Лабораторная работа на тему полупроводниковых диодов. Отчет Лабораторная работа №1 “Исследование вольтамперной характе. Лабораторная работа 1 " Исследование вольтамперной характеристики полупроводникового диода " по дисциплине " Электроника и микроэлектроника"
![]()
|
Факультет дистанционного обучения Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) Кафедра (ххххххххххххх) Отчет Лабораторная работа №1 “Исследование вольтамперной характеристики полупроводникового диода ” по дисциплине “Электроника и микроэлектроника” ИН хххххххххххх ( указать номер полученный при защите работы) Выполнил: студент ФДО ТУСУР гр.: хххххххххх специальности ххххх Ф.И.О дата. г. ххххххххх 2011 Цель работы Изучить закономерности протекания тока в p – n переходе. Исследовать вольтамперную характеристику диода и стабилитрона. По экспериментальным зависимостям сделать количественную оценку параметров токовых характеристик p – n переходов. Задание на работуИсследовать вольтамперную характеристику полупроводникового диода Д237А и стабилитрона Д811 при прямом и при обратном включении. Для диода Д237 А в прямом направлении напряжение изменять в пределах от 0 до 1 В, в обратном от 0 до 80 В. Для стабилитрона Д811 прямом направлении напряжение изменять в пределах от 0 до 0,6 В, в обратном от 0 до 12 В. Запрещается превышать паспортные данные для диода и стабилитрона (см. Макет – Описание лабораторного макет – Паспортные данные приборов). По начальному участку обратной ветви ВАХ диода Д237 А определить ток насыщения. По обратной ветви ВАХ стабилитрона Д811 определить напряжение стабилизации(пробоя). Рассчитать концентрацию носителей в базе диода по формуле(1,2(см. Теория – теоретическая часть) в зависимости от типа p-n перехода), исходя из определенного напряжения пробоя(стабилизации) для стабилитрона. Оформить отчет по лабораторной работе. Схемаэкспериментальнойустановки ![]() Экспериментальные данные и их анализ Результаты измерений приведены в таблице (4.1): таб.4.1
По измеренным данным построены графики: ![]() Вольт амперные характеристики диода Д237А ![]() Вольт амперные характеристики стабилитрона Д811 По начальному участку обратной ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода определяем ток насыщения диода. Iнас = 36.6 мкА. По обратной ветви вольт-амперной характеристики стабилитрона определяем напряжение пробоя (напряжение стабилизации). Unp = 12 В. Материал из которого изготовлен стабилитрон - это кремний, следовательно Ед=1,12 эв. Тип p-n перехода - резкий несимметричный, поэтому применяем формулу (1): ![]() ![]() ВыводВ процессе лабораторной работы были изучены закономерности протекания тока в p – n переходе. Были построены вольтамперные характеристики p-n перехода, определен ток насыщения диода и напряжение пробоя (напряжение стабилизации). Была рассчитана концентрация основных носителей в базе диода. Из вольтамперной характеристики диода наблюдаем, что при малом падении напряжения на диоде через него протекает значительный ток, то есть сопротивление диода в прямом направлении мало, а в обратном направлении ток через диод во много раз меньше, то есть его сопротивление в обратном направлении велико, что характеризует диод как полупроводниковый прибор, обладающий односторонней проводимостью. Из вольтамперной характеристики стабилитрона видим, что при обратной проводимости стабилитрона ток через p-n переход в начале характеристики обратной проводимости возрастает мало, а затем, при достижении напряжения близком к напряжению стабилизации резко возрастает, эта особенность стабилитрона используется при стабилизации напряжения на нагрузке. |