Мультивибраторы. Изучение мультивибратора
Скачать 136.1 Kb.
|
РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 7 ИЗУЧЕНИЕ МУЛЬТИВИБРАТОРА 7.1. Цель работы 7.1.1. Изучить схему и принцип действия мультивибратора с коллекторно-базовыми конденсаторами. 7.1.2. Изучить особенности работы транзистора в ключевом режиме. 7.1.3.Получить навыки расчета импульсных схем на примере схемы автоколебательного мультивибратора. 7.2. Содержание расчетного задания 7.2.1. Выполнить расчет ключевого режима работы транзисторов указанных в индивидуальном задании к работе № 1. 7.2.2. Выполнить расчет схемы симметричного мультивибратора. Варианты исходных параметров для расчета приведены в таблице 7.1 и указываются преподавателем. 7.3. Методические указания 7.3.1. Ключевой режим работы транзистора. Основой сложных импульсных схем являются транзисторные ключи. Транзисторным ключом называют схему, основное назначение которой состоит в замыкании и размыкании цепи нагрузки с помощью управляющих входных сигналов. Качество транзисторного ключа определяется минимальным падением напряжения на нем в замкнутом состоянии, когда транзистор открыт до насыщения, минимальным током в разомкнутом состоянии, когда транзистор полностью закрыт, и скоростью перехода из одного состояния в другое. Насыщенные ключи работают в режиме отсечки и насыщения, скачком переходя из одного режима в другой (точки А и В на рис. 7.1). Рис.7.1.Работа транзистора в ключевом режиме Таблица 7.1 Параметры элементов схемы мультивибратора
Мощность, рассеиваемая транзистором в режиме отсечки, рассчитывается по формуле: Ротс = Ек Iкбо = 30*1 = 30,Вт (7.1) где Iкбо- обратный ток с коллектора на базу; Ек = Епит - приведены для всех вариантов в таблице 7.1. Мощность, рассеиваемая транзистором в режиме насыщения: Рнас = Iкн Uкэн = 0,004*0,35 = 0,0014, Вт (7.2) где UКЭН - падение напряжения на транзисторе в режиме насыщения; Iкн - ток коллектора в режиме насыщения. Ток коллектора Iкн равен: =0,004 А (7.3) Средняя мощность, рассеиваемая транзистором за время прямого и обратного переключений: = 0,0074, Вт (7.4) где Т - период колебаний, рассчитываемый через уравнение: Т= tи1+tи2; tФ - длительность фронта (длительность обоих фронтов считаем одинаковой). Длительности tи1 и tи2 рассчитываются через исходные параметры мультивибратора, приведенные в таблице 7.1 по формуле: tи = 0,7 · Cб · Rб = 0,0028 с (7.5.) Длительность фронта у импульсов мультивибратора можно рассчитать через параметры схемы Сб и Rк приведенные в по формуле: tф = 2,3 Сб Rк = 0,0008 с (7.6) Полная мощность, рассеиваемая в ключе: = 18,49, Вт (7.7) где tотс, tнас - время нахождения транзистора в состоянии отсечки или насыщения (соответствуют tи1 и tи2 приведенным на временных диаграммах рис. 7.3,б) 7.3.2. Симметричный мультивибратор Мультивибратор является генератором релаксационных колебаний, форма которых близка к прямоугольной. Частота колебаний и их амплитуда определяются параметрами схемы мультивибратора, характеристиками транзисторов и напряжением источников питания. Мультивибраторы могут работать в режиме автоколебаний, внешнего запуска и синхронизации. Если усилительные элементы, сопротивления и емкости обоих плеч одинаковы, то мультивибратор называется симметричным. Симметричный мультивибратор генерирует на выводах коллекторов импульсы одинаковой длительности, но противоположной полярности. Мультивибратор в автоколебательном режиме представляет собой двухкаскадный усилитель на транзисторах с положительной обратной связью (рис 7.2). Рис.7.2. Симметричный мультивибратор с коллекторно-базовыми связями Для снижения зависимости частоты колебаний от изменения –Ek напряжение смещения на базы транзисторов подают в отпирающей полярности через Rб. Период колебаний Т зависит от параметров Rб и конденсаторов обратной связи С. Допустим в данный момент времени VT1 открыт, а VT2 закрыт и через VT1 течет ток, определяемый током Rк1 и током заряда С1 через Rб1.Ток заряда С1 вызывает падение напряжения на Rб1 с полярностью запирающей VТ2. После заряда С1 напряжение запирающее VТ2 снижается и VТ2 отпирается, при этом Uк2 уменьшается, и этот перепад напряжения через С2 плюсом подается на базу VТ1 и закрывает его. Этот процесс идет лавинообразно и заканчивается сменой состояний транзисторов. Теперь начинается перезаряд С2 по цепи: Ек-Rб2-С2-VТ2-земля. Через время tи=0,7Rб2С2 заканчивается заряд С2, при этом напряжение запирающее VТ1 снижается и он начинает отпираться, что приводит к следующему переключению транзисторов. Рис.7.3. а-симметричный мультивибратор с диодной фиксацией., б-временные диаграммы его работы. Частота колебаний мультивибратора : = 214,82, Гц (7.8) где Т - период колебаний; tu - длительность импульса, т.е. длительность запертого и открытого состояния соответствующего транзистора. Длительность запертого состояния транзистора определяется скоростью перезаряда конденсатора, соединяющего в данный момент коллектор открытого транзистора с базой запертого. Часто требуется иметь разные длительности импульсов (tu1) и паузы (tu2).Тогда скважность импульсов: =2,60 (7.9) Главным препятствием на пути увеличения скважности является большая длительность фронтов (tФ) импульсов. Максимальная скважность: Qmax = (/3) + 1= 27,66 (7.10) Учитывая, что минимальная скважность Q min= 2 и отношение С2/С1=1, получаем условие R1 > 3,3 Rк . (7.11) Одним из способов укорочения отрицательного фронта является диодная фиксация коллекторных потенциалов на уровне Еф меньшем напряжения Ек. Схема с диодной фиксацией показана на рис. 7.3,а, а соответствующие временные диаграммы на рис. 7.3,б., из которых легко выразить время tф1 на уровне 0,9. = 0,00021 с (7.12) где εф = Еф/ Ек - относительный уровень фиксации. При этом Qmax = 0,8(/εФ)+1 = 194,93 (7.13) R1 > 1,3εФ RK (7.14) Таким образом, схема с диодной фиксацией обеспечивает преимущество в отношении длительности отрицательного фронта и максимальной скважности. |