Главная страница

Отчет. отчёт. Отчет по лабораторным работам 18 по дисциплине Основы функционального проектирования рэс


Скачать 1.5 Mb.
НазваниеОтчет по лабораторным работам 18 по дисциплине Основы функционального проектирования рэс
АнкорОтчет
Дата27.04.2022
Размер1.5 Mb.
Формат файлаdocx
Имя файлаотчёт.docx
ТипОтчет
#501574
страница3 из 5
1   2   3   4   5


Рисунок 21 - Зависимость амплитудной характеристики при постоянной частоте при отсутствии ОС.

2) Теперь необходимо заполнить таблицу 8 при отключенной обратной связи на частоте 1 кГц, измерив выходное напряжение и потребляемый от источника питания ток.

Также будет необходимо провести расчет выходной мощности усилителя, мощности потребляемой от источника питания, мощность, рассеиваемую на коллекторах транзисторов и КПД усилителя. Расчет проводится по следующим формулам:

- выходная мощность усилителя;

- мощность, потребляемая от источника питания, Епит=7,5 В;

- мощность, рассеиваемая на коллекторах транзисторов;

- КПД усилителя.

Uвх, мВ

50

70

90

110

130

150

170

190

210

230

Uвых, В

12.8

16.4

29.4

48.5

99.1

180.6

401.9

870.5

1102.5

2830

Io, А

129.87

220.88

281.28

214.5

223.97

232.4

248.7

254.7

260.8

270.2

Pвых, Вт,



3.362


1.08

2.94

1.227


4.077


2.019

9.47

1.518

1.001

Po, Вт

0.974

1.656

2.109

1.608

1.679

1.743

1.865

1.910

1.956

2.026

Pк, Вт

0.974

1.656

2.109

1.608

1.679

1.743

1.865

1.910

1.956

2.026

η, %

2.1

2.03

5.11

1.81

7.32

2.31

1.08

4.93*

7.75

4.96


Таблица 8 - Зависимости выходного напряжения Uвых и потребляемого тока Io от входного напряжения.

Построим по полученным данным графики зависимости.



Рисунок 22 - Выходная мощность усилителя.



Рисунок 23 - Мощность потребляемая от источника питания.



Рисунок 24 - Мощность, рассеиваемая на коллекторах транзисторов.



Рисунок 25 - КПД усилителя.

3) Снимем частотные характеристики при наличии/отсутствии обратной связи и занесем данные в табицу 9.

f, кГц

0,01

0,05

0,1

0,2

0,4

0,7

1

2

5

10

15

20

30

50

Umвых, В;

без ОС

501

175

62

72

54

47.4

45

38.4

45

55

61

69

82.6

109


Umвых, В;

с ОС

497

125

103

37

35

36

38

31

52

61

70

85

90

115

Таблица 9 - Таблица для снятия АЧХ двухтактного усилителя.

По данным из таблицы построим графики зависимости.



Рисунок 26 - Umвых без ОС.



Рисунок 27 - Uмвых с ОС.

Вывод: при использовании обратной связи, Um выхода немного увеличивается.

Вывод по лабораторной работе: я исследовал усилитель с мощным двухтактным выходным каскадом в режимах классов A и AB.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4

ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕНЕРАТОРА С БАЗОВОЙ, ЭМИТТЕРНОЙ И КОЛЛЕКТОРНОЙ АМПЛИТУДНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ.

Цель работы: изучение принципа работы амплитудно-модулирующего генератора с базовой, эмиттерной и коллекторной амплитудной модуляцией, анализ спектрального состава колебаний до и после фильтрации.

Характеристики транзисторав среде Multisim

BJT Analyzer – прибор в среде multisim, используется для получения входных характеристик транзисторов. Его необходимо подключить к транзистору как показано на рисунке 1.4.1.

На рисунке b − база транзистора, e эмиттер транзистора, c −коллектор транзистора. В Device Type необходимо выбрать тип устройства, здесь это NPN транзистор.



