Главная страница
Навигация по странице:

  • СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

  • СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ

  • 1.2 Электронные ключи на биполярных транзисторах 8 1.3 Электронные ключи на полевых транзисторах 13 1.4 Цифровые ключи на IGBT транзисторах 15

  • 1.5 Аналоговые ключи 18 Учебное издание Авторы: Кудрявцев И.А., Фалкин В.Д. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

  • электронные ключи. Электронные ключи. Министерство образования рф


    Скачать 0.73 Mb.
    НазваниеМинистерство образования рф
    Анкорэлектронные ключи
    Дата07.02.2022
    Размер0.73 Mb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаЭлектронные ключи.doc
    ТипУчебное пособие
    #354039
    страница5 из 5
    1   2   3   4   5

    1.5Аналоговые ключи

    1.5.1Ключи на полевых МДП - транзисторах


    Очень часто полевые транзисторы, главным образом МДП-транзисторы, применяются в качестве аналоговых ключей. В силу своих свойств, таких, как малое сопротивление в проводящем состоянии, крайне высокое сопротивление в состоянии отсечки, малые токи утечки и малая емкость, они являются идеальными ключами, управляемыми напряжением, для аналоговых сигналов. Идеальный аналоговый ключ ведет себя как механический выключатель: пропускает сигнал к нагрузке без ослаблений или нелинейных искажений

    V T1 — это n-канальный МДП транзистор с индуцированным каналом, не проводящий ток при заземленном затворе или при отрицательном напряжении затвора. В этом состоянии сопротивление сток — исток, как правило, больше 10000 МОм, и сигнал не проходит через ключ. Подача на затвор положительного управляющего напряжения (больше UПОР) приводит канал сток — исток в проводящее состояние с типичным сопротивлением от 25 до 100 0м (Rвкл) для транзисторов, предназначенных для использования в качестве аналоговых ключей. Схема не критична к значению уровня сигнала на затворе, поскольку он существенно более положителен, чем это необходимо для поддержания малого Rвкл, а потому его можно задавать от логических схем; можно использовать выход ТТЛ для получения уровней, соответствующих полному диапазону питания, с помощью внешнего транзистора, или даже операционного усилителя (ОУ). Обратное смещение затвора при отрицательных значениях выхода ОУ будет давать дополнительное преимущество — возможность переключать сигналы любой полярности. Заметим, что аналоговый ключ такого типа — двунаправленное устройство, т. е. он может пропускать сигнал в обе стороны.

    Приведенная схема будет работать при положительных сигналах, не превышающих (UУПР - UПОР); при более высоком уровне сигнала напряжение на затворе будет недостаточным, чтобы удержать транзистор в состоянии проводимости (Rвкл начинает расти); отрицательные сигналы вызовут включение при заземленном затворе (при этом появится прямое смещение перехода канал — подложка). Если нужно переключать сигналы обеих полярностей, то можно применить такую же схему, но с затвором, управляемым двуполярным напряжением, при этом подложка должна быть подсоединена к отрицательному напряжению.

    Для любого ключа на полевом транзисторе важно обеспечить сопротивление нагрузки в диапазоне от 10 до 100 кОм, чтобы предотвратить емкостное прохождение входного сигнала в состоянии «ВЫКЛ», которое имело бы место при большем сопротивлении. Значение сопротивления нагрузки выбирается компромиссным. Малое сопротивление уменьшит емкостную утечку, но вызовет ослабление выходного сигнала из-за делителя напряжения, образованного сопротивлением проводящего транзистора Rвкл и сопротивлением нагрузки. А так как Rвкл меняется с изменением входного сигнала, то это ослабление приведет к некоторой нежелательной нелинейности. Слишком низкое сопротивление нагрузки проявляется также и на входе ключа, нагружая входной сигнал. Привлекательной альтернативой является также применение еще одного ключа, закорачивающего выход на землю, если транзистор, включающий сигнал, находится в состоянии «ВЫКЛ»: таким образом, формируется однополюсный ключ на два направления.

