лабораторные работы. Методические указания к лабораторной работе. Исследование полупроводниковых диодов. Методические указания к лабораторной работе г. Набережные Челны 2003 г
 Скачать 328.5 Kb.
|
Классификация диодов:Выпрямительные Стабилитроны Туннельные Обращённые Варикапы Фотодиоды Светодиоды 8. Диоды Шоттки  В  ыпрямительные диоды.Рис.2. Схема включения и вольт-амперная характеристика диода Диоды подразделяются на точечные и плоскостные. Плоскостные диоды обладают большей площадью и ёмкостью перехода. Схема замещения диода показана на рис.3.  Рис.3. Схема замещения диода. Так как сопротивление емкости обратно пропорционально частоте напряжения, согласно формуле  ,на высоких частотах сопротивление диода снижается практически до нуля, p-n-переход не работает на этих частотах . Для снижения паразитной ёмкости p-n-перехода используют точечные переходы, т.е. снижают площадь контакта, которая достигает в СВЧ-диодах порядка 1 мкм2, а граничная частота детектирования – сотен ГГц. При подаче прямого напряжения (« + » на анод, « » на катод) на диод до 0,3 В ,ток через диод не протекает. Это напряжение необходимо для преодоления потенциального барьера контактного перехода. При дальнейшем повышении напряжения ток резко увеличивается и имеет квадратичную зависимость от напряжения. Дальнейшее повышение напряжения может привести к превышению максимально допустимого значения тока, а температура в области катода, где происходит рекомбинация электронов и дырок, может превысить максимально допустимое значение. В этом случае происходит необратимый процесс теплового пробоя p-n-перехода. При подаче обратного напряжения, ширина p-n-перехода увеличивается, тем самым ограничивается число инжектируемых электронов из n- в p-область. При достижении UПР происходит электрический пробой (процесс обратимый). При дальнейшем повышении напряжения электрический пробой переходит в тепловой (необратимый процесс). |