Исследование генератора постоянного тока производства пт
 Скачать 1.42 Mb.
|
|
11 - лабораторные работы Тема: Исследование генератора постоянного тока производства ПТ. Цель работы:Исследование рабочих свойств генератора тока на полевом транзисторе. Изучить применение ПТ в качестве нагрузочного резистора. 1. Подготовка к лабораторным работам: При этом исследуйте влияние значения сопротивления в цепи тока запаса на внешний вид характеристики передачи. Обратите внимание, что характеристики сигнала будут отличаться, когда разные полевые транзисторы используются в качестве квазилинейной нагрузки. Передаточная характеристика переключателя при определении уровней логических сигналов Uвыход = f (Uвход) Обратите внимание, что (Рисунок 11.1)  11.1 - рисунок. Передаточные характеристики переключателя Логический ноль U0 и логическая единица U1 определяются из точек пересечения передаточной характеристики уровней и ее зеркального отражения (пунктирная линия). ΛU = U1 - U0называется разностью уровней логических сигналов. 2. Задание на лабораторные работы: 2.1. Исследование влияния сопротивления нагрузки на характеристику коммутационного сигнала выполнено в ПТ Uвых = f (Uвход). п- На рисунке 11.2 изображена принципиальная схема канального индуктивного МДЯ-транзистора. Схема питается от источника E2 = 9V. Входное напряжение поступает от регулируемого источника напряжения Е1 Uвход. Используйте цифровой вольтметр и амперметр для измерения выходного напряжения ИБП и потребляемого тока. В качестве VT1 возьмем один из n-канальных транзисторов в микросхеме К176ЛП1. Для удобства работы нарисуйте схематическую диаграмму микросхемы, приведенную в приложении, и отметьте номера электродов. Задание на лабораторные работы: 
Подключить линейный резистор R = 51 кОм к стоковой цепи транзистора МДЯ; - установить значение источника напряжения E2 = 9 В; - измерить зависимость UCHIQ = f (UKIR) и IIST = f (UKIR) путем изменения входного напряжения от 0 до 9V; - повторить измерения для значений сопротивления R = 10 кОм и 3,5 кОм; - Постройте графики зависимости UCHIQ = f (UKIR), используя экспериментальные результаты. 2.2. n - Исследование коммутационных характеристик транзисторов МДЯ. пПринципиальная схема переключателя на транзисторах -МДЯ приведена на рисунке 11.3. В качестве транзисторов VT1 и VT2 возьмем опциональные транзисторы на микросхеме К176ЛП1 или отдельную схему переключателя. Повторите эксперименты из пункта 2.1. 2.3. Исследование коммутационных характеристик транзисторов КМДЯ. Принципиальная схема переключателя на транзисторах КМДЯ представлена на рисунке 11.4. В качестве транзисторов VT1 и VT2 возьмем опциональную пару комплементарных транзисторов или отдельную схему переключения на микросхеме К176ЛП1. Повторите эксперименты из пункта 2.1. 3. Обработка результатов, полученных в эксперименте. 3.1. Постройте характеристики передачи, полученные на шаге 2. 3.2. Определите разницу между уровнями логического сигнала U0 и U1 и уровнями логического сигнала LU = U1 - U0 для каждого переключателя. Запишите результаты в Таблицу 11.1. 11.1 - стол
3.3. Определите среднее значение потребляемой мощности от источника по логическому нулю и логическому тесту:  ;  .Содержание отчета. - схемы измерений; - таблицы и графики полученных зависимостей; - Анализ результатов измерений и расчетов. Контрольные вопросы. 1. Объясните, что параметры переключателя, подключенного к резистору в качестве нагрузки, зависят от значения сопротивления на нагрузке. 2. Почему коммутатор на транзисторах КМДЯ не потребляет энергию от источника в статических случаях?  |