№
|
Варианты заданий:
|
1
|
n-канальный МОП-транзистор (МДП-транзистор) со встроенным каналом
|
2
|
p-канальный МОП-транзистор (МДП-транзистор) со встроенным каналом
|
3
|
Интегральный диод на переходе БЭ-К
|
4
|
n-канальный МОП-транзистор (МДП-транзистор) с индуцированным каналом
|
5
|
n-канальный полевой транзистор
|
6
|
Интегральный диод на переходе Б-ЭК
|
7
|
p-канальный МОП-транзистор (МДП-транзистор) с индуцированным каналом
|
8
|
Биполярный p-n-p-транзистор
|
9
|
Интегральный диод на переходе Б-Э
|
10
|
p-канальный полевой транзистор
|
11
|
КМОП-транзистор
|
12
|
Диод Шоттки без охранного кольца
|
13
|
Биполярный n-p-n-транзистор
|
14
|
Биполярный транзистор с барьером Шоттки
|
15
|
Диод Шоттки с охранным кольцом
|
16
|
Интегральный МДП-конденсатор
|
17
|
Многоэмиттерный транзистор с закорачиваемым эмиттером
|
18
|
Диффузионный резистор на основе эмиттерного слоя
|
19
|
Диффузионный резистор на основе базовой области
|
20
|
Интегральный МДП-конденсатор
|
21
|
Многоколлекторный транзистор
|
22
|
Интегральный диффузионный конденсатор на основе перехода Э-Б
|
23
|
Пинч-резистор
|
24
|
Многоэмиттерный транзистор
|
25
|
Интегральный диод на переходе Б-К
|
26
|
Интегральный диод на переходе БК-Э
|
27
|
Многоэмиттерный транзистор с закорачиваемым эмиттером
|
28
|
Интегральный диффузионный конденсатор на основе перехода К-Б
|
29
|
Интегральный диффузионный конденсатор на основе перехода К-Подложка
|
30
|
Интегральный диффузионный конденсатор на основе параллельно включенных переходов Э-Б и К-Б
|
Скачать 16.78 Kb.