|
Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов. ЛБ-1 Пудло Д.В.. Лабораторная работа 1 Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
Лабораторная работа №1
«Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов» Цель работы: изучение физических основ работы полупроводниковых выпрямительных диодов, экспериментальное исследование их вольтамперных характеристик и определение основных параметров. Основные теоретические положения Полупроводниковые приборы – приборы, действие которых основано на использовании свойств веществ, занимающих по электропроводности промежуточное положение между проводниками и диэлектриками.
Электронно-дырочный p-n-переход – тонкий слой между двумя областями полупроводникового кристалла с разными типами электропроводности: электронной и дырочной.
По конструкции p-n-переходы различают симметричные и несимметричные, резкие и плавные, плоскостные и точечные и др. Их основное свойство: несимметричная электропроводность, при которой кристалл пропускает ток только в одном направлении.
Полупроводниковый диод – прибор, имеющий два вывода и один p-n-переход. Все полупроводниковые диоды делят на две группы: выпрямительные и специальные. Выпрямительные предназначены для преобразования переменного тока в постоянный и их подразделяют на диоды малой, средней и большой мощности. Последние называют силовыми. В зависимости от частоты и формы переменного напряжения диоды делятся на низкочастотные, высокочастотные, сверхвысокочастотные и импульсные. Специальные диоды используют различные свойства p-n-переходов: явление пробоя, барьерную ёмкость, наличие участков с отрицательным сопротивлением и др.
Материалом для изготовления обычно служит кремний или арсенид галлия. Германий почти не применяется из-за сильной температурной зависимости обратного тока. Условное графическое обозначение, структура и вольтамперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода приведены на рис. 1:
Рис. 1 – Полупроводниковый диод: а – схемное обозначение; б - структура; в – ВАХ.
| Лабораторная работа №1
| ТОГУ, ФАИТ, УИТС(аб)-01 Пудло Д.В.
| лист
| 1
|
Рис. 2 – Принципиальная схема установки для изучения полупроводникового выпрямительного диода.
Рис. 3 – Монтажная схема установки для изучения полупроводникового выпрямительного диода. Результаты исследования вольт-амперной характеристики выпрямительного диода при
прямом его включении
Uпр, В
| 0.2
| 0.291
| 0.347
| 0.382
| 0.408
| 0.43
| 0.45
| 0.462
| 0.485
| 0.495
| Iпр, мA
| 0
| 10
| 20
| 30
| 40
| 50
| 60
| 70
| 80
| 90
|
Результаты исследования вольт-амперной характеристики выпрямительного диода при обратном его включении
Uобр, В
| 0
| 1
| 2
| 3
| 4
| 5
| 6
| 7
| 8
| 9
| 10
| 11
| 12
| Iобр, мA
| 0,1
| 0,15
| 0,3
| 0,4
| 0,6
| 0,8
| 1,1
| 1,3
| 1,7
| 1,9
| 2,1
| 2,5
| 3
|
| Лабораторная работа №1
| ТОГУ, ФАИТ, УИТС(аб)-01 Пудло Д.В.
| лист
| 2
|
Рис. 4 – Вольт-амперная характеристика выпрямительного диода.
Прямое статическое сопротивление диода:0,
Прямое дифференциальное сопротивление диода:
Обратное статическое сопротивление диода:
Обратное дифференциальное сопротивление диода:
| Лабораторная работа №1
| ТОГУ, ФАИТ, УИТС(аб)-01 Пудло Д.В.
| лист
| 3
|
Прямое напряжение при максимальном прямом токе:
Обратный ток при максимальном обратном напряжении:
Вывод: в ходе данной лабораторной работы были изучены физические основы полупроводниковых выпрямительных диодов, было проведено экспериментальное исследование их вольтамперных характеристик, а именно: были определены рямое статическое сопротивление диода , прямое дифференциальное сопротивление диода , обратное статическое сопротивление диода , обратное дифференциальное сопротивление диода , прямое напряжение при максимальном прямом токе , обратный ток при максимальном обратном напряжении . Полупроводниковый диод обладает односторонней проводимостью. Это показывает ВАХ диода прямой и обратной ветви. При небольшом напряжении на зажимах диода в цепи протекает большой ток, а при значительном обратном напряжении, ток практически не протекает.
| Лабораторная работа №1
| ТОГУ, ФАИТ, УИТС(аб)-01 Пудло Д.В.
| лист
| 4
| |
|
|