|
|
контрольная электроснабжение. оренбургский государственный университет
   
ное электрич. сопротивление 2,3·103 Ом·м (при 25 °C), подвижность электро- нов 0,135–0,145, дырок – 0,048–0,050 м2/(В·с). Электрич. свойства К. очень сильно зависят от наличия примесей. Для получения монокристаллов К. с про- водимостью р-типа используют легирующие добавки B, Al, Ga, In (акцептор- ные примеси), с проводимостью n-типа – P, As, Sb, Bi (донорные примеси).
К. на воздухе покрывается оксидной плёнкой, поэтому при низких темп-рах хи- мически инертен; при нагревании выше 400 °C взаимодействует с кислородом (образуются оксид SiO и диоксид SiO2), галогенами (кремния галогениды), азо- том (кремния нитрид Si3N4), углеродом (кремния карбид SiC) и др. Соединения К. с водородом – силаны – получают косвенным путём. К. взаимодействует
с металлами с образованием силицидов.
Мелкодисперсный К. – восстановитель: при нагревании взаимодействует
с парáми воды с выделением водорода, восстанавливает оксиды металлов до свободных металлов. Кислоты-неокислители пассивируют К. вследствие обра- зования на его поверхности нерастворимой в кислотах оксидной плёнки. К. рас- творяется в смеси концентрир. HNO3 с HF, при этом образуется кремнефторо- водородная кислота: 3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO+8H2О. К. (особенно мелкодисперсный) взаимодействует со щелочами с выделением водорода, напр.: Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2. К. образует разл. кремнийорганические соединения.
Применение:
К. – осн. материал микроэлектроники и полупроводниковых приборов; исполь- зуется при изготовлении стёкол, прозрачных для ИК-излучения. К. является компонентом сплавов железа и цветных металлов (в малых концентрациях К. повышает коррозионную стойкость и механич. прочность сплавов, улучшает их литейные свойства; в больших концентрациях может вызвать хрупкость); наи- большее значение имеют железные, медные и алюминиевые кремнийсодержа- щие сплавы. К. применяют в качестве исходного вещества для получения крем- нийорганич. соединений и силицидов.
Задача 8
Рассчитаем и построим график зависимости магнитной проницаемости μ от напряженности магнитного поля Н. Исходные данные для расчетов представлены в виде основных кривых намагничивания В(Н). По графику μ(Н) оценим значения начальной и максимальной магнитной проницаемости. Укажим область применения материала и численные значения его основных
|
|
Лист
|
19
|
характеристик (коэрцитивная сила, остаточная индукция, частотный диапазон, точка Кюри.).
Таблица 8.1 – Исходные данные
Для вычисления значений магнитной проницаемости р. воспользуйтесь известным соотношением:
В = 𝜇 ∙ 𝜇0 ∙ Н,
где, μ – магнитная проницаемость материала; μ0 – магнитная постоянная;
Н – напряженноеть магнитного поля;
В - индукция магнитного поля в материале. Находим μ:
𝜇0 ∙ Н
𝜇 = В ,
|
|
Лист
|
20
|
Пермалой 50НХС
|
Н, кА/м
|
0,01
|
0,03
|
0,05
|
0,1
|
0,3
|
0,5
|
В, Тл
|
0,2
|
0,65
|
0,75
|
1,05
|
1,24
|
1,28
|
Пермалой 50НХС
|
Н, кА/м
|
0,01
|
0,03
|
0,05
|
0,1
|
0,3
|
0,5
|
В, Тл
|
0,2
|
0,65
|
0,75
|
1,05
|
1,24
|
1,28
|
μ*10-х
|
6,2800
|
5,7969
|
8,3733
|
1,19619
|
3,03871
|
4,90625
|
0,000000600000
0,000000500000
0,000000400000
0,000000300000
0,000000200000
0,000000100000
0,000000000000
Рисунок 8.1 – График μ(Н)
|
|
Лист
|
21
|
 
Список использованных источников
Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы: - Л. Энергоатомиздат, 1985.
Богородицкий Н.П., Пасынков В.В. Материалы радиэлектронной техники: - М. Высшая школа, 1969.
Журавлёва Л.В. Электроматериаловедение: - М. / изд. Центр
«Академия», ИРПО, 2000.
Казарновский Д.М., Яманов С.А. Радиотехнические материалы: - М. / Высшая школа,1972.
Мозберг Р.К. Материаловедение: Учеб.пособие/ - М. ВШ,1991.
Никулин Н. В. Электроматериаловедение: -М. / Высшая школа,1989.
Окадзаки К. Пособие по электротехническим материалам /пер. с яп. под ред. Л.Р. Зайонц: - М. Энергия,1979.
Корицкий В.В., Пасынков В.В., Тареев Б.М./под ред./ Справочник по электротехническим материалам: - Л. Энергоатомиздат, 1988.
|
|
Лист
|
22
| |
|
|
Скачать 103.49 Kb.