этм 3 лб. Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов
 Скачать 78.5 Kb.
|
Выводы:в результате проделанной работы мы определили характер зависимости фотопроводимости полупроводников от длины волны падающего света (соответствующие зависимости представлены на графиках выше), рассчитали значения энергии активации фотопроводимости и получили следующие значения:  Так как мы знаем, что в работе использовались сульфид кадмия и селенид кадмия, то можно сравнить экспериментально найденные значения ширины запрещённой зоны с табличными значениями:   Таким образом, мы видим, что экспериментальные и теоретические значения сильно отличаются. Это связано с высокой погрешностью измерений, а также со значительной неточностью в определении красной границы фоторезистивного эффекта. Также в результате данной работы мы установили характер световых характеристик полупроводников (зависимость  ), которая представлена на рисунках 3,4. |