|
|
АТП 20- 1_ОП.07 Электронная техника _09.02.2022. Наименование дисциплины оп. 07 Электронная техника
НАИМЕНОВАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ: ОП. 07 ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА - ГР. АТП 20-1 ФОРМА И ДАТА ЗАДАНИЯ: СОСТАВЛЕНИЕ ОПОРНОГО КОНСПЕКТА 07.02.2022 ТЕМА: Сведения о полупроводниках. Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые приборы. ФИО ПРЕПОДАВАТЕЛЯ: ЛОГИНОВА ТАТЬЯНА АЛЕКСАНДРОВНА, ЭЛ.ПОЧТА TALOGUNOVA32@YANDEX.RU СРОК ВЫПОЛНЕНИЯ (СДАЧИ) ЗАДАНИЯ: ДО 14.02.2022 ФОРМУЛИРОВКА ЗАДАНИЯ: НЕОБХОДИМО ВЫПОЛНИТЬ ОПОРНЫЙ КОНСПЕКТ В РУКОПИСНОМ ВИДЕ, НО ЧЕТКИМ ПОЧЕРКОМ. МОЖНО ВЫПОЛНИТЬ В ПЕЧАТНОМ ВАРИАНТЕ ПРИ ПОМОЩИ МАЙКРОСОФТ ВОРД - 1,5 ИНТЕРВАЛ, ЦВЕТ - ЧЕРНЫЙ. РЕКОМЕНДУЕТСЯ ИСПОЛЬЗОВАТЬ ГАРНИТУРУ ШРИФТА TIMES NEW ROMAN - 14, ДОПУСКАЕТСЯ ARIAL – 12, ТЕКСТОВЫЙ МАТЕРИАЛ СЛЕДУЕТ ВЫРАВНИВАТЬ ПО ШИРИНЕ, С ОБОЗНАЧЕНИЕМ АБЗАЦЕВ. РАЗМЕРЫ ПОЛЕЙ: ЛЕВОЕ - 30 ММ, ПРАВОЕ - 10 ММ, ВЕРХНЕЕ И НИЖНЕЕ - 20 ММ. КОНСПЕКТ ДОЛЖЕН БЫТЬ РАЗВЕРНУТЫМ, ЧЕТКИМ И СОДЕРЖАТЬ СХЕМЫ И РИСУНКИ
- Так же жду ваши презентации
- Полупроводники — материалы, по удельной проводимости занимающие промежуточное место между проводниками и диэлектриками, и отличающиеся от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения.
- Полупроводник — это кристаллический материал, который проводит электричество не столь хорошо, как металлы, но и не столь плохо, как большинство изоляторов.
- 1.2. Электропроводность полупроводников
- Электропроводность полупроводников, как и других твердых тел, определяется направленным движением электронов под действием внешнего электрического поля. Существенные отличия электропроводности полупроводников от проводников и диэлектриков объясняется различием их энергетических диаграмм, показанных на рис. 1.2. Здесь 1 зона проводимости, 2 — валентная зона, 3 — запрещенная зона.
- По структуре проводники делятся на кристаллические, аморфные и стеклообразные, жидкие. Особый класс составляют твёрдые растворы проводники, в которых атомы разных сортов хаотически распределены по узлам правильной кристаллической решётки.
- По химическому составу проводники делятся на элементарные (германий, силициум, теллур, селен)двойные, тройные, четверные соединения. Существуют также органические проводники. Полупроводниковые соединения принято классифицировать по номерам групп периодической таблицы элементов, к которым принадлежат входящие в соединения элементы.
Рис. 1. Изгиб зон на контакте металл - электронный полупроводник с запорным слоем
- На основе беспереходных полупроводников изготавливаются полупроводниковые резисторы:
- Линейный резистор - удельное сопротивление мало зависит от напряжения и тока. Является «элементом» интегральных микросхемах.
- Варистор - сопротивление зависит от приложенного напряжения.
- Терморезистор - сопротивление зависит от температуры. Различают два типа: термистор (с увеличением температуры сопротивление падает) и позисторы (с увеличением температуры сопротивление возрастает).
- Фоторезистор - сопротивление зависит от освещенности
- Тензорезистор - сопротивление зависит от механических деформаций.
Терморезистор
Фоторезистор
В полупроводниковых приборах используются особые явления, возникающие на границах раздела между полупроводниками n-типа и p-типа. Для анализа рассмотрим плоскопараллельную границу между двумя примесными полупроводниками (рис 1) и для простоты не будем учитывать неосновные носители зарядов. На рис. 1 показаны только примесные атомы в p- и n полупроводниках, расположенные около контакта. При появлении границы раздела не участвующие в связях электроны примесных атомов n-полупроводника, расположенных около границы, переходят к примесным атомам p-полупроводника, тоже находящихся около границы, так как на атомах акцепторной примеси не заполнена одна валентная связь. Очевидно, атомы примеси n-области, отдавшие электрон, становятся положительными ионами, а примесные атомы p-области, принявшие электрон – отрицательными ионами. В полупроводниковых приборах используются особые явления, возникающие на границах раздела между полупроводниками n-типа и p-типа. Для анализа рассмотрим плоскопараллельную границу между двумя примесными полупроводниками (рис 1) и для простоты не будем учитывать неосновные носители зарядов. На рис. 1 показаны только примесные атомы в p- и n полупроводниках, расположенные около контакта. При появлении границы раздела не участвующие в связях электроны примесных атомов n-полупроводника, расположенных около границы, переходят к примесным атомам p-полупроводника, тоже находящихся около границы, так как на атомах акцепторной примеси не заполнена одна валентная связь. Очевидно, атомы примеси n-области, отдавшие электрон, становятся положительными ионами, а примесные атомы p-области, принявшие электрон – отрицательными ионами.
Рис 1. Простейшая структура полупроводникового диода
|
|
|
Скачать 272.61 Kb.