лабораторные работы. Методические указания к лабораторной работе. Исследование полупроводниковых диодов. Методические указания к лабораторной работе г. Набережные Челны 2003 г
 Скачать 328.5 Kb.
|
|
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Камский государственный политехнический институт Исследование полупроводниковых диодов. Методические указания к лабораторной работе г.Набережные Челны 2003 г. ЛАБОРАТОРНАЯ PAБOTA 1 исследование полупроводниковых диодов Цель работы: Изучение принципа действия, конструкции германиевых и кремниевых полупроводниковых диодов. Снятие их статических характеристик. Основные теоретические положения Главными свойствами, обуславливающими широкое применение электронных устройств, является высокая чувствительность, большое быстродействие и универсальность. Чувствительность электронных устройств, называемая пороговой, определяется абсолютным значением входной величины, при котором они начинают работать. Пороговая чувствительность современных электронных устройств составляет: 10-17 А по току, 10-13 по напряжению,10-24 Вт по мощности. Большое быстродействие электронных устройств имеет важное значение при автоматическом регулировании, контроле и управлении быстропротекающими процессами, достигающих долей микросекунды. Универсальность заключается в том, что в электрическую энергию, на изменении которой основано действие всех видов электронных приборов, сравнительно легко преобразуются в другие виды энергии: механическая, тепловая, акустическая, атомная и др. Подобная универсальность очень важна для промышленной электроники, так как в промышленности используются все виды энергии.  Для проводников не существует запретной зоны. В полупроводнике ширина запретной зоны около 3 эВ У диэлектриков ширина запретной зоны около 12 эВ. В результате электрон не может преодолеть запрещенную зону, поэтому тока в диэлектрике не существует до напряжения пробоя. Свойства материала (проводимость) зависят от внешних условий (t°, поглощение различных излучений) |