Статическая ВАХ полупроводникового диода. Промышленная электроника. Лекция Полупроводниковые диоды

• Название: Лекция Полупроводниковые диоды
• Анкор: Статическая ВАХ полупроводникового диода
• Дата: 08.04.2023
• Размер: 463.33 Kb.
• Имя файла: Промышленная электроника.docx
• Тип: Лекция; #1045958

Статическая ВАХ полупроводникового диода


Лекция 1.4. Полупроводниковые диоды
1.1. Формулировка цели и задач
Цель работы: снять инструментарием Tina-Ti ВАХ полупроводникового диода.

Задачи

1. 
   Установить из базы элементов заданный диод.
   
2. 
   Провести изменение параметров источника напряжения для последовательного снятия ВАХ.
   
3. 
   Провести последовательные измерения в схеме для определения зависимости ВАХ.
   
4. 
   Построить и представить в отчет искомую ВАХ.
   

Таблица 1.1

Варианты диодов для построения ВАХ

Выбор варианта по первым буквам фамилии студента	Название диода
А – В	1N1200

Таблица 1.2

Напряжение источника E и соответствующая ему пара ток I – напряжение U на выводах диода (ВАХ)

E, В	0	0,1	0,2	0,4	0,8	1,6	3,2	6,4
U, мВ (Va)	0	99,96	199,56	371,49	472,52	521,85	558,96	591,64
I, мА (AM)	0	0	0	0	3,27	10,78	26,41	58,08

Схема установки и параметры диода изображены на рис. 1.1

рис. 1.1



Рис. 1.2 ВАХ диода (прямое смещение)


Лабораторная работа № 2

Семейство статических ВАХ биполярных транзисторов

в схеме с общим эмиттером (ОЭ)
Лекция 1.5. Биполярные транзисторы

2.1. Формулировка цели и задач
Цель работы: снять инструментарием Tina-Ti ВАХ полупроводникового биполярного транзистора.

Задачи

1. 
   Найти в базе элементов заданный биполярный транзистор.
   
2. 
   Провести последовательное изменение параметров источника тока во входной базовой цепи для снятия очередной выходной ВАХ транзистора.
   
3. 
   Провести последовательные изменения напряжения выходного напряжения для определения выходной ВАХ.
   
4. 
   Построить и представить для отчета семейство ВАХ, состоящих из нескольких выходных ВАХ.
   

Таблица 2.1

Варианты транзисторов для построения ВАХ

Выбор варианта по первым буквам фамилии студента	Название диода
А – В	2N5830

Таблица 2.2

Токи коллектора транзистора Ik при различных I_б и Uke (семейства ВАХ)

I_k.max=1А

E, В (Vke)	Iб1=0 A	Iб1=Ik.max*0,001=0,001А	Iб2=Ik.max*0,002=0,002А	Iб3=Ik.max*0,003=0,003А	Iб4=Ik.max*0,004=0,004А
0	0	0	0	0	0
0,1	0	0,03	0,03	0,03	0,03
0,2	0	0,06	0,06	0,06	0,06
0,5	0	0,07	0,07	0,07	0,07
1	0	0,07	0,07	0,07	0,07
2	0	0,07	0,07	0,07	0,07
4	0	0,07	0,07	0,07	0,07
8	0	0,08	0,08	0,08	0,08

Рис. 2.1.

Схема установки и параметры транзистора изображены на рис. 2.1.


Рис.2.2.

Рис. 2.2. Семейство выходных характеристик ВАХ транзистора 2N5830