3ья раб. Лабораторная работа 28 по теме исследование параметров пассивных элементов гибридных микросхем студент группы брм1901
 Скачать 213.48 Kb.
|
|
Федеральное агентство связи ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский технический университет связи и информатики» Лабораторная работа №28 по теме «ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМ» Выполнил: студент группы БРМ1901 Жихарев А.А Цель работы: Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и параметрами плёночных элементов гибридных интегральных микросхем. Бригада 3: Последняя цифра студенческого билета - 0 Таблица 1 – исходные данные  Принципиальная электрическая схема  Риc - 1 принципиальная электрическая схема Расчетная часть: Дано: 1) Материал - Кермет 2) ρ = 3*105 Ом/кв 3) ТКР = -4*10-4 (1/град) 4) ϒСТ= 0.3% 5) P0 = 20 (мВт/мм2) ϒRt = ТКР*∆Т*100% = -3.6% Размеры резистора R1: n = R/ρ= 800000/10000 = 80 ϒn = ϒR1 - ϒPS- ϒRt -ϒСТ = 20%–2%+3,6%–0,3% = 21,5% Далее ϒPS- ϒRt -ϒСТ = 1.3% bp = sqrt(P/n*P0) = 0,025 мм = 25мкм bточ = (∆b+(∆l/n))/ ϒn*100 = (10+(10/80))/2150 = 4709 мкм bрасч = max {bточ, bp,bmin} = 4709 мкм b = 4700 мкм lрасч = n*b = 80*4900 = 392000 мкм l = 392000 мкм a=300 мкм; с=100 мкм mopt = 2*sqrt(a+l/a+b)-1=12,81=> m=13 A = m/2 * (a+b) + b = 32100 мкм В = 2(l-c)-ma/m+2 = 29800мкм Размеры резистора R2: n = R/ρ= 11000/10000 = 1.4 прямоугольный резистор ϒn = ϒR2 - ϒPS- ϒRt -ϒСТ = 8%+3.4% = 0,092 = 11,4% bp = sqrt(P/n*P0) = 0.842мм = 842мкм bточ = (∆b+(∆l/n))/ ϒn*100= (10+(10/1.4))/0,114 *100 = 15038мкм bрасч = max {bточ, bp,bmin} = 15038мкм b = 15100мкм lрасч = n*b = 1.4*15100 = 21140мкм l =21140 мкм Размеры резистора R3: n = R/ρ= 120000/10000 = 12 ϒn = ϒR1 - ϒPS- ϒRt -ϒСТ = 14,7% bp = sqrt(P/n*P0) = 0,5мм = 500мкм bточ = (∆b+(∆l/n))/ ϒn*100= (10+(10/12))/0,147 *100= 7370мкм bрасч = max {bточ, bp,bmin} = 7370 мкм b = 7400мкм lрасч = n*b = 12*7400 = 88800мкм l =88800 мкм Расчет размера конденсатора: Материал – GeO ε =10 tgδ = 10-2 EПР = 0.5*106 (В/см) ТКС = 50*10-5 (1/град) dmin = Кз*Uраб/Епр = 2.4*10-5см = 2.4*10-7м =2.4*10-1 мкм = 0.24 мкм (удовлетворяет условию, что толщина диэлектрика должна быть в пределах 0.5-1 мкм) d = 0.24 мкм = 2.4*10-5 см С0 = 0,0885 * ε/d =0,0885 *10/2,4*10-5=36875пФ/см2 S = С/С0 = 1200 / 36875 = 0.03254 см2 = 3.254мм2 = 3254000 мкм2 =>Форма конденсатора имеет «квадратный» тип. А = B = sqrt(S) = sqrt(3254000) = 1803мкм А = В = 1800 мкм Ан = Вн = А+2q = 1800+400 = 2200мкм Итог Таблица 1 – размеры элементов ГИС
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||