Методические указания к лабораторным работам по дисциплине Схемотехника

Название	Методические указания к лабораторным работам по дисциплине Схемотехника
Дата	01.11.2019
Размер	5.39 Mb.
Формат файла
Имя файла	Metodichka_korr.doc
Тип	Методические указания #92974
страница	1 из 81

1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 81

Федеральное агентство по образованию

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет «ЛЭТИ»

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ
АНАЛОГОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
НА БАЗЕ NI ELVIS
Методические указания к лабораторным работам
по дисциплине «Схемотехника»

Санкт-Петербург

Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

2009

УДК 621.38

Экспериментальное исследование аналоговых электронных устройств на базе NI ELVIS: Методические указания к лабораторным работам по дисциплине «Схемотехника» / Сост.: К. Г. Жуков, А. И. Ларистов, В. А. Михалков, Ю. М. Соколов. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2009. 32 с.

Содержат описания лабораторных работ по аналоговым электронным устройствам с использованием учебной лабораторной станции виртуальных приборов NI ELVIS.

Предназначены для студентов направления 230100 «Информатика и вычислительная техника», обучающихся по дисциплине «Схемотехника».

Утверждено
редакционно-издательским советом университета
в качестве методических указаний

© СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2009

Лабораторная работа 1

ВЫПРЯМИТЕЛИ И СТАБИЛИЗАТОРЫ
НА КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ И СТАБИЛИТРОНАХ

Цель работы состоит в ознакомлении с принципами построения выпрямителей и параметрических стабилизаторов, реализуемых на кремниевых диодах и стабилитронах, и в экспериментальном исследовании их основных технических характеристик с использованием учебной лабораторной станции виртуальных приборов NI ELVIS.

1.1. Основные характеристики кремниевых диодов и стабилитронов

1.1.1. Общая часть

Условное изображение полупроводникового диода приведено на рис. 1.1, а, где А – анод, К – катод, I – ток диода, U – напряжение на диоде (если полярность напряжения U приведена без скобок, диод открыт, со скобками – закрыт). Вольт-амперная характеристика идеального полупроводникового диода описывается уравнением Эберса – Молла

, (1.1)

где

– обратный ток насыщения диода;