Главная страница

Лаба. Моделирование и исследование полупроводникового диода


Скачать 379.42 Kb.
НазваниеМоделирование и исследование полупроводникового диода
Дата07.01.2020
Размер379.42 Kb.
Формат файлаdocx
Имя файлаlab1(1).docx
ТипИсследование
#103021
страница3 из 3
1   2   3

Определение динамических параметров диодов.

На рисунке 7 представлена схема, для определения динамических параметров.



Рисунок 7 – Схема для определения динамических параметров

Параметры, заданные для схемы: R1 = 10 Ом, R2 = 10 Ом, R3 = 10 Ом, ТD=100n, ТF= 10n, ТR= 10n, PW= 100n, PER=220n, V1=100В, V2=-100 В, VD1, VD2 – КД 213a, VD3 – диод Шотки.

На рисунке 8 представлены графики напряжения на источнике питания и временные зависимости напряжения и тока на каждом диоде. На рисунке 9 представлены графики тока и напряжения при включении и отключении диода D1.



Рисунок 8 – Графики временных зависимостей







Рисунок 9 – Графики тока и напряжения включения и отключения диода D1

На рисунке 10 представлены графики тока и напряжения при включении и отключении диода D2.





Рисунок 10 – Графики тока и напряжения включения и отключения диода D2

На рисунке 11 представлены графики тока и напряжения при включении и отключении диода D3.






Рисунок 11 – Графики тока и напряжения включения и отключения диода D3
Вывод: в ходе лабораторной работы были исследованы статические и динамические характеристики диодов. Получены статические ВАХ диодов и определены их сопротивления.
1   2   3


написать администратору сайта