Рисунок 28 - Входные характеристики транзистора BC547BG на BJT Analyzer

Два гармонических сигнала, подаваемых на транзистор, являются несущим и модулирующим (ВЧ и НЧ). Спектр данного бигармонического сигнала состоит из новых гармоник, полученых за счет нелинейности характеристик транзистора. Необходимо выделить только три составляющих спектра, которые определяют амплитудно-модулированный сигнал: ВЧ, ВЧ НЧ и ВЧ + НЧ, для этого необходим полосовой фильтр.

Задание 1.4.1. Амплитудный модулятор с базовой модуляцией.

Для исследования амплитудного модулятора с базовой модуляцией построить схему, приведенную на рисунке 28.



Рисунок 29 - Схема амплитудного модулятора c базовой модуляцией.

Для моделирования на генераторе XFG1, подающем несущее колебание, настроить частоту 105 кГц и амплитуду 0,4 В, а на генераторе XFG2, определяющем модулирующее колебание, задать частоту равную f=3,5 кГц и амплитуду составляющую 0,15 В. Контур L1C2 настроен на несущую частоту. Транзистор Q2 является простейшим усилителем и подавляет боковые составляющие спектра амплитудно-модулированного сигнала за счет «непрямоугольности» АЧХ контура, который выполняет роль полосового фильтра. Нелинейный режим работы транзистора Q1 с отсечкой коллекторного тока задает напряжение питания с V1, и линейный режим для транзистора Q2 без угла отсечки. Транзисторы Q1 и Q2 работают в разных режимах при одном поданом напряжении питания и одинаковых резистивных делителях, т.к. они разные. Бигармонический сигнал частично «срезается» нелинейным элементом, изменяя его спектральный состав, затем при помощи фильтрации избавляемся от ненужных гармоник.

На рисунке 30 на канал А поступает сигнал с базы транзистора и на канал Б сигнла с выхода генератора при резистивной нагрузке, т. е. без фильтра.



Рисунок 30 - Осциллограммы бигармонического сигнала до/после отсечки при резистивной нагрузке.

При подключенном контуре L1C4, который выступает в роли фильтра, получаем амплитудно-модулированный сигнал без лишних гармоник (рисунок 31).



Рисунок 31 - Осциллограммы бигармонического сигнала до / после отсечки при колебательной нагрузке.

1) Построим амплитудный спектр выходного амплитудно-модулированного колебания до фильтрации, и снимем АЧХ контура.

2) Снимем амплитудно-модуляционные характеристики для 𝑀 = 𝜑(𝑈Ω), где М рассчитывается по формуле:



𝑈Ω, 𝐵

0.15

0.25

0.35

0.45

0.55

0.65

0.75

𝑀, %

45

73

84

91

94.4

94.7

105

Таблица 10 - Зависимость АБМ от амплитуды.

3) Снимем частотно-модуляционные характеристики 𝑀 = 𝜑(Ω).

Ω, кГц

3.5

4.5

5.5

6.5

7.5

8.5

9.5

𝑀, %

44

51

55

57

59

59.6

65

Таблица 11 – Зависимость АБМ от частоты.

Задание 1.4.2. Генератор с амплитудной эмиттерной модуляцией.

Для выполнения задания построим схему на рисунке 32.



Рисунок 32 - Схема генератора с амплитудной эмиттерной модуляцией.

1) В программе моделирование/вид анализа/Фурье построим амплитудный спектр выходного амплитудно-модулированного колебания, и снимем АЧХ рассчитанного контура.

Для моделирования установим значения несущей частоты 200 кГц (V1) и модулирующей частоты 5 кГц (V3), амплитуду несущей выберем 2,5 В, а амплитуду модулирующих колебаний выбрать 0,5 В, контур L1C2R2 рассчитан в резонанс с несущей, источник питания подобран по входной характеристике транзистора 2N3904 на 12 В, резисторы R4R5 задают рабочую точку;

На рисунке 33 приведена осциллограмма с выхода генератора при эмиттерной модуляции, где в качестве нагрузки используется колебательный контур.

1   2   3   4   5


написать администратору сайта