    Часто необходимо переключать сигналы, сравнимые по величине с напряжением питания. В этом случае описанная выше простая схема работать не будет, поскольку при пиковом значении сигнала затвор не будет иметь достаточного смещения. Задача переключения таких сигналов решается применением переключателей на комплементарных МДП-транзисторах (КМДП) (рис. 12). При высоком уровне управляющего сигнала VТ1 пропускает сигналы с уровнями от земли до без нескольких вольт. VТ2 пропускает сигнал с уровнями от до значения на несколько вольт выше уровня земли. Таким образом, все сигналы в диапазоне от земли до проходят через схему, имеющую малое сопротивление. Переключение управляющего сигнала на уровень земли запирает оба транзистора, размыкая, таким образом, цепь. В результате получается аналоговый переключатель для сигналов в диапазоне от земли до . Это основа схемы КМДП «передающего вентиля» 4066 (К561КТ3). Как и описанные ранее ключи, эта схема работает в двух направлениях — любой ее терминал может служить входным.

    Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 13) можно использовать и как аналоговые ключи, но нужна осторожность в отношении сигнала на затворе, чтобы не возник ток затвора.

    Напряжение затвора должно быть существенно ниже потенциала земли для удержания ПТ в состоянии отсечки. Это значит, что если напряжение сигнала становится отрицательным, то напряжение затвора должно удерживаться, по крайней мере, на ниже наименьшего минимума сигнала. Для приведения транзистора в состояние проводимости управляющий сигнал должен стать больше максимального положительного значения входного сигнала. Когда ключ замкнут, диод имеет обратное смещение и затвор связан с истоком через резистор сопротивлением 1 МОм, т. е. находится под потенциалом истока.

    М ожно построить схему аналогового ключа на транзисторе с управляющим р—п-переходом, если использовать ОУ, так как можно связать исток транзистора с потенциальной землей в суммирующей точке инвертирующего усилителя (рис. 14). Тогда для отпирания транзистора нужно просто подать потенциал земли на затвор. Этот способ дает дополнительное преимущество, заключающееся в точной компенсации ошибок, возникающих из-за конечного значения Rвкл и его нелинейности.

    Схема имеет две примечательные особенности:

    а) когда VТ1 включен (затвор заземлен), вся схема представляет собой инвертор с одинаковым полным сопротивлением в цепях входа и обратной связи. Это компенсирует все эффекты, связанные с конечностью и нелинейностью сопротивления включенного состояния, если транзисторы согласованы по параметру Rвкл.

    б) Благодаря малости напряжения отсечки схема будет работать при управляющем сигнале от нуля до +5 В, что удобно для работы с ТТЛ. Включение в инвертирующей схеме с присоединением истока VT1 к потенциальной земле (суммирующая точка) упрощает работу схемы, так как нет колебаний сигнала на истоке VT1 во включенном состоянии; диод препятствует включению ПТ при положительных сигналах и запертом VT1 и не оказывает никакого действия при замкнутом ключе.

    Тот же прием компенсации применяется и для ключей на МДП - транзисторах.

    Отечественная и зарубежная промышленность выпускают широкую номенклатуру микросхем, предназначенных для коммутации аналоговых сигналов. В частности, отечественная промышленность выпускает аналоговые ключи серии 596 и серии 561, из зарубежных известны ключи фирмы Analog Devices (ADG), значительное количество коммутаторов аудио- и видеосигналов фирм Philips, Sanyo и др.

    Вопросы для самостоятельной проработки

    1. Как связаны уровни входных и управляющих сигналов на рис. 12-14 ?

    2. Какие требования следует предъявлять к операционному усилителю в схеме на рис. 14 ?

    3. Чем ограничена ширина спектра сигналов, коммутируемых ключами, выполненными по схемам на рис. 12-14 ?

    4. Придумайте схему прецизионного аналогового ключа на базе неинвертирующей схемы включения ОУ.

    5. Придумайте схему аналогового ключа, коммутирующего отрицательные сигналы и управляемого при этом напряжением ТТЛ – уровня.


    СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

    1. Семенов Б.Ю. Силовая электроника для любителей и профессионалов - М.: СОЛОН-Р, 2001. - 327с.

    2. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника - М.: Горячая линия - Телеком, 2000. - 768 с.

    3. Браммер Ю.А., Пащук И.Н. Импульсные и цифровые устройства - М.: Высшая школа, 1999. - 351с.

    4. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: в 2-х т. - М.: Мир, 1983. т.1. 598с.

