Контрольная работа. контрольная работа. Контрольная работа По дисциплине Физические основы электроники Группа Вариант 20 Проверил Новосибирск, 2011 г
Скачать 386 Kb.
|
/ PПОТР · 100% = 31,46/507 · 100% = 6,2%Федеральное агентство связи Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики Межрегиональный центр переподготовки специалистов Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроникиВыполнил: Группа: Вариант: 20 Проверил: Новосибирск, 2011 г ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА. Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК = (EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ = 0 соответствует точке IК = EК/RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭ=ЕК. Соединение этих координат и является построением нагрузочной линии. Рисунок 1.1. Выходные характеристики КТ605А В нашем случае координаты нагрузочной линии: IК= 15/200 = 75 мА и UКЭ = 15 В. Соединяя эти точки, получаем линию нагрузки. Пересечение нагрузочной линии с заданным значением тока базы IБ0определяет рабочую точку (РТ) транзисторного каскада, нагруженного на резистор. В нашем случае рабочая точка соответствует пересечению нагрузочной прямой с характеристикой при IБ= 750 мкА. Координаты рабочей точки дают значение рабочего режима выходной цепи UКЭ0и IК0. Определяем параметры режима по постоянному току IК0 = 33,8 мА и UКЭ0 = 8,2 В. На входных характеристиках (рисунок 1.2) рабочую точку определяем как точку пересечения ординаты, соответствующей току IБ0 =750 мкА, и характеристики при UКЭ = 10 В (РТ). Определяем: UБЭ0 = 0,77 В. Рисунок 1.2. Входные характеристики КТ605А По заданному изменению синусоидального тока базы с амплитудой IБM, определяем графически амплитуды токов и напряжений на электродах транзистора. Строим временные диаграммы переменного тока коллектора, напряжения коллектора и базы для случая синусоидального входного тока с амплитудой IБМ = 375 мкА. Временные диаграммы строятся с учетом того, что напряжения на базе и коллекторе противофазные, и с соблюдением одинакового масштаба по оси времени. После построения временных диаграмм необходимо оценить, имеются ли заметные искажения в выходной цепи транзистора или нет. Из временных диаграмм видно, что под действием переменного входного тока рабочая точка на выходных характеристиках двигается вдоль линии нагрузки. Если рабочая точка какую-либо часть периода входного тока попадает в область насыщения или отсечки сигнала, необходимо уменьшить амплитуду входного сигнала до величины, при которой рабочая точка не будет выходить за пределы активной области работы прибора. Дальнейшие расчеты производятся только для активного режима работы прибора, называемого иногда линейным или неискажающим. При нахождении из графиков величин IКМ , UКМ , UБМ следует обратить внимание, что амплитудные значения для положительных и отрицательных полуволн сигнала могут быть неодинаковыми, а значит усиление большого сигнала и в активном режиме сопровождается некоторыми искажениями. Для дальнейших расчетов значения амплитуд определяется как средние за период. По выходным статическим характеристикам (рисунок 1.1) находим положительные и отрицательные амплитуды токов и напряжений I-КМ = 16,5 мА иI+КМ = 19 мА, а также U+КМ = 3,29 В и U-КМ = 3,8 В. Затем определяем среднее значение амплитуд IКМ= (I-КМ + I+КМ)/2 = (16,5 + 19)/2 = 17,75 мА, UКМ= (U-КМ + U+КМ)/2 = (3,8 + 3,29)/2 = 3,545 В, По входным характеристикам находим U+БМ = 0,045 В и U-БМ = 0,068 В. UБМ= (U-БМ + U+БМ)/2 = (0,068 + 0,045)/2 = 0,0565 B. Затем определяем: КI= IКМ/IБМ = 17,75/0,375=47,3, КU= UКМ/ UБМ = 3,545/0,0565 =62,74, КР = КI · КU= 47,3 · 62,74 = 2967,6. Находим RВХ = UБМ/ IБМ = 0,0565/0,000375 = 150,67 Ом. Определяем полезную мощность, мощность рассеиваемую на коллекторе и потребляемую мощность P ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=750 мкА. Рисунок 2.1. Входные характеристики КТ605А Соответствующее приращение напряжения база-эмиттер составит ΔUБЭ = 0,012 В. Тогда входное сопротивление h11Э= ΔUБЭ /ΔIБ= 0,012/100·10-6 = 120 Ом По выходным характеристикам находим параметры h21Э и h22Э. Определение параметра h21Э показано на рисунке 2.2. Задаемся приращением тока базы относительно рабочей точки также ΔIБ= ± 50 = 100 мкА и соответствующее приращение тока коллектора составляет ΔIК = 5,22 мА. Коэффициент передачи тока базы составит h21Э= ΔIК /ΔIБ= 5,22·10-3/100·10-6 = 52,2. Рисунок 2.2. Выходные характеристики КТ605А На рисунке 2.3 показано определение выходной проводимости h22Э. Около рабочей точки задаемся приращением напряжения коллектор-эмиттер. Принимаем ΔUКЭ = 4 В. Соответствующее приращение тока коллектора составляет ΔIК = 1,3 мА и выходная проводимость равна: h22Э = ΔIК /ΔUКЭ = 1,3·10-3/4 = 0,325·10-3 Сим Параметр h12Э по характеристикам обычно не определяется, так как входные характеристики для рабочего режима практически сливаются и определение параметра даёт очень большую погрешность. Рисунок 2.3. Выходные характеристики КТ603А ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частоте f = 20 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э = 3 и постоянная времени цепи коллектора tК= 210 пс. Коэффициент передачи тока базы H21Э в зависимости от частоты определяется формулой: . Преобразуя её, получим: , МГц. Итак: fH21Э = 1,151 МГц. Предельная частота для схемы с общей базой определяется как fH21Б = fH21Э · ( h21Э+1) = 1,151 · (52,2+1) = 61,23 МГц. Граничная частота fГР ≈ fH21Э · h21Э = 1,151 · 52,2 = 60,082 МГц. Максимальная частота генерации определяется формулой МГц, Где . Построить зависимости и Для этого проделать вычисления используя формулу , а для второго случая формулу Вычисления проводим до тех пор, пока коэффициенты передачи снизится более чем в 10 раз. Результаты вычислений занести в таблицы 3.1 и 3.2. Таблица 3.1.
Строим графики, откладывая частоту в логарифмическом масштабе, а коэффициенты передачи тока в относительных единицах в линейном масштабе. (Рисунок 3.1). Рисунок 3.1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока от частоты ЗАДАЧА 4 Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ0 = 10 В, UЗИ 0 = 8В. Для построения характеристики прямой передачи по графику выходных характеристик определяем ток стока при UЗИ = 0 В, 1 В и т.д. (рисунок 4.1). Рисунок 4.1. Выходные характеристики полевого транзистора КП 903 А Результаты приведены в таблице 4.1. Таблица 4.1.
По полученным результатам строим характеристику прямой передачи (рисунок 4.2). Определяем крутизну и строим её зависимость от напряжении на затворе. Для этого сначала находим крутизну при напряжении на затворе UЗИ=0,5В. Определяем токи I'c= 407 мА и I''c = 313 мА при напряжениях U'ЗИ=0 В и U''ЗИ = 1 В соответственно (рисунок 4.1). Затем вычисляем крутизну мА/В Рисунок 4.2. Характеристика прямой передачи КП 903 А Аналогично проделываем эту операцию для UЗИ = 1В; 1,5 В и т.д. Результаты вычислений занесены в таблицу 4.2 и строим график (рисунок 4.3). Таблица 4.2.
Для определения выходного сопротивления Ri задаемся приращением ΔUСИ = ± 2 В относительно напряжения UСИ = 10 В (рисунок 4.4). Определяем приращение тока стока при напряжении на затворе 0 В, вычисляем значение. Результат заносим в таблицу 4.3. Аналогично проделываем для UЗИ=1 В; 2 В и т.д. На рисунке 4.3 строим зависимость Ri = f(UЗИ). Из рисунка 4.3 определяем значение крутизны для тех же величин, что и Ri. Результат так же заносим в таблицу 4.3. В заключении определяем коэффициент усиления транзистора μ = S× Ri. Результат так же заносим в таблицу 4.3 и строим зависимость (рисунок 4.3). Таблица 4.3.
Рисунок 4.3 Зависимость дифференциальных параметров от Uзи Рисунок 4.4 Выходные характеристики полевого транзистора КП 903 А (определение выходного сопротивления Ri) Список литературы 1. Электронные , квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998.-560 с. 2. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989.-496 с. 3. Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. -383 с. 4. Савиных В. Л. Физические основы электроники . Методические указания и контрольные задания. СибГУТИ, 2002. |