Рис. 1.1
Уравнению (1.1) соответствует вольт-амперная характеристика 1, приведенная на рис. 1.2. Реальный диод в области нижних и средних частот можно представить в виде последовательного соединения идеального диода и резистора R, где R – омическое сопротивление объема полупроводникового кристалла. Поэтому в области больших токов реальный диод, в отличие от идеального, имеет линеаризованную характеристику 2. Кремниевый диод в открытом состоянии имеет напряжение нечувствительности  0,4…0,5 В, а напряжение открытого диода  , как правило, составляет 0,6…1 В (рис. 1.2, характеристика |
Скачать 5.39 Mb.