Главная страница

ЛАБ_2_ФОЭ - Биполярные и Полевые транзисторы. Лабораторная работа 23 Биполярные и Полевые транзисторы Проверил


Скачать 1.43 Mb.
НазваниеЛабораторная работа 23 Биполярные и Полевые транзисторы Проверил
Дата13.04.2023
Размер1.43 Mb.
Формат файлаdocx
Имя файлаЛАБ_2_ФОЭ - Биполярные и Полевые транзисторы.docx
ТипЛабораторная работа
#1059391


Лабораторная работа №23

Биполярные и Полевые транзисторы

Выполнил:

Проверил:


Цель работы


Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение стоко-затворной характеристики.

Лабораторная база: Multisim 10 (MS10).
  1. Снятие выходных характеристик транзисторов с помощью характериографа среды MS10


Снять семейство выходных характеристик биполярных транзисторов в схеме с ОЭ или полевых транзисторов в схеме с ОИ можно с помощью характериографа IV Analyzer, подключая соответствующие выводы транзисторов к его входам.

Характерио́граф — общее название приборов, предназначенных для наблюдения и исследования характеристик радиоэлектронных устройств и компонентов, измерительная информация в этих приборах отображается, как правило на экране в виде кривой или семейства кривых.

Биполярный транзистор:



Рисунок 1.1 – Схема подключения и ВАХ биполярного транзистора.

Полевой транзистор:



Рисунок 1.2 – Схема подключения и ВАХ полевого транзистора.


  1. Построение семейства входных и выходных характеристик биполярный транзистора 2N2221A


Тип материала: Si

Полярность: NPN

Таблица 2.1 Параметры биполярного транзистора.

2N2221A

Обратный ток коллекторного перехода

IS(transport saturation current)

0.000421971

pA

Идеальный максимальный коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ

BF(ideal maximum forward beta)

64.8415




Напряжение, близкое к максимальному напряжению коллектора

VAF(forward Early voltage)

10

V

Обратный ток эмиттерного перехода

ISE(B-E leakage saturation current)

40.7157

pA

Максимальный ток коллектора

IKF(corner for forward beta high current roll-off)

0.493657

A

Объемное сопротивление базы

RB(zero bias base resistance)

9.19691

Ω

Объемное сопротивление эмиттера

RE(emitter resistance)

5.75152



Объемное сопротивление коллектора

RC(collector resistance)

0.487759

Ω

Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер

VJE(B-E built-in potential)

0.830403

V

Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор

VJC(B-C built-in potential)

0.761845

V

Емкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении

CJE(B-E zero-bias depletion capacitance)

13.3839

pF

Емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении

CJC(B-C zero-bias depletion capacitance)

9.98995

pF

Время переноса заряда через базу

TF(ideal forward transit time)

0.344603

nsec



Рисунок 2.1 – Схема для получения семейства входных биполярного транзистора.

В схему включены следующие компоненты:

  • источники V1 и V2 постоянного напряжения, к одному из которых с помощью переключателя подключается коллектор биполярного транзистора. Выбор источника питания зависит от знака полярности коллектора (стока) соответствующего транзистора;

  • источники VЗ и V4 постоянного напряжения для включения с помощью переключателя в одного из них в цепь базы (затвора) соответствующего транзистора;

  • два потенциометра R2 и R3 для задания токов в цепях транзисторов;

  • два амперметра А1 и А2 и два вольтметра U1 и U2 для измерения токов и напряжений на электродах исследуемого транзистора;

  • Исследуемый транзистор.





Таблица2.2 Полученные данные.

Ток базы Iб, мкА

0

50

100

200

300

400

500

Напряжение Uбэ,В при Uкэ, В

0

0

0,575

0,595

0,606

0,622

0,63

0,63

5

0

0,652

0,668

0,684

0,694

0,7

0,70



Рисунок 2.3 – Семейство входных характеристик биполярного транзистора.



Рисунок 2.4 – Схема для получения семейства выходных биполярного транзистора.

Таблица2.3 Полученные данные.

Напряжение Uкэ, В




0

0,1

0,5

1

5

8

12

Ток коллектора Ik, mA при Iб,mkA

50

0

1,153

1,916

2,081

3,335

4,278

5,541

100

0

2,28

3,754

4,1

6,612

8,5

11,029

200

0

4,456

7,357

7,977

12,971

16,76

21,754

300

0

6,282

10,81

11,73

19,196

24,769

32,184

400

0

8,167

14,153

15,367

25,148

32,568

42,348

500

0

10

17,401

18,903

30,9

40,174

52,269



Рисунок 2.5 – Семейство выходных характеристик биполярного транзистора.
  1. Построение семейства выходных и стоко-затворной характеристик полевого транзистора 2N6660JANTXV




Рисунок 3.1 – Схема для получения семейства выходных биполярного транзистора.



Таблица 3.1 Полученные данные.

Напряжение Uси, В

0

0,6

1

2

3

4

8

12

Ток стока Iс, mA ,при напряжении Uзи, В

3

2,49

113,3

155,88

163

163

163

163

163

3,6

2,49

169,1

257,81

328,37

328,37

328,37

328,37

328,37

4,2

2,49

217,21

345,98

516,2

563,33

563,33

563,33

563,33

4,8

2,5

259

422,89

682,32

779,75

780,138

780,13

780,1

5,4

2,5

295,8

490,50

828,931

1020

1055

1055

1055

6

2,5

328,4

550,34

959

1233

1350

1350

1350



Рисунок 3.2 – Семейство выходных характеристик полевого транзистора.



Рисунок 3.3 – Схема для получения стоко-затворной характеристики.

Таблица 3.1 Полученные данные.

Напряжение затвора Uзи,В

-5

-4

-3

-2

-1

0

0,5

Ток стока Ic, mA , при напряжении Uси

0

0

0

0

0

0

0

0

12

0,0018

0,0018

0,0018

0,0018

0,0018

0,0018

0,0018




1

1,5

2

3

4

5

6

0

0

0

0

0

0

0

0

12

0,0018

0,0018

8,676

163

463

868

1356



Рисунок 3.4 –Стоко-затворные характеристики полевого транзистора.

Вывод

В ходе лабораторной работы было произведено моделирование транзисторов в Multisim10, в результате чего были построены их входных и выходных характеристики, которые были сравнены с характеристиками, полученными в характериографе IV Analyzer. Также была построена стоко-затворная характеристики полевого транзистора.


написать администратору сайта