Главная страница
Навигация по странице:

  • Барьер Шоттки

  • Термодинамическая работа выхода в полупроводниках p- и n-типов

  • Концентрация и в области пространственного заряда

  • Гетеропереходы

  • Лекция_3-4. Лекция 34 Вопросы Что такое основные и неосновные носители Как они обозначаются в полупроводнике n типа


    Скачать 1.65 Mb.
    НазваниеЛекция 34 Вопросы Что такое основные и неосновные носители Как они обозначаются в полупроводнике n типа
    Дата06.10.2018
    Размер1.65 Mb.
    Формат файлаpptx
    Имя файлаЛекция_3-4.pptx
    ТипЛекция
    #52570


    БАРЬЕРЫ ШОТТКИ, P - N ПЕРЕХОДЫ И ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ

    лекция 3-4

    Вопросы

    • Что такое основные и неосновные носители? Как они обозначаются в полупроводнике n-типа?

    • Чем отличается распределение Ферми – Дирака от распределения Максвелла – Больцмана?

    • Что такое собственная концентрация?

    • Какое состояние носителей заряда называется неравновесным?

    • Чем объясняется искривление энергетических зон у поверхности полупроводника?

    • Что такое дебаевская длина экранирования?

    • Нарисуйте зонную диаграмму выпрямляющего контакта металла с полупроводником n-типа.



    ПЛАН

    • Термодинамическая работа выхода в полупроводниках p- и n-типов

    • Эффект поля

    • Концентрация n и p в области пространственного заряда

    • Барьер Шоттки

    • Электронно-дырочный р-n переход

    • Распределение свободных носителей в p-n переходе

    • Поле и потенциал в p-n переходе

    • Компоненты тока и квазиуровни Ферми в р-n переходе

    • Вольт-амперная характеристика р-n перехода

    • Гетеропереходы





    Термодинамическая работа выхода в полупроводниках p- и n-типов



    Эффект поля





    Концентрация и в области пространственного заряда



    Барьер Шоттки



    Барьер Шоттки





























    Гетеропереходы





    текст



    текст



    текст



    текст



    текст



    текст




    написать администратору сайта