХ полупроводникового диода с помощью амперметра и вольтметра и с использованием характериометра в симуляции. Познакомились с виртуальными приборами в Multisim.