Исследование характеристик биполярного транзистора
 Скачать 5.65 Mb.
|
|
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ПОВОЛЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» КАФЕДРА ПиП ЭВС Отчёт по лабораторной работе№7-8 По дисциплине: СХЕМО- И СИСТЕМОТЕХНИКА ЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ На тему: ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Выполнил: студенты 3 курса специальности «УИТС» группы УИТС-31 Косулина Валентина Симагина Екатерина Моисеева Юлия Проверил: к.т.н, доцент Танрывердиев Илья Оруджевич Подпись___________ Дата__________ Йошкар-Ола 2019г ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №7 Исследование характеристик биполярного транзистора. Цель работы: получение входной характеристики и семейства выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Полупроводниковый прибор, имеющий 3 электрода и 2 взаимодействующих p-n перехода, называется биполярным транзистором. Различают p-n-p и n-p-n транзисторы. В основном биполярные транзисторы применяются для построения схем усилителей, генераторов и преобразователей электрических сигналов в широком диапазоне частот. Разновидностью бип. транзисторов являются лавинные транзисторы, предназначенные для формирования мощных импульсов наносекундного диапазона. В двухэмиттерных модуляторных транзисторах конструктивно объединены 2 транзисторные структуры. Широкое распространение получили составные биполярные транзисторы, обладающие очень высоким коэффициентом передачи тока. Задание 1. Получение входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. 4.1.2  4.1.3 Установим значение тока базы примерно равным 10 мкА  Установим значение тока базы примерно равным 40 мкА |