Главная страница
Навигация по странице:

  • Отчет по лабораторной работе №1 «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»

  • 1.Цель работы

  • 2.Схема экспериментальной установки

  • Входная характеристика Выходная характеристика

  • 5. Выводы по проделанной работе

    		•

    Лаба1 ТЭ. Отчет по лабораторной работе 1 Исследование статических характеристик биполярного транзистора


    Скачать 60.41 Kb.
    НазваниеОтчет по лабораторной работе 1 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
    Дата18.12.2021
    Размер60.41 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаЛаба1 ТЭ.docx
    ТипОтчет
    #308399

    Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

    Федеральное государственное бюджетное образовательное

    учреждение высшего образования

    ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ

    УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

    Факультет дистанционного обучения (ФДО)


    Отчет по лабораторной работе №1

    «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»

    по дисциплине

    "Твердотельная электроника"
    Выполнил:

    Студент гр. з-360П8-4

    (номер группы)

    ____________ / И.А. Журавлев/

    (подпись) И. О. Фамилия

    «___»__________20____г.

    (дата)



    Проверил:

    ______________________________

    (должность, ученая степень, звание)

    ______________ /____________________/

    (подпись) И. О. Фамилия

    «____»_______________20____г.

    (дата)


    Томск 2021

    1.Цель работы:

    Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой и общим эмиттером и определение статических коэффициентов передачи тока эмиттера и тока базы.

    2.Схема экспериментальной установки:



    3. Основные расчетные формулы

    β=∆Iк/∆IБ
    α = β/(1 + β)

    4. Основные экспериментальные данные и их анализ:

    Входная характеристика
    Выходная характеристика

    Uк=0 В
    Uк=15 В
    Iб=100 мкА
    Iб=250мкА

    Uбэ, B
    Iб, мкА
    Uбэ, B
    Iб, мкА
    Uкэ, B
    Iк, мА
    Uкэ, B
    Iк, мА

    0.05
    0.016
    0.05
    0.01
    1
    1.8
    1
    4.6

    0.1
    0.04
    0.1
    0.026
    2.5
    3.5
    2.5
    8.6

    0.15
    0.083
    0.15
    0.067
    4
    3.7
    4
    9.1

    0.2
    0.21
    0.2
    0.15
    5.5
    3.8
    5.5
    9.3

    0.25
    0.4
    0.25
    0.35
    6.5
    3.8
    6.5
    9.5

    0.3
    0.8
    0.3
    0.58
    7.5
    3.8
    7.5
    9.6

    Таблица №1. Статические характеристики биполярного транзистора МП40, включенного по схеме с общим эмиттером.



    Рис. 4.1. Входная характеристика биполярного транзистора МП40, включенного в схеме с общим эмиттером, при различных напряжениях коллектора.



    Рис. 4.2. Выходная характеристика биполярного транзистора МП40, включенного в схеме с общим эмиттером, при различных токах базы.


    Входная характеристика
    Выходная характеристика

    Uк=0 В
    Uк=15 В
    Iэ=100мкА
    Iэ=250мкА

    Uбэ, B
    Iэ, мА
    Uбэ, B
    Iк, мА
    Uкэ, B
    Iк, мкА
    Uкэ, B
    Iк, мкА

    0.035
    0.009
    0.035
    0.011
    -0.1
    0
    -0.12
    0

    0.07
    0.035
    0.07
    0.045
    -0.09
    0.99
    -0.11
    0.1

    0.1
    0.095
    0.1
    1.15
    2
    0.1
    -0.7
    0.15

    0.13
    2.45
    0.13
    2.93
    4
    0.102
    0
    0.22

    0.17
    8.15
    0.17
    9.89
    6
    0.102
    4
    0.223

    0.2
    19.52
    0.2
    22.9
    7.5
    0.103
    7.5
    0.224

    Таблица №2. Статические характеристики биполярного транзистора МП40, включенного по схеме с общей базой.

    β=∆Iк/∆IЭ= 8*10-4

    ∆Iк = 0.224 - 0.103= 0.121

    ∆IЭ = 250-100=150

    α = β/(1 + β) = =8*10-4



    Рис. 4.3. Выходная характеристика биполярного транзистора МП40, включенного в схеме с общей базой, при различных токах эмиттера



    Рис. 4.4. Выходная характеристика биполярного транзистора МП40, включенного в схеме с общей базой, при различных напряжениях коллектора

    5. Выводы по проделанной работе

    В данной работе мы исследовали статические характеристики биполярного транзистора в схемах с общей базой и общим эмиттером, определили статические коэффициенты передачи тока эмиттера и тока базы.

    Схема с общим эмиттером имеет большой коэффициент усиления по току, наибольшее усиление по мощности

    написать администратору сайта