ЛАБА 2 — копия. Лабораторная работа 2 по дисциплине Электротехнические материалы и элементы электронной техники Исследование свойств полупроводниковых материалов
Скачать 48.18 Kb.
|
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «» Факультет Кафедра «» ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2 по дисциплине «Электротехнические материалы и элементы электронной техники» Исследование свойств полупроводниковых материалов Студенты группы Преподаватель 2023 Цель работы: ознакомится с основными свойствами полупроводниковых материалов, освоить методику исследования электропроводности полупроводников при изменении температуры, определить ширину зоны полупроводника. Полупроводник – это вещества, которые могут сильно изменять свои свойства в широком интервале под действием небольших внешних воздействий (температур, давления, электрического и магнитного полей, освещения). Уровень Ферми – некоторый условный уровень, соответствующий энергии Ферми системы фермионов; в частности, электронов твердого тела, играет роль химического потенциала для незаряженных частиц. Собственные полупроводники – это полупроводники без примесей или с концентрацией примеси настолько малой, что она не оказывает существенного влияния на удельную проводимость полупроводника. Примесные полупроводники – это полупроводник, электрические свойства которого определяются, в основном, примесями других химических элементов. Основные носители заряда в полупроводниках – В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки. Неосновные носители заряда в полупроводниках – это дырки в n-области и электроны в p-области. Их наличие вызвано диффузией. Тензочувствительность – представляет собой отношение относительного изменения удельного сопротивления полупроводника к относительной деформации в данном направлении. Фотопроводимость – это электрическая проводимость, возбуждённая электромагнитным излучением за счёт обусловленного действием света перераспределением электронов по энергетическим уровням. Таблица 1 – Зависимость ρ=ʄ(Т) для кремния с содержанием фосфора 4,7·1023 м-3
Таблица 2 – Зависимость ρ=ʄ(Т) для кремния с содержанием фосфора 2,7·1024 м-3
|