Главная страница
Навигация по странице:

  • Результаты исследования вольт-амперной характеристики выпрямительного диода при прямом его включении

  • Результаты исследования вольт-амперной характеристики выпрямительного диода при обратном его включении

  • Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов. ЛБ-1 Пудло Д.В.. Лабораторная работа 1 Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов


    Скачать 246.76 Kb.
    НазваниеЛабораторная работа 1 Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
    АнкорИсследование полупроводниковых выпрямительных диодов
    Дата20.10.2022
    Размер246.76 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаЛБ-1 Пудло Д.В..docx
    ТипЛабораторная работа
    #744634

    Лабораторная работа №1

    «Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов»
    Цель работы: изучение физических основ работы полупроводниковых выпрямительных диодов, экспериментальное исследование их вольтамперных характеристик и определение основных параметров.
    Основные теоретические положения
    Полупроводниковые приборы – приборы, действие которых основано на использовании свойств веществ, занимающих по электропроводности промежуточное положение между проводниками и диэлектриками.

    Электронно-дырочный p-n-переход – тонкий слой между двумя областями полупроводникового кристалла с разными типами электропроводности: электронной и дырочной.

    По конструкции p-n-переходы различают симметричные и несимметричные, резкие и плавные, плоскостные и точечные и др. Их основное свойство: несимметричная электропроводность, при которой кристалл пропускает ток только в одном направлении.

    Полупроводниковый диод – прибор, имеющий два вывода и один p-n-переход. Все полупроводниковые диоды делят на две группы: выпрямительные и специальные. Выпрямительные предназначены для преобразования переменного тока в постоянный и их подразделяют на диоды малой, средней и большой мощности. Последние называют силовыми. В зависимости от частоты и формы переменного напряжения диоды делятся на низкочастотные, высокочастотные, сверхвысокочастотные и импульсные. Специальные диоды используют различные свойства p-n-переходов: явление пробоя, барьерную ёмкость, наличие участков с отрицательным сопротивлением и др.

    Материалом для изготовления обычно служит кремний или арсенид галлия. Германий почти не применяется из-за сильной температурной зависимости обратного тока. Условное графическое обозначение, структура и вольтамперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода приведены на рис. 1:



    Рис. 1 – Полупроводниковый диод: а – схемное обозначение; б - структура; в – ВАХ.


    Лабораторная работа №1


    ТОГУ, ФАИТ, УИТС(аб)-01 Пудло Д.В.

    лист

    1



    Рис. 2 – Принципиальная схема установки для изучения полупроводникового выпрямительного диода.



    Рис. 3 – Монтажная схема установки для изучения полупроводникового выпрямительного диода.
    Результаты исследования вольт-амперной характеристики выпрямительного диода при

    прямом его включении


    Uпр, В

    0.2

    0.291

    0.347

    0.382

    0.408

    0.43

    0.45

    0.462

    0.485

    0.495

    Iпр, мA

    0

    10

    20

    30

    40

    50

    60

    70

    80

    90


    Результаты исследования вольт-амперной характеристики выпрямительного диода при обратном его включении

    Uобр, В

    0

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    7

    8

    9

    10

    11

    12

    Iобр, мA

    0,1

    0,15

    0,3

    0,4

    0,6

    0,8

    1,1

    1,3

    1,7

    1,9

    2,1

    2,5

    3



    Лабораторная работа №1


    ТОГУ, ФАИТ, УИТС(аб)-01 Пудло Д.В.

    лист

    2



    Рис. 4 – Вольт-амперная характеристика выпрямительного диода.

    Прямое статическое сопротивление диода:0,



    Прямое дифференциальное сопротивление диода:



    Обратное статическое сопротивление диода:



    Обратное дифференциальное сопротивление диода:




    Лабораторная работа №1


    ТОГУ, ФАИТ, УИТС(аб)-01 Пудло Д.В.

    лист

    3


    Прямое напряжение при максимальном прямом токе:



    Обратный ток при максимальном обратном напряжении:



    Вывод: в ходе данной лабораторной работы были изучены физические основы полупроводниковых выпрямительных диодов, было проведено экспериментальное исследование их вольтамперных характеристик, а именно: были определены рямое статическое сопротивление диода , прямое дифференциальное сопротивление диода , обратное статическое сопротивление диода , обратное дифференциальное сопротивление диода , прямое напряжение при максимальном прямом токе , обратный ток при максимальном обратном напряжении . Полупроводниковый диод обладает односторонней проводимостью. Это показывает ВАХ диода прямой и обратной ветви. При небольшом напряжении на зажимах диода в цепи протекает большой ток, а при значительном обратном напряжении, ток практически не протекает.

    Лабораторная работа №1


    ТОГУ, ФАИТ, УИТС(аб)-01 Пудло Д.В.

    лист

    4


    написать администратору сайта