Выполнение работы при исследовании выпрямительного диода D1N3614GP. Лабораторная работа 5 Выполнение работы при исследовании выпрямительного диода D1N3614gp выполнили студенты группы ивт2218

• Название: Лабораторная работа 5 Выполнение работы при исследовании выпрямительного диода D1N3614gp выполнили студенты группы ивт2218
• Анкор: Выполнение работы при исследовании выпрямительного диода D1N3614GP
• Дата: 11.05.2023
• Размер: 333.9 Kb.
• Имя файла: Laba5_1_1.docx
• Тип: Лабораторная работа; #1122892

Лабораторная работа №5

Выполнение работы при исследовании выпрямительного диода D1N3614GP
Выполнили студенты группы ИВТ-22-18

Павлов ПК и Никифоров ДА

Цель работы

1. Изучить принцип действия и характеристики современных диодов и стабилитронов.

2. Приобрести практические навыки по экспериментальному определению характеристик и параметров выпрямительных диодов и стабилитронов.

3. Экспериментально подтвердить теоретические знания, полученные на лекционных занятиях по полупроводниковым диодам и стабилитронам.
Программа работы

1. Ознакомиться с инструкцией по использованию программы Electronics Workbench.

2. В среде программы Electronics Workbench смоделировать схему установки для исследования сначала прямой, а затем обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода. Тип исследуемого диода выбирается по данным табл. 1.1 в библиотеке general1.

3. Экспериментально исследовать прямую и обратную ветви вольтамперной характеристики выпрямительного диода.

4. На основании экспериментальных данных рассчитать динамическое сопротивление диода при прямом и обратном включении.

5. В среде программы Electronics Workbench смоделировать схему установки для исследования сначала прямой, а затем обратной ветвей вольтамперной характеристики полупроводникового стабилитрона. Тип исследуемого стабилитрона зависит от номера бригады и выбирается по данным табл. 1.2. в библиотеке motor 1n.


Рисунок 1 Схема для исследования прямой ветви вольтамперной характеристики выпрямительного диода

Uпр, В	0,0000	0,2000	0,4000	0,6000	0,6500	0,7000	0,7500	0,8000	0,8500
Iпр, мА	0,0000	0,0080	0,2890	9,9750	24,0000	56,0000	128,0000	274,0000	528,0000
rд, Ом	0,0000	25000,0000	711,7438	20,6484	3,5651	1,5625	0,6944	0,3425	0,1969

Рисунок 2 Схема для исследования обратной ветви вольтамперной характеристики выпрямительного диода

Uобр, В	0	-10	-20	-50	-100	-120
Iобр, мкА	0	-1,238	-2,238	-5,238	-10	-12
Rc		0,0200	0,0222	0,0237	0,0248	0,0248

Выполнения работы при исследовании стабилитрона 1N4731A



Рисунок 3 Схема для исследования прямой ветви вольтамперной характеристики стабилитрона

Uпр, В	0	0,2000	0,3000	0,4000	0,5000	0,5500	0,6000
Iпр, мА	0	0,0000	0,0006	0,0260	1,2530	8,6540	60,0000
rпр, Ом		6451612,9032	182481,7518	3933,7556	81,4996	6,7558	0,9738

Рисунок 4 Схема исследования обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона

Iобр, мА	0,0000	0,5000	1,0000	2,0000	5,0000	10,0000	20,0000	40,0000	80,0000	100,000
Uобр, В	0,0000	4,1770	4,1950	4,2130	4,2370	4,2550	4,2730	4,2910	4,3080	4,3140
Rд		8354,00	36,0000	18,0000	8,0000	3,6000	1,8000	0,9000	0,4250	0,3000
Icт		0,25	0,75	1,5	3,5	7,5	15	30	60	90
Ucт		2,0885	4,186	4,204	4,225	4,246	4,264	4,282	4,2995	4,311

Расчеты:






Контрольные вопросы:

• 
  Что является основными носителями в полупроводниках n-типа?
  

В полупроводниках n- типа основными носителями являются электроны

• 
  Что является основными носителями в полупроводниках p-типа?
  

В полупроводниках p- типа носители - дырки

• 
  Что является неосновными носителями в полупроводниках n-типа и p-типа?
  

Если концентрация электронов значительно превосходит концентрацию дырок, то такой полупроводник называют полупроводником n-типа проводимости. В этом случае основными носителями заряда являются электроны, а неосновными носителями — дырки. Соответственно, если концентрация дырок выше, чем электронов, то полупроводник называют полупроводником p-типа. В нем основными носителями являются дырки, а неосновными носителями — электроны.

• 
  Что представляет собой pn-переход?
  

Область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому, такой переход ещё называют электронно — дырочным переходом.

• 
  Как обозначаются полупроводниковые диоды и стабилитроны на принципиальных электрических схемах?
  

• 
  Доп. Вопрос: Основные параметры p-n-перехода.
  

1. 
   Контактная разность потенциалов:
   

2. 
   p-n-переход состоит из двух областей:
   

Ширина p-n-перехода: lpn = lp + ln



Если Na=Nd, то lp=ln и переход называется симметричным.
-Если Na> Вывод: Исходя из общего положения и опираясь на совокупность ранее вышеперечисленных и упомянутых фактов изучили принцип действия и характеристики современного диода и стабилитрона и экспериментально подтвердили теоретические знания, полученные на лекционных занятиях по полупроводниковым диодам и стабилитронам. А также, составили таблицы с графиками и выполнили расчеты основных параметров диода и стабилитрона.