вге. Исследование основных параметров составного транзистора по его вольтамперным характеристикам

• Название: Исследование основных параметров составного транзистора по его вольтамперным характеристикам
• Дата: 03.05.2022
• Размер: 290 Kb.
• Имя файла: laba5.doc
• Тип: Исследование; #510392

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования

Брянский государственный технический университет

(БГТУ)
Факультет энергетики и электроники

Кафедра «Электронные, радиоэлектронные и электротехнические системы»

Дисциплина «Электроника»
Отчёт

о лабораторной работе № 8

по теме

«Исследование основных параметров составного транзистора по его вольт-амперным характеристикам»

Выполнил:

студент группы O-20-ЭиЭ-эиа-Б

А.А. Дубинин

В.Н. Савченко
Проверил:

доцент кафедры, к.т.н., доцент

И.И. Медведев

Брянск 2022

Лабораторная работа №8

«Исследование основных параметров составного транзистора по его вольт-амперным характеристикам»
Цели работы:

1. 
   Исследовать основные параметры составного транзистора по его вольт-амперным характеристикам.
   
2. 
   Закрепить теоретические знания по текущей теме.
   
3. 
   Приобретение и закрепление практических навыков работы с интерактивным эмулятором радиосхем Multisim.
   

Выполнение работы:

З
Iб, мА
адание 8.1. Определить параметры h11э и h12э составного транзистора 2N2712 по его входным статическим характеристикам в трёх точках, для которых указано напряжение база-эмиттер в таблице 1.

Uбэ, В

Uкэ = 0

Uкэ = 5В


Рисунок 1 – Определение параметра h11
Таблица 1 – Определение h-параметров по входным характеристикам.

	ΔUБЭ, В	ΔIб, мА	h11э, Ом	ΔUБЭ, В	ΔUКЭ, В	h12э
Uбэ = 5 В	4,1762	344,88	12,11	4,1762	5	0,835
Uбэ = 4 В	4,1906	266,51	15,72	4,1906	5	0,838
Uбэ = 3 В	4,2204	187,22	22,54	4,2204	5	0,844

Рисунок 2 – Результаты измерений для U_БЭ = 3 В


Рисунок 3 – Результаты измерений для U_БЭ = 4 В


Рисунок 4 – Результаты измерений для U_БЭ = 5 В
Задание 8.2. Определить параметры h21э составного транзистора 2N2712 по его выходным статическим характеристикам в точках, значения которых описаны в таблице 2.



Рисунок 5 – Определение параметра h21
Таблица 2 – Расчет параметра h21э

	Iб = 0,1 мА			Iб = 0,5 мА			Iб = 1 мА
	ΔIк, мА	ΔIб, мА	h21э	ΔIк, мА	ΔIб, мА	h21э	ΔIк, мА	ΔIб, мА	h21э
Uкэ = 2 В	88,81	0,1		189,192	0,4		142,07	0,5
Uкэ = 5 В	96,71	0,1		204,14	0,4		153,02	0,5
Uкэ = 10 В	110,43	0,1			0,4			0,5

Рисунок 6 – Результаты измерений при Uкэ=2В



Рисунок 7 – Результаты измерений при Uкэ=5В


Рисунок 8 – Результаты измерений при Uкэ=10В
Задание 5.3. Определить параметры h22э транзистора 2N2712 по его выходным статическим характеристикам в точках, значения которых описаны в таблице 5.3.



Рисунок 9 – Определение параметра h22
Таблица 3 – Расчет параметра h22э

	Iб = 0,1 мА			Iб = 0,5 мА			Iб = 1 мА
	ΔIк, мА	ΔUкэ, В	h22э, См	ΔIк, мА	ΔUкэ, В	h22э, См	ΔIк, мА	ΔUкэ, В	h22э, См
Uкэ = 1 В	0,4106	2	0,2053	1,727	2	0,8634	2,919	2	1,459
Uкэ = 5 В	0,615	3	0,2053	2,5904	3	0,863	4,3798	3	1,46
Uкэ = 10 В	0,4106	2	0,2053	1,727	2	0,8635	2,919	2	1,459

Рисунок 10 – Результаты измерений при Uкэ=1В


Рисунок 11 – Результаты измерений при Uкэ=5В


Рисунок 12 – Результаты измерений при Uкэ=10В
Задание 5.4. На выходных статических ВАХ транзистора 2N2712 построить параболу максимальной мощности.

Таблица 4 – Координаты для построения параболы максимальной мощности

Uкэ, В	0,5	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12
Iк, А	0,6	0,3	0,15	0,1	0,075	0,06	0,05	0,042	0,037	0,033	0,03	0,027	0,025

Рисунок 13 – Парабола максимальной мощности
Вывод: На примере биполярного транзистора 2N2712 мы исследовали основные параметры, снятые с помощью характериографа программы Multisim. С помощью рабочих точек и формул рассчитали h-параметры транзистора. Результаты получились удовлетворительными, так как совпадают с теоретическими значениями.