Главная страница
Навигация по странице:

  • Прямое включение диода КД103

  • Прямое включение диода 1N5817

  • Обратное включение диода КД103

  • Обратное включение диода 1N5817

    		•

    Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов. Отчет по лабораторной работе 1 Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов


    Скачать 71.5 Kb.
    НазваниеОтчет по лабораторной работе 1 Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
    АнкорИсследование полупроводниковых выпрямительных диодов.doc
    Дата23.03.2018
    Размер71.5 Kb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаИсследование полупроводниковых выпрямительных диодов.doc
    ТипОтчет
    #17076
    КатегорияПромышленность. Энергетика


    кафедра электроники


    Отчет по лабораторной работе №1

    «Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов»

    Екатеринбург

    2006 г

    Цель: измерение вольтамперных характеристик (ВАХ) кремниевого диода КД103 и диода Шоттки 1N5817, сравнительная оценка полученных характеристик и определение параметров диодов.
    Паспортные данные исследуемых диодов:

    Электрические параметры
    КД 103
    1N5817

    Постоянное прямое напряжение не более, В
    1
    0,45-0,6

    Постоянный обратный ток не более, мкА
    1
    500

    Максимальный выпрямительный ток, мА
    100
    1000

    Предельно допустимое обратное напряжение, В
    50
    20


    Схемы:
    - прямое включение




    - обратное включение

    Формулы:

    Статическое сопротивление:



    Дифференциальное сопротивление:



    Практическая часть:

    Прямое включение диода КД103

    Uпр, В
    0,515
    0,607
    0,661
    0,674
    0,692
    0,706

    Iпр, мА
    0,1
    1,05
    3,75
    5
    7,36
    10


    Прямое включение диода 1N5817

    Uпр, В
    0,218
    0,265
    0,317
    0.349
    0,368
    0,391

    Iпр, мА
    0,52
    1,23
    3,05
    5,14
    7,01
    10,1


    Обратное включение диода КД103

    Uобр, В
    0,5
    1
    3
    5
    7
    10
    14,7

    Iобр, мА
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0


    Обратное включение диода 1N5817

    Uобр, В
    1,8
    3,13
    5
    7,62
    10
    14,9

    Iобр, мА
    0,001
    0,001
    0,001
    0,002
    0,004
    0,021


    Вольтамперная характеристика.



    Рассчитаем статическое сопротивление диодов на прямой и обратной ветвях:


     
    Кремниевый диод (КД103)
    Диод Шоттки (1N5817)

    Прямая ветвь
    Ro=0,661/(3,75*10-3)=176,26 Ом
    Ro=0,317/(3,05*10-3)=103,93 Ом

    Обратная ветвь
    -------
    Ro=7,62/(0,002*10-3)=3,81*104Ом



    Рассчитаем дифференциальное сопротивление диодов на прямой и обратной ветвях:


     
    Кремниевый диод (КД103)
    Диод Шоттки (1N5817)

    Прямая ветвь
    Ri=(0,674-0,661)/(5-3,75)=10,4 Ом
    Ri=(0,349-0,317)/(3,05-1,23)=17,58 Ом

    Обратная ветвь
    -----------
    Ri=(7,62-5)/(0,002-0,001)=26,2*105 Ом


    Вывод:
    В данной лабораторной работе мы исследовали кремниевый диод и диод Шоттки.

    Проведя исследования, мы пришли к выводу, что обратные токи намного меньше, чем прямые. Прямая ветвь вольтамперной характеристики диодов идёт круто вверх, практически параллельно вертикальной оси. Она характеризует быстрый рост прямого тока при незначительном увеличении прямого напряжения. Обратная ветвь идёт почти параллельно горизонтальной оси, характеризуя незначительный рост обратного тока, при значительном увеличении обратного напряжения. По вольтамперной характеристике можно сделать вывод, о том, что диод имеет одностороннюю проводимость.

    Сопротивление диода не постоянно: при прямом включении единицы - десятки Ом, при обратном – тысячи. Для преодоления потенциального барьера нужно подать внешнее напряжение: для кремниего диода 0,5 – 0,6 В, для диода Шоттки 0,2 – 0,3 В, тогда сопротивление диода значительно уменьшается, он начинает пропускать ток.

    написать администратору сайта