Главная страница
Навигация по странице:

  • Схема экспериментальной установки

  • Диод Д237 А Стабилитрон Д811

    		•

    Лабораторная работа на тему полупроводниковых диодов. Отчет Лабораторная работа №1 “Исследование вольтамперной характе. Лабораторная работа 1 " Исследование вольтамперной характеристики полупроводникового диода " по дисциплине " Электроника и микроэлектроника"


    Скачать 88 Kb.
    НазваниеЛабораторная работа 1 " Исследование вольтамперной характеристики полупроводникового диода " по дисциплине " Электроника и микроэлектроника"
    АнкорЛабораторная работа на тему полупроводниковых диодов
    Дата30.03.2023
    Размер88 Kb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаОтчет Лабораторная работа №1 “Исследование вольтамперной характе.doc
    ТипЛабораторная работа
    #1026468




    Факультет дистанционного обучения

    Томский государственный университет

    систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

    Кафедра (ххххххххххххх)

    Отчет

    Лабораторная работа №1

    “Исследование вольтамперной характеристики

    полупроводникового диода ”

    по дисциплине

    “Электроника и микроэлектроника”

    ИН хххххххххххх ( указать номер полученный при защите работы)


    Выполнил:

    студент ФДО ТУСУР

    гр.: хххххххххх

    специальности ххххх
    Ф.И.О

    дата.


    г. ххххххххх

    2011


    1. Цель работы

    Изучить закономерности протекания тока в p – n переходе. Исследовать вольтамперную характеристику диода и стабилитрона. По экспериментальным зависимостям сделать количественную оценку параметров токовых характеристик p – n переходов.

    Задание на работу





    1. Исследовать вольтамперную характеристику полупроводникового диода Д237А и стабилитрона Д811 при прямом и при обратном включении. Для диода Д237 А в прямом направлении напряжение изменять в пределах от 0 до 1 В, в обратном от 0 до 80 В. Для стабилитрона Д811 прямом направлении напряжение изменять в пределах от 0 до 0,6 В, в обратном от 0 до 12 В. Запрещается превышать паспортные данные для диода и стабилитрона (см. Макет – Описание лабораторного макет – Паспортные данные приборов).

    2. По начальному участку обратной ветви ВАХ диода Д237 А определить ток насыщения.

    3. По обратной ветви ВАХ стабилитрона Д811 определить напряжение стабилизации(пробоя).

    4. Рассчитать концентрацию носителей в базе диода по формуле(1,2(см. Теория – теоретическая часть) в зависимости от типа p-n перехода), исходя из определенного напряжения пробоя(стабилизации) для стабилитрона.

    5. Оформить отчет по лабораторной работе.



    1. Схемаэкспериментальнойустановки






    1. Экспериментальные данные и их анализ



    Результаты измерений приведены в таблице (4.1):

    таб.4.1

    Диод Д237 А
    Стабилитрон Д811

    Прямое направление
    Обратное направление
    Прямое направление
    Обратное направление

    U,B
    I,мА
    U,B
    I,мkА
    U,B
    I, мА
    U,B
    I,мА

    0
    0
    0
    0
    0.3
    0
    0
    0

    0.1
    18
    -2.95
    -11
    0.34
    0.0002
    -7.5
    0

    0.2
    38
    -5.77
    -17
    0.38
    0.0017
    -7.97
    -0.0002

    0.3
    59
    -7.81
    -20
    0.40
    0.0046
    -8.51
    -0.0008

    0.4
    84
    -16.16
    -27
    0.42
    0.0125
    -9
    -0.0034

    0.5
    110
    -23.22
    -30
    0.44
    0.0335
    -9.2
    -0.0061

    0.6
    140
    -30.79
    -32
    0.48
    0.25
    -9.42
    -0.012

    0.7
    175
    -36.14
    -33
    0.50
    0.68
    -9.8
    -0.037

    0.8
    215
    -43.2
    -34
    0.52
    1.5
    -9.96
    -0.06

    0.9
    245
    -52.95
    -35
    0.53
    3
    -10.24
    -0.14

    1
    295
    -67.3
    -36
    0.54
    5
    -10.42
    -0.24







    -80
    -36.5
    0.55
    8.2
    -10.8
    -0.74













    0.56
    13.5
    -11
    -1.4













    0.57
    22.5
    -11.51
    -6.2













    0.58
    37
    -11.6
    -8.2













    0.59
    61
    -11.7
    -11













    0.6
    100
    -11.8
    -15



















    -11.9
    -20



















    -12
    -27


























    По измеренным данным построены графики:



    Вольт амперные характеристики диода Д237А


    Вольт амперные характеристики стабилитрона Д811
    По начальному участку обратной ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода определяем ток насыщения диода.

    Iнас = 36.6 мкА.
    По обратной ветви вольт-амперной характеристики стаби­литрона определяем напряжение пробоя (напряжение стабилизации).

    Unp = 12 В.

    Материал из которого изготовлен стабилитрон - это кремний, следовательно

    Ед=1,12 эв. Тип p-n перехода - резкий несимметричный, поэтому применяем формулу (1):



    Вывод



    В процессе лабораторной работы были изучены закономерности протекания тока в p – n переходе. Были построены вольтамперные характеристики p-n перехода, определен ток насыщения диода и напряжение пробоя (напряжение стабилизации). Была рассчитана концентрация ос­новных носителей в базе диода. Из вольтамперной характеристики диода наблюдаем, что при малом падении на­пряжения на диоде через него протекает значительный ток, то есть сопротивление диода в прямом направлении мало, а в обратном направлении ток через диод во много раз меньше, то есть его сопротивление в обратном направлении велико, что характеризует диод как полупроводниковый прибор, обладающий односторонней проводимостью.

    Из вольтамперной характеристики стабилитрона видим, что при обратной проводимости стабилитрона ток через p-n переход в начале характеристики обратной проводимости возрастает мало, а затем, при достижении напряжения близком к напряжению стабилизации резко возрастает, эта особенность стабилитрона используется при стабилизации напряжения на нагрузке.

    написать администратору сайта