Лаба. Моделирование и исследование полупроводникового диода
 Скачать 379.42 Kb.
|
|
МИНОБРНАУКИ РОССИИ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Кафедра ЭТПТ отчет по лабораторной работе №1 по дисциплине «ВЧ СилЭл» ТемА «МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА»
Санкт-Петербург 2019 Цель работы Моделирование и исследование полупроводникового диода; Построение статической ВАХ диода; Определение его динамических параметров. Построение статической ВАХ диода.  Рисунок 1 – Схема исследуемой цепи Параметры заданные для схемы (рисунок 1): R1 = 1 Ом; подаваемое напряжение V1 задается импульсным источником напряжения и имеет форму, изображенную на рисунке 2. Для расчестной схемы были выбраны следующие диоды D1, D2 – КД 213a и D3 – 1N6096 (диод Шотки).  Рисунок 2 – Форма кривой входного напряжения В результате моделирования получаем график напряжения на источнике питания и графики временных зависимостей напряжения и тока на каждом диоде (Рисунок 3).  Рисунок 3 – Графики временных зависимостей Из рисунка 3 видно, что диод Шотки пробивается. Это связано с тем, что значение напряжения на нём значительно превышает допустимое (40 В). Исходя из этого было произведено моделирование с амплитудой входного напряжения на источнике равной 30 В. На рисунке 4 отображен результат моделирования. На основании полученных кривых можно заключить, что диод Шотки больше не пробивается. На рисунках 5 - 7 представлены статические ВАХ диодов D1, D2 и D3. |