    Приложение 1

    Таблица 1

    Характеристики мощных полевых транзисторов

    Обозначение


    Аналог


    В


    , Ом


    , А

    , Вт


    , В


    КП723А

    IRFZ44

    60

    0,028

    50

    150


    2,0 - 4,0

    КП723Б

    IRFZ45

    60

    0,035







    КП723В

    IRFZ40

    50

    0,028







    КП726А,А1

    BUZ90A

    600

    2

    4,0

    75

    КП726Б,Б1

    BUZ90

    600

    1,6

    4,5




    KII727A

    BUZ71

    50

    0,1

    14

    40

    КП727Б

    IRFZ34

    60

    0,05

    30

    88

    КП728Г1




    700

    5,0

    3,0

    75

    КП728С1




    650

    4,0

    3,0




    КП728Е1




    600

    3,0

    3,3




    КП728Л1




    550

    3,0

    4,0




    КП731А

    IRF710

    400

    3,6

    2,0

    36

    КП731Б

    IRF711

    350

    3,6

    2,0




    КП731В

    IRF712

    400

    5,0

    1,7




    КП737А

    IRF630

    200

    0,4

    9,0

    74

    КП737Б

    IRF634

    250

    0,45

    8,1




    КП737В

    IRF635

    250

    0,68

    6,5




    КП739А

    IRFZ14

    60

    0,2

    10

    43

    КП739Б

    IRFZ10

    50

    0,2

    10




    КП739В

    IRFZ15

    60

    0,32

    8,3




    КП740А

    IRFZ24

    60

    0,1

    17

    60

    КП740Б

    IRFZ20

    50

    0.1

    17




    КП740В

    IRFZ25

    60

    0,12

    14




    КП741А

    IRFZ48

    60

    0,018

    50

    190

    КП741Б

    IRFZ46

    50

    0,024




    150

    КП742А

    STH7SN06

    60

    0,014

    75

    200

    КП742Б

    STH80N05

    50

    0,012

    80




    КП743А

    IRF510

    100

    0,54

    5,6

    43

    КП743Б

    IRF511

    80

    0,54

    5,6




    КП743В

    IRF512

    100

    0,74

    4,9




    КП744А

    IRF520

    100

    0,27

    9,2

    60

    КП744Б

    IRF521

    80

    0,27

    9,2




    КП744В

    IRF522

    100

    0,36

    8,0




    КП745А

    IRF530

    100

    0,16

    14,0

    88

    КП745Б

    IRF531

    80

    0,16

    14,0




    КП745В

    IRF532

    100

    0,23

    12,0




    КП746Л

    IRF540

    100

    0,077

    28,0

    150

    КП746Б

    IRF541

    80

    0,077

    28,0




    КП746В

    IRF542

    100

    0,1

    25,0




    КП747А

    IRFP150

    100

    0,055

    41,0

    230

    КП748Л

    IRF610

    200

    1,5

    3,3

    36

    КП748Б

    IRF611

    150

    1,5

    3,3




    КП748В

    IRF612

    200

    2,4

    2,6





    Продолжение таблицы 1

    КП749А

    IRF620

    200

    0,8

    5,2

    50



    2,0 - 4,0

    КП749Б

    IRF621

    150

    0,8

    5,2




    КП749В

    IRF622

    200

    1,2

    4,0




    КП750А

    IRF640

    200

    0,18

    18,0

    125

    КП750Б

    IRF641

    150

    0,18

    18,0




    КП750В

    IRF642

    200

    0,22

    16,0




    КП751А

    IRF720

    400

    1,8

    3,3

    50

    КП751Б

    IRF721

    350

    1,8

    3,3




    КП751В

    IRF722

    400

    2,5

    2,8




    КП780А

    IRF820

    500

    3,0

    2,5

    50

    КП780Б

    IRF821

    450

    3,0

    2,5




    КП780В

    IRF822

    500

    4,0

    2,2






    СОДЕРЖАНИЕ

    ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………………….5

    1 Цифровые электронные ключи 6

    1.1 Диодные электронные ключи 6

    1.2 Электронные ключи на биполярных транзисторах 8

    1.3 Электронные ключи на полевых транзисторах 13

    1.4 Цифровые ключи на IGBT транзисторах 15

    1.5 Аналоговые ключи 18


    Учебное издание

    Авторы: Кудрявцев И.А., Фалкин В.Д.
    ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

    Учебное пособие

    Самарский государственный аэрокосмический ун-т

    им. академика С.П. Королева

    443086, Самара, Московское шоссе, 34
    1   2   3   4   5


    написать администратору